半導體激光器的發展史

半導體激光器又稱激光二極管（LD）。隨著半導體物理的發展，人們早在20世紀50年代就設想發明半導體激光器。

20世紀60年代初期的半導體激光器是同質結型激光器，是一種只能以脈沖形式工作的半導體激光器。在1962年7月召開的固體器件研究國際會議上，美國麻省理工學院林肯實驗室的兩名學者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）報告了砷化鎵材料的光發射現象。

半導體激光器發展的第二階段是異質結構半導體激光器，它是由兩種不同帶隙的半導體材料薄層，如GaAs，GaAlAs所組成的激光器。單異質結注人型激光器（SHLD），它是利用異質結提供的勢壘把注入電子限制在GaAsP-N結的P區之內，以此來降低閥值電流密度的激光器。

1970年，人們又發明了激光波長為9000?在室溫下連續工作的雙異質結GaAs-GaAlAs（砷化稼一稼鋁砷）激光器。在半導體激光器件中，目前比較成熟、性能較好、應用較廣的是具有雙異質結構的電注人式GaAs二極管激光器。

從20世紀70年代末開始，半導體激光器明顯向著兩個方向發展，一類是以傳遞信息為目的的信息型激光器;另一類是以提高光功率為目的的功率型激光器。在泵浦固體激光器等應用的推動下，高功率半導體激光器（連續輸出功率在100W以上，脈沖輸出功率在5W以上，均可稱之謂高功率半導體激光器）在20世紀90年代取得了突破性進展，其標志是半導體激光器的輸出功率顯著增加，國外千瓦級的高功率半導體激光器已經商品化，國內樣品器件輸出已達到600W。另外，還有高功率無鋁激光器、紅外半導體激光器和量子級聯激光器等等。其中，可調諧半導體激光器是通過外加的電場、磁場、溫度、壓力、摻雜盆等改變激光的波長，可以很方便地對輸出光束進行調制。

20世紀90年代末，面發射激光器和垂直腔面發射激光器得到了迅速的發展。

目前，垂直腔面發射激光器已用于千兆位以太網的高速網絡，為了滿足21世紀信息傳輸寬帶化、信息處理高速化、信息存儲大容量以及軍用裝備小型、高精度化等需要，半導體激光器的發展趨勢主要是向高速寬帶LD、大功率LD，短波長LD，盆子線和量子點激光器、中紅外LD等方面發展。

半導體激光的波長是多少

如果是光通信的研究，一般用的多的半導體激光器的波長是1550nm波段的，其次是1310nm，也有其他的如，850nm和980nm等等。 半導體激光器的常用參數可分為：波長、閾值電流Ith 、工作電流Iop 、垂直發散角 、水平發散角 ∥、監控電流Im。

（1）波長：即激光管工作波長，可作光電開關用的激光管波長有635nm、650nm、670nm、激光二極管690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。

（2）閾值電流Ith ：即激光管開始產生激光振蕩的電流，對一般小功率激光管而言，其值約在數十毫安，具有應變多量子阱結構的激光管閾值電流可低至10mA以下。

（3）工作電流Iop ：即激光管達到額定輸出功率時的驅動電流，此值對于設計調試激光驅動電路較重要。

（4）垂直發散角 ：激光二極管的發光帶在垂直PN結方向張開的角度，一般在15~40左右。

（5）水平發散角 ∥：激光二極管的發光帶在與PN結平行方向所張開的角度，一般在6~ 10左右。

（6）監控電流Im ：即激光管在額定輸出功率時，在PIN管上流過的電流。

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