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惠普實(shí)驗(yàn)室發(fā)明首臺(tái)憶阻器激光器

IEEE電氣電子工程師 ? 來源:IEEE電氣電子工程師學(xué)會(huì) ? 作者:IEEE電氣電子工程師 ? 2021-01-11 09:31 ? 次閱讀

日,惠普實(shí)驗(yàn)室(Hewlett-Packard Labs)的研究人員光子學(xué)研究小組的技術(shù)突破顯示,他們發(fā)明了一種新型的憶阻器激光器。這是一種激光,它的波長可以通過電子方式移動(dòng),而且獨(dú)特的是,憶阻器是將存儲(chǔ)器存儲(chǔ)為電阻值的器件。施加電壓會(huì)改變電阻,即使關(guān)閉設(shè)備電源,該值也會(huì)保持不變。在IEEE International Electron Device會(huì)議上,研究人員提出,除了簡化處理器間數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓庾?a target="_blank">收發(fā)器外,新設(shè)備還可以形成超高效的腦激勵(lì)光子電路的組件。

不同顏色的光可以同時(shí)通過光纖和其他波導(dǎo),因此可以調(diào)整波長的光子收發(fā)器將導(dǎo)致計(jì)算機(jī)和最終處理器之間的更高帶寬連接。半導(dǎo)體激光器發(fā)光的波長可以通過加熱器件或通過器件結(jié)構(gòu)中特定種類的電荷積累而改變。然而,這兩種現(xiàn)象都需要能量。

Illustration:Hewlett Packard Labs

The hybrid silicon MOS microring laser is made by bonding a compound semiconductor wafer to a silicon wafer. The oxide at the interface is part of what gives the device have memristor properties.

另外,憶阻器是將存儲(chǔ)器存儲(chǔ)為電阻的裝置。正確的電壓信號(hào)可以改變電阻,即使電源關(guān)閉,電阻也會(huì)保持不變。

HPE實(shí)驗(yàn)室的研究員Bassem Tossoun想知道是否能制造出一種像憶阻器一樣存儲(chǔ)頻率的激光器。事實(shí)證明,這不僅是可能的,而且HPE在不知不覺中已經(jīng)構(gòu)建了這樣一個(gè)設(shè)備。Tossoun開始探索的時(shí)候,他只是嘗試在他的同事、資深研究科學(xué)家Di Liang開發(fā)的兩種設(shè)備上進(jìn)行實(shí)驗(yàn),這兩種設(shè)備被稱為混合硅MOS微環(huán)調(diào)制器和混合硅MOS微環(huán)激光器。

兩者都是多層結(jié)構(gòu),基本上由同心環(huán)組成,同心環(huán)形成一個(gè)半導(dǎo)體激光器,其中嵌入一個(gè)氧化物基電容器。通過控制電容器上的電壓,不同數(shù)量的電荷在那里積累。這改變了設(shè)備的光學(xué)模式指數(shù),即當(dāng)相位光沿波導(dǎo)傳播時(shí),會(huì)經(jīng)歷多少延遲,從而改變發(fā)射光的波長。

“如果我們施加足夠的電壓偏置,(微環(huán)器件)能像記憶器件一樣切換嗎?Tossoun問道,而回答是肯定的,“實(shí)際上,我們一直在制造這些憶阻器,但之前并不知道。”

弄清楚它為什么起作用需要更多的努力。憶阻器通常是兩個(gè)金屬電極,中間夾著一小塊絕緣體,如氧化鈦。在自然狀態(tài)下,通過絕緣體的電阻很高。但有了足夠的電壓,絕緣體中的氧原子就會(huì)電離,遷移到電極上,留下導(dǎo)電絲,降低電阻。這是一個(gè)可逆的過程,當(dāng)然,轉(zhuǎn)換電壓會(huì)驅(qū)動(dòng)離子回到原來的位置,并消除傳導(dǎo)路徑。

Image: Hewlett Packard Labs

When the laser is in its low-resistance state, heat shifts its output to a longer wavelength.

實(shí)驗(yàn)和模擬顯示,當(dāng)器件處于低電阻狀態(tài)時(shí),它會(huì)加熱,延長(紅移)輸出光的波長。當(dāng)它處于高電阻狀態(tài)時(shí),電荷載流子會(huì)聚集在縮短(藍(lán)移)器件波長的氧化物周圍。(我們已經(jīng)知道,在關(guān)閉狀態(tài)下進(jìn)一步提高電壓可以進(jìn)一步將微環(huán)激光器推向藍(lán)色,使波長偏移是其他方法的10億分之一。)在Tossoun使用的設(shè)備中,這種切換發(fā)生在75納秒左右,但只發(fā)生在1納米左右的波長上。

現(xiàn)在確定憶阻器激光器將扮演什么角色還為時(shí)過早,Tossoun表示,該小組正在探索用它們?cè)O(shè)計(jì)神經(jīng)形態(tài)的光學(xué)電路。“從長遠(yuǎn)來看,對(duì)于我們的宏偉前景來說,現(xiàn)在已經(jīng)有了構(gòu)建一個(gè)集成內(nèi)存、計(jì)算和高速光互連的系統(tǒng)的基石 -- 這是我們第一次將所有這些集成在同一個(gè)芯片上,”Liang說。因此,憶阻器激光組件開辟了一個(gè)新領(lǐng)域,將我們的能力從光學(xué)通信擴(kuò)展到光學(xué)和神經(jīng)形態(tài)計(jì)算以及其他領(lǐng)域。

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:HPE發(fā)明首臺(tái)憶阻器激光器

文章出處:【微信公眾號(hào):IEEE電氣電子工程師學(xué)會(huì)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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原文標(biāo)題:HPE發(fā)明首臺(tái)憶阻器激光器

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