1.1接口差別
NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過地址總線對(duì)NOR Flash進(jìn)行訪問，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。

NAND Flash器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)﹐只能通過I/O接口發(fā)送命令和地址，對(duì)NAND Flash內(nèi)部數(shù)據(jù)進(jìn)行訪問。各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND Flash讀/寫操作采用512或2048字節(jié)的頁。

NOR Flash是并行訪問，Nand Flash是串行訪問，所以相對(duì)來說,前者的速度更快些。

1.2容量和成本
NOR Flash的成本相對(duì)高﹐容量相對(duì)小，常見的有128KB、256KB、1MB、2MB等;優(yōu)點(diǎn)是讀寫數(shù)據(jù)時(shí),不容易出錯(cuò)。所以在應(yīng)用領(lǐng)域方面,NOR Flash比較適合應(yīng)用于存儲(chǔ)少量的代碼。

NAND Flash的單元尺寸幾乎是NOR Flash器件的一半,由于生產(chǎn)過程更為簡(jiǎn)單﹐也就相應(yīng)是的數(shù)據(jù)。。容量比較大,由于價(jià)格便宜,更適合存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)。

1.3可靠性和耐用性
采用內(nèi)存Flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問越定話性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來說,Flash定非常合垃的存儲(chǔ)方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和環(huán)塊處理六個(gè)方面來比較NOR Flash和NANDFIasnu的太擦寫次命(耐用性)在NAND Flash閃行中母不次粘錄十萬次。數(shù)是一百萬次，而NOkFlash.t的你國(guó)優(yōu)勢(shì),典型的NAND Flash除了具有1o:1的塊擦除周期優(yōu)努·典型)NAND Flash塊尺寸要比NOR器件小8倍,每個(gè)NAND Flash塊在給定的時(shí)問內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。

1.4位反轉(zhuǎn)
NAND Flash和NOR Flash都可能發(fā)生比特位反轉(zhuǎn)(但NAND Flash反轉(zhuǎn)的幾率遠(yuǎn)大丁NURrIasn會(huì)有壞塊兩者都必須進(jìn)行ECC操作;NAND Flash云有可能(出廠時(shí)廠家會(huì)對(duì)壞塊做標(biāo)記),在使用過程中也還有j能會(huì)出現(xiàn)新的壞塊,因此NAND Flash驅(qū)動(dòng)必須對(duì)壞塊進(jìn)行管理。

位反轉(zhuǎn)對(duì)于用NAND Flash存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí),必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確保可靠性。壞塊處理NAND Flash器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。NAND Flash器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描來發(fā)現(xiàn)壞塊﹐并將壞塊標(biāo)記為不可用。

1.5易于使用
NAND Flash不能在片內(nèi)運(yùn)行程序,而NOR Flash可以。但目前很多CPU都可以在上電時(shí)以硬件的方式先將NAND Flash的第一個(gè)Block中的內(nèi)容(一般是程序代碼﹐也許不足一個(gè)Block,如2KB大小)自動(dòng)拷貝到RAM中然后再運(yùn)行。因此只要CPU支持,NAND Flash也可以當(dāng)成啟動(dòng)設(shè)備。由于需要I/O接口,NAND Flash要復(fù)雜得多。各種NAND Flash器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND Flash器件時(shí),必須先寫入驅(qū)動(dòng)程序﹐才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。

審核編輯 黃昊宇