（電子發燒友網報道 文/章鷹）12月15日晚間消息，中芯國際披露召開臨時董事會，宣布委任蔣尚義為公司第二類執行董事、董事會副董事長及戰略委員會成員，自12月15日起生效。與此同時，媒體曝出，梁孟松在董事會上提出了辭職，但中芯國際董事長周子學并未當場批準。

12月15日，中芯國際召開臨時董事會，現任聯合CEO梁孟松卻在會中向董事會遞交書面辭呈，中芯國際董事長周子學并未當場核準。這次，中芯國際董事長周子學力邀蔣學義回歸，擔任副董事長，引爆并未事前知情的梁孟松不滿，故而向董事會提出書面辭呈。

中芯國際12月15日晚間公告中指出，董事會表決通過關于委任副董事長、執行董事的議案，其中董事梁孟松博士“無理由”投棄權票。

梁孟松的辭呈中，表示三點看法：

1、目前，中芯國際正面臨著美國的種種打壓，導致先進工藝的發展受到嚴重威脅。我認為，今天這個人事提案必然會關系到公司的前景。

2、他自2017年11月，被任命為聯合首席執行官，帶領團隊完成了從28nm到7nm，共計五個時代的技術開發，這是一般公司需要花費數十年以上的時間才能達成的任務。目前看來，他的短期目標，似乎已經超預期、圓滿的達成了。

3、公司應該對于梁孟松三年來的貢獻給予全面公正的評價，他有接受和申訴的權利。

根據筆者查到的資料顯示，蔣尚義現年74歲，1968年于國立臺灣大學獲電子工程學學士學位，1970年于普林斯頓大學獲電子工程學碩士學位，1974年于斯坦福大學獲電子工程學博士學位。畢業后，曾在德州儀器和惠普公司工作。其后，于1997年返回臺灣，任臺積電研發副總裁。于2013年底退休時，職位是共同首席運營官。在臺積電期間，牽頭了0.25μm、0.18μm、0.15μm、0.13μm、90nm、 65nm、40nm、28nm、20nm及16nm FinFET等關鍵節點的研發，使臺積電的行業地位從技術跟隨者發展為技術引領者。蔣尚義曾于2016年12月20日至2019年6月21日擔任公司獨立非執行董事。

圖：蔣尚義

筆者接到行業內大咖對此事的反饋：

1、中芯國際進入美國政府制定的“與軍事活動有聯系（MEU）的實體清單“后，梁孟松主導的先進工藝FinFET 14/7/5nm已默認無法繼續，只能研發無法量產，無論拜登還是川普都會在此節點封殺設備出口，之前中芯國際大跌已經反映這個預期，中芯國際下修Capex也是下修了這部分先進工藝。

2、中芯國際開啟”南泥灣“：未來中芯國際和全中國都會回歸對90/65/55nm的回爐再造，上上周五中芯國際在確認進入名單后，立馬公告中芯北京+大基金二期+亦莊國投的合資線，就是告訴全市場，去美化FAB正式開始。

3、中國缺5nm和7nm，但是中國更缺90nm、65nm和55nm，現在兆易、匯頂、卓勝微和韋爾等絕大多數fabless都跑在成熟工藝，目前是產能奇缺，中國的缺口巨大，連一顆簡單的驅動芯片都沒人代工。

4、梁孟松完成歷史使命，未來5年是中國大陸底層補短板，配合國產設備+材料，做好90/65/55nm去美化晶圓廠建設，補全短板逐步突破先進工藝。

本文資料來自澎湃新聞和編輯采訪，整合發布。