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三星和臺積電正在爭奪這兩種半導(dǎo)體設(shè)備

璟琰乀 ? 來源:etnews ? 作者:etnews ? 2020-12-17 16:38 ? 次閱讀

除了僅由ASML提供的EUV(極紫外光)光刻系統(tǒng)之外,三星電子和臺積電之間在爭奪超微加工工藝所需設(shè)備的安全方面的競爭也越來越激烈。APMI(光化圖案掩膜檢查)系統(tǒng)和制造掩膜的寫入器就是最好的例子。這些是芯片制造的關(guān)鍵工具,當芯片制程小于5納米時,它們將決定生產(chǎn)率和質(zhì)量。像EUV光刻系統(tǒng)一樣,這兩種儀器也僅由單個制造商提供。

業(yè)內(nèi)人士稱,三星電子和臺積電等全球主要芯片制造商正展開激烈的競爭,以確保超微制造工藝所需的先進設(shè)備比其他競爭者更好。

隨著EUV光刻工藝成為全球半導(dǎo)體行業(yè)制造下一代微芯片的關(guān)鍵工具,確保盡快拿到ASML的EUV光刻系統(tǒng)的競爭已成為一個巨大的話題。ASML是世界上唯一提供每臺價格超過1.37億美元(1500億韓元)的EUV光刻系統(tǒng)的公司。

但是,除了EUV光刻系統(tǒng)以外,還有其他先進的系統(tǒng),由于缺乏供應(yīng)商而難以購買。主要包括基于電子束的寫入器,該寫入器將電路布局打印到EUV掩模上,并且檢查系統(tǒng)可檢查EUV掩模是否可用。

電子束寫入器扮演“畫筆”角色,將集成電路布圖印刷到掩模上,這對于在光刻過程中將集成電路布圖印刷到晶圓上是絕對必要的。由日本的NuFlare制造的電子束寫入器目前用于基于ArF的光刻工藝。

但是,NuFlare的電子束編寫器很難在EUV環(huán)境下充分發(fā)揮其潛力。EUV光刻工藝要求在單個掩模中快速印刷各種精細的集成電路,而NuFlare的具有單個E束以印刷掩模圖形的單束方法會大大降低生產(chǎn)率。

目前,出現(xiàn)了一種基于多光束的新解決方案,該方法在240,000個密集排列的電子束同時移動時繪制圖案。據(jù)報道,該方法的生產(chǎn)率比單束方法快得多,該方法被認為非常先進。

EUV掩模的高科技檢查系統(tǒng)也吸引了人們的注意力,因為它能夠檢查基于復(fù)雜結(jié)構(gòu)的EUV掩模,比目前使用ArF光源的檢查系統(tǒng)更精確,更緊密。這個新的檢查系統(tǒng)在將掩模引入生產(chǎn)線之前和之后進行檢查。業(yè)界將此系統(tǒng)稱為APMI系統(tǒng)。

問題在于,像EUV光刻系統(tǒng)一樣,多光束寫入器和APMI系統(tǒng)也都是由單個公司制造的。奧地利的IMS和日本的Lasertec是世界上唯一分別提供多光束記錄器和EUV掩模檢測系統(tǒng)的公司。

據(jù)報道,他們的年生產(chǎn)能力甚至沒有達到10個單位。這種能力遠遠低于ASML的能力,后者每年生產(chǎn)35至40臺EUV***。

結(jié)果,對于半導(dǎo)體制造商而言,要為基于EUV的工藝(低于5納米)建立大規(guī)模生產(chǎn)系統(tǒng),以確保生產(chǎn)率和質(zhì)量,但又很可能無法及時確保這些系統(tǒng)正常運行,成為了一個困擾它們的難題。

三星電子和臺積電正在尋求實施超微制造工藝,因此它們有望成為首家購買此類系統(tǒng)的公司,并展開激烈的競爭。據(jù)報道,臺積電近來一直在積極提高其與基于EUV的5納米工藝相關(guān)的生產(chǎn)能力,在嘗試提前購買此類系統(tǒng)方面非常積極。

“最近,ASML的EUV光刻系統(tǒng)的生產(chǎn)能力已經(jīng)優(yōu)于寫入器和APMI系統(tǒng)。” 一位業(yè)內(nèi)專家說。“就像日本政府早就開始投資Lasertec,并在幫助Lasertec開發(fā)下一代半導(dǎo)體設(shè)備中發(fā)揮了重要作用一樣,韓國政府也必須積極推動下一代半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)的發(fā)展。”

責任編輯:haq

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