12月5日，市場消息報道稱，從多家供應(yīng)鏈公司處獲悉，功率半導(dǎo)體行業(yè)目前平均漲價5%-10%，部分產(chǎn)品漲幅更高。由于晶圓缺貨的影響越來越明顯，不排除功率半導(dǎo)體價格繼續(xù)上漲的可能。

在一片漲價潮中，終于輪到了半導(dǎo)體行業(yè)，且汽車芯片短缺的消息同時被市場報道。中汽協(xié)副秘書長兼行業(yè)發(fā)展部部長李紹華坦言，雖沒有媒體報道的那么嚴(yán)重，但汽車芯片供應(yīng)短缺問題真實存在，由于多重因素的疊加，導(dǎo)致了汽車芯片供需矛盾在這一段時間內(nèi)集中體現(xiàn)。

而功率半導(dǎo)體漲價、汽車芯片短缺的背后，核心原因是上游晶圓產(chǎn)能的緊張，導(dǎo)致產(chǎn)品供不應(yīng)求。但關(guān)鍵的問題在于，供需矛盾能否持續(xù)，以帶動產(chǎn)品形成趨勢性漲價，為相關(guān)投資標(biāo)的打開成長空間。

其實，上一輪由于晶圓產(chǎn)能緊張導(dǎo)致的功率半導(dǎo)體漲價是在2017-2018年，在這兩年中，中國的功率半導(dǎo)體行業(yè)增速分別為12．5%、9．5%，均遠高于2016年時的1．8%。也是在該輪周期中，受益標(biāo)的華虹半導(dǎo)體（01347）從8港元漲至30港元。

而此次功率半導(dǎo)體的漲價，是否是新一輪周期的開啟？又蘊含著怎樣的投資機會？

上一輪漲價周期回顧

漲價的本質(zhì)在于供需的失衡，即供給小于需求，回顧2017-2018年的漲價周期，主要由于智能手機創(chuàng)新升級、汽車電子和工業(yè)自動化滲透率的提升對8寸晶圓的需求大幅增長。而原材料硅片以及8寸晶圓代工設(shè)備的受限，導(dǎo)致8寸晶圓產(chǎn)能緊張，供給低于市場需求。

價格的傳導(dǎo)則是從12寸晶圓開始，2017年上半年時，12寸晶圓供不應(yīng)求，并開始逐季漲價。至2017年下半年時，8寸晶圓跟漲，并從上游的晶圓傳導(dǎo)至代工環(huán)節(jié)，自2017年Q3開始，國內(nèi)晶圓代工廠亦開始漲價。

由于上游晶圓廠擴充不足難以緩解產(chǎn)能緊張局面，而下游需求持續(xù)增長，供給的失衡造就了功率半導(dǎo)體在2017-2018年的高景氣。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2016年全球功率半導(dǎo)體的市場增速為1．8%，至2017、2018年則分別為10．6%、5．9%。中國市場增速亦與全球共振，2016-2018年的增速分別為1．8%、12．5%、9．5%。

下游需求主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)的差別

而在當(dāng)前的功率半導(dǎo)體漲價中，造成供需格局失衡的因素則與2017-2018年有所差異，這主要體現(xiàn)在兩方面，其一是下游需求主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)不同;其二是國產(chǎn)替代加速拉動需求增長。

與上一輪的手機升級、汽車電子、工業(yè)自動化不同，此輪帶動功率半導(dǎo)體規(guī)模持續(xù)增長的則是新能源車、新能源發(fā)電、5G場景、以及以快充和家電為代表的消費電子。

據(jù)工信部相關(guān)規(guī)劃，至2025年時，中國新能源車銷量為700萬輛，2020-2025年的復(fù)合增速超30%。由于新能源車采用電力動力系統(tǒng)，進行電能處理的功率半導(dǎo)體器件成為關(guān)鍵器件。據(jù)華創(chuàng)證券研報顯示，新能源車的單車功率器件價值量增長超10倍，其測算至2025年時，新能源車和充電樁相關(guān)的MOSFET和IGBT市場空間有望超300億元。

其次，光伏發(fā)電裝機量的持續(xù)增長亦帶動功率半導(dǎo)體需求的提升。智通財經(jīng)APP了解到，功率半導(dǎo)體是光伏逆變器中的核心器件，能起到提供轉(zhuǎn)換效率、降低系統(tǒng)散熱片尺寸、提高相同電路板上電流密度的作用。民生證券表示，根據(jù)Trend Force預(yù)測，至2025年時光伏逆變器出貨量將達327GW，若功率半導(dǎo)體在光伏逆變器中的成本在9%左右，2025年時光伏逆變器功率半導(dǎo)體的市場空間約為44億。

與此同時，5G時代的四大場景將驅(qū)動功率半導(dǎo)體需求提升。5G基站的更高功率，是對功率器件性能的提升，更密集的基站建設(shè)，為功率半導(dǎo)體的需求打開了空間，據(jù)數(shù)據(jù)顯示，5G基站的數(shù)量將會是4G的2到3倍。毫米波、Massive MIMO等技術(shù)的應(yīng)用也將提升單個基站功率半導(dǎo)體價值。據(jù)英飛凌統(tǒng)計，5G基站中使用的Massive MIMO中，功率半導(dǎo)體價值提升至100美元，是4G時4T4RMIMO的近4倍。且云服務(wù)數(shù)據(jù)中心的擴張，霧計算的應(yīng)用都將為功率半導(dǎo)體帶來增量市場。

此外，以快充和家電為代表的消費電子將帶來功率半導(dǎo)體需求的增長。手機快充的興起使得GaN-MOSFET器件需求大幅增加。據(jù)民生證券測算，至2022年時，全球快充市場空間達986億，快充的功率半導(dǎo)體市場空間為118．32億元。

家電變頻化亦依賴于功率半導(dǎo)體器件，該技術(shù)是通過IGBT、MOSFET，晶閘管等功率半導(dǎo)體改變家電的供電頻率，從而調(diào)節(jié)負載，起到降低功耗，減少損耗的作用。據(jù)英飛凌測算，變頻家電內(nèi)的功率半導(dǎo)體價值量約9．5歐元，提升超12倍，而至2022年時，可變頻家電銷量可達5．85億臺，對應(yīng)變頻家電用功率半導(dǎo)體的市場空間增長432億元。

在四大產(chǎn)業(yè)發(fā)展的帶動下，功率半導(dǎo)體需求有望持續(xù)高漲，而國產(chǎn)替代的滲透則進一步刺激了國內(nèi)市場需求。華西證券認(rèn)為，無論是從產(chǎn)業(yè)鏈成熟的角度還是產(chǎn)品突破的維度，功率半導(dǎo)體板塊是進口替代速度相對較快的領(lǐng)域。而據(jù)東方證券數(shù)據(jù)顯示，在各類功率器件中，國產(chǎn)替代占比均低于50%，有較大成長空間。

三大因素導(dǎo)致供給緊張

而在需求高漲之時，供給端的受限加劇了供需矛盾。華創(chuàng)證券表示，造成供給端受限的原因主要有以下三個方面，其一是海外疫情的持續(xù)影響了全球半導(dǎo)體供給;其二是產(chǎn)能的供需錯配;其三是新產(chǎn)能擴張受限。

東南亞為全球IDM制造和封測的重鎮(zhèn)，在全球十大IDM和封測企業(yè)中，有7家在東南亞設(shè)立工廠。疫情在東南亞的爆發(fā)，勢必由于生產(chǎn)密度和交通的受限而對半導(dǎo)體產(chǎn)品的正常生產(chǎn)造成了影響，從而讓全球半導(dǎo)體供給受限。

與此同時，產(chǎn)能的錯配亦是造成供給不足的原因之一。由于2017-2018年的漲價周期由手機創(chuàng)新等產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)，這導(dǎo)致多攝方案及指紋識別在消費電子領(lǐng)域的快速滲透而消耗了大量的八寸產(chǎn)能。而進入2020年后，由新能源車、光伏、5G建設(shè)、快充及家電變頻等新需求的崛起，產(chǎn)能結(jié)構(gòu)由于未能跟上新需求的變化而導(dǎo)致與主流需求產(chǎn)生錯配。

此外，短期內(nèi)新產(chǎn)能擴張有限是供需失衡的最主要矛盾。據(jù)華創(chuàng)證券數(shù)據(jù)顯示，2018年底時，臺積電時隔15年后再度興建8寸晶圓產(chǎn)能，三星、SK海力士、世界先進等均在同期公布了8寸晶圓擴充計劃。SEMI預(yù)計2019-2022年全球?qū)陆?6座8寸晶圓廠，其中量產(chǎn)的有14座，月產(chǎn)能增加70萬片，但對應(yīng)2019-2022年的復(fù)合增速僅4．5%。由于晶圓擴產(chǎn)周期相對較長，海外廠商建設(shè)周期或在1年以上，即使有玩家欲新建產(chǎn)能，也難以改變1年內(nèi)的供給格局。

受益標(biāo)的簡要解析

通過上述的分析，功率半導(dǎo)體的供需格局已相對明朗，即下游以新能源車、新能源發(fā)電、5G場景、以及以快充和家電為代表的消費電子的四大產(chǎn)業(yè)帶動需求增長，而國產(chǎn)替代的滲透將進一步加快需求提升。供給端短期受海外疫情及供需錯配影響，中期的產(chǎn)能增加則相對有限，這為需求大增下功率半導(dǎo)體開啟新一輪漲價奠定基礎(chǔ)。這也就意味著，相關(guān)受益標(biāo)的有望迎來投資機會，而在港股市場中，華虹半導(dǎo)體、中車電氣時代（03898）、賽晶科技（00580）、中芯國際（00981）等均是受益標(biāo)的。

華虹半導(dǎo)體

華虹半導(dǎo)體是國內(nèi)領(lǐng)先的晶圓代工廠，營收規(guī)模僅次于中芯國際（00981），其專注于特色工藝平臺。據(jù)財報顯示，2020年上半年時，功率分立器件占華虹半導(dǎo)體總收入的37．96%。公司在上海建有3座8英寸晶圓廠，總產(chǎn)能17．8萬片/月，在今年第三季度時，其8英寸晶圓廠的產(chǎn)能利用率高達102%。強勁的市場需求，讓華虹半導(dǎo)體8英寸產(chǎn)能維持高位，且公司可通過調(diào)節(jié)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)提升毛利率水平。

與此同時，12英寸晶圓廠的爬坡亦將為公司貢獻新業(yè)績增量。華虹半導(dǎo)體在無錫建有1座12英寸晶圓廠，目前處于產(chǎn)能爬坡中，2020年底至2021年初有望達到每月4萬片晶圓產(chǎn)能。在“8+12”制程的推動下，華虹半導(dǎo)體有望實現(xiàn)業(yè)績的穩(wěn)步增長。

中車時代電氣

中車時代電氣除傳統(tǒng)的城軌、鐵路業(yè)務(wù)外，還有包括IGBT在內(nèi)的新產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)。該公司的新產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)即以半導(dǎo)體產(chǎn)品聚焦軌道交通、高壓輸配電器和新能源三大領(lǐng)域。2020年上半年時，中車時代電氣的新產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)持續(xù)穩(wěn)步推進。其中，雙極器件業(yè)務(wù)大幅增長，1500A/4500V壓接式IGBT獲得批量訂單，風(fēng)電IGBT批量掛網(wǎng)應(yīng)用;乘用車電驅(qū)動系統(tǒng)既有項目穩(wěn)步推進，產(chǎn)品市場占有率穩(wěn)步提升。且在9月26日時，中車時代電氣副總經(jīng)理余康表示，中國首條8英寸車規(guī)級IGBT芯片生產(chǎn)線下線，產(chǎn)品將陸續(xù)推出。

由此可見，憑借著對軌道交通、高壓輸配電器和新能源領(lǐng)域的持續(xù)滲透，中車時代電氣的IGBT產(chǎn)品已得到市場認(rèn)可。且公司積極布局第三代半導(dǎo)體，6 英寸 SiC 器件生產(chǎn)線已成功通線，實現(xiàn)了碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈貫通。隨著下游需求的持續(xù)增長，其產(chǎn)品有望加速放量，IDM模式的優(yōu)勢也將逐漸凸顯。此外，公司已啟動科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)，或?qū)ζ涔蓛r表現(xiàn)有積極作用。

賽晶科技

賽晶科技是電力電子部件制造及銷售商，其主要業(yè)務(wù)分為輸配電、電氣化交通、工業(yè)及其他三大板塊。2019年時，賽晶科技啟動了IGBT項目，截至目前，該公司已完成了研發(fā)團隊的組建、首款產(chǎn)品的論證和設(shè)計、啟動生產(chǎn)基地建設(shè)等工作。且首款賽晶i20芯片已進入流片階段，應(yīng)用該芯片的首款模組亦進入了樣品封裝測試階段。一旦產(chǎn)品量產(chǎn)，將為該公司帶來新的業(yè)績增量。

值得注意的是，當(dāng)媒體開始報道功率半導(dǎo)體漲價之時，A股、港股中的部分概念股均出現(xiàn)了沖高回落并開始回調(diào)的股價走勢，這是因為埋伏資金對短期盈利的兌現(xiàn)所致。而從當(dāng)前功率半導(dǎo)體的供需情況來看，由于晶圓擴產(chǎn)周期相對較長，一年內(nèi)供給格局改變程度較小，這也就意味著，新一輪漲價周期的起點或已到來。

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