2021中國半導體投資聯(lián)盟年會暨中國IC 風云榜頒獎典禮在北京舉辦。英諾賽科（珠海）科技有限公司（簡稱：英諾賽科）榮獲2021中國IC風云榜“年度獨角獸獎”。

英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)。英諾賽科采用IDM模式，集研發(fā)、設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析為一體，成功打造硅基氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈平臺。2017年11月率先建成8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線，產(chǎn)品涵蓋30-900V功率半導體器件，IC及射頻器件。

英諾賽科30V-650V硅基氮化鎵系列芯片產(chǎn)品已陸續(xù)推出并實現(xiàn)量產(chǎn)，為世界上唯一能夠同時量產(chǎn)低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的企業(yè)。

破局

英諾賽科CFO鐘山在接受集微網(wǎng)采訪時表示，2020年是氮化鎵關注度迅速升溫的一年。在小米10系列發(fā)布會上，氮化鎵快充充電器的亮相迅速吸引市場的注意，往后國內(nèi)對于氮化鎵的關注度猛增，甚至包括中國的A股市場也出現(xiàn)所謂的氮化鎵概念股等。

這在一定程度上也解惑了此前投資機構做調(diào)研時的疑慮，即氮化鎵何時才會爆發(fā)？

鐘山指出，氮化鎵進入快充等消費市場是邁好了第一步，但絕不是氮化鎵唯一有意義的應用場景，低壓的應用前景將更為廣闊，諸如數(shù)據(jù)中心服務器、人工智能服務器的DC-DC相關器件已在逐步量產(chǎn)，業(yè)內(nèi)普遍感知，無論是在消費端還是在工業(yè)端，氮化鎵都已打開了局面。此外，有很多從業(yè)人員也將目光聚焦在了氮化鎵這一領域，特別是一些下游廠商都在積極招兵買馬，收編對氮化鎵器件有一定經(jīng)驗和了解的工程師，幫助公司提供相應的解決方案。而相應的，氮化鎵領域的從業(yè)人員也比以往多很多。

據(jù)了解，英諾賽科與浪潮、小米、OPPO、比亞迪、禾賽科技、安森美、MPS 等國內(nèi)外廠商開展深入合作，功率芯片和射頻芯片的應用開發(fā)。

基于公司氮化鎵高壓芯片的大功率、小型化手機快充已經(jīng)全面推向市場，英諾賽科成為中國唯一一家提供氮化鎵快充芯片的企業(yè)，打破了美國公司氮化鎵快充芯片在該領域的壟斷局面，公司“InnoGaN”氮化鎵功率器件產(chǎn)品在2020年4季度出貨已達數(shù)百萬顆。

英諾賽科低壓氮化鎵產(chǎn)品已取代美國EPC 公司產(chǎn)品，成為中國領先的激光雷達企業(yè)禾賽科技的供應商，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

此外，英諾賽科已成功開發(fā)出應用于數(shù)據(jù)中心的低壓氮化鎵電源管理芯片產(chǎn)品，可取代原有硅器件，大幅度提升系統(tǒng)效率，降低能耗及運營成本。

“疫情” “缺貨”

2020年是屬于氮化鎵火熱的一年，但對于半導體企業(yè)或是整個科技業(yè)而言，2020開年和末尾都給心頭澆了三把急迫的“火”。

開年疫情的影響，全球物流運輸停擺，人員因各國、各地的疫情防控措施的限制，返工困難，入境難上加難，對于英諾賽科這樣擁有晶圓廠的IDM企業(yè)而言如臨大敵。

鐘山表示，2020年上半年對業(yè)界總體而言是比較糟糕的，國內(nèi)外疫情的爆發(fā)有著“時差”。國內(nèi)疫情嚴重時難以去國外驗收貴重的設備，國外疫情嚴重時，海外專業(yè)人員無法入境，這種“時差”對裝機等方面帶來了不小的阻力。

在面對巨大困難時，英諾賽科也沒有停滯原本的計劃。

鐘山表示，在股東和國家省、市各級領導政府的幫助下，通過幾個月的申請，將規(guī)模較大的海外工程師團隊申請入境，進行調(diào)試和安裝，最終將既定目標達成。在此過程中，公司各職能部門都表現(xiàn)出極高專業(yè)素養(yǎng)，積極落實抗疫管控政策，讓公司的運營有條不紊的繼續(xù)下去。

另一方面，團隊在戰(zhàn)略布局上非常堅定，對氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展充滿了信心，因而在疫情穩(wěn)定后，加快蘇州工廠的建設，把原來一季度損失的建設時間搶回來，為公司未來發(fā)展奠定了堅實的基礎。

對于缺貨問題，鐘山指出，英諾賽科一直在按照既定戰(zhàn)略發(fā)展，對于缺貨問題也會持續(xù)關注，今年一季度開始會繼續(xù)加快發(fā)展步伐，盡最大的可能預測市場和行業(yè)的發(fā)展，然后提早做好產(chǎn)能規(guī)劃、設備的部署等。

國產(chǎn)化熱潮下的2021

從美國將魔抓伸向中國科技業(yè)開始，“國產(chǎn)化”的花朵便開滿了半導體業(yè)的這片山頭，無論是國家還是投資機構都成為了辛勤的園丁。

鐘山表示，國內(nèi)整體的行業(yè)環(huán)境近兩年確實比從前要好很多，對于半導體業(yè)而言這是一個很好的機遇。

作為一個IDM企業(yè)，面對國產(chǎn)化替代的時代機遇，鐘山認為有三點需要抓緊。

第一，自身的產(chǎn)品研發(fā)和量產(chǎn)是企業(yè)根本。過去國產(chǎn)產(chǎn)品連送樣的機會都不多，而現(xiàn)在許多客戶愿意去嘗試，在這種情況下需保證自己的產(chǎn)品質(zhì)量和創(chuàng)新能力，打鐵還需自身硬。

第二，加快合作。通過與上下游廠商的合作，進一步優(yōu)化產(chǎn)品設計、制造工藝，完善生態(tài)鏈建設

第三，加快公司發(fā)展。利用良好的市場環(huán)境，加快融資步伐，獲得快速發(fā)展，夯實基礎。

鐘山強調(diào)，國產(chǎn)替代不能簡單的去做低端產(chǎn)品的復制，要瞄準國外的競爭對手，在現(xiàn)有產(chǎn)品或是更新的領域上做突破，做自主創(chuàng)新。而在硅基氮化鎵這個細分領域我們完全有能力和機會引領行業(yè)發(fā)展。

展望2021年，鐘山表示，英諾賽科將繼續(xù)擴大已有量產(chǎn)產(chǎn)品在各個領域的出貨量，進一步擁抱市場，獲得市場認可。產(chǎn)品方面，高壓硅基氮化鎵芯片系列以快充為主，低壓芯片系列將有重磅產(chǎn)品會發(fā)布。

無論從技術的發(fā)展趨勢、市場應用還是國家政策導向層面，第三代半導體氮化鎵具有十分廣闊的市場前景。且中國作為全球最大的半導體消費市場，在市場風口到來、產(chǎn)業(yè)火熱加碼布局等利好因素加持下，國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在進擊前行。隨著相關企業(yè)持續(xù)擴增產(chǎn)能、降低生產(chǎn)成本、提高產(chǎn)品可靠性，國產(chǎn)第三代半導體器件在下游應用市場的滲透率將日漸提升，并實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

英諾賽科將一如既往堅持創(chuàng)新研發(fā)，除了消費電子產(chǎn)品以外，還將加快開發(fā)適用于5G通信、數(shù)據(jù)中心等新型基礎設施的芯片和解決方案，為“新基建”注入新動能，以創(chuàng)新驅動發(fā)展助力中國“芯”突破，在龐大的半導體產(chǎn)業(yè)中實現(xiàn)對進口技術和產(chǎn)品的替代，讓中國成為第三代半導體硅基氮化鎵制造的世界第一。
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