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關(guān)于MLCC陶瓷電容詳解,簡單易懂

電子工程師 ? 來源:IT的樂園 ? 作者:女生的網(wǎng)名這么多 ? 2021-03-10 01:13 ? 次閱讀

1、前言

電子元器件之一電容種類繁多,而陶瓷電容是用得最多種類,沒有之一,因此硬件工程師必須熟練的掌握其特性。

作為一個工作多年的硬件工程師,筆者結(jié)合自身經(jīng)驗,通過查閱各種資料,針對硬件設(shè)計需要掌握的重點及難點,總結(jié)了此文檔。通過寫文檔,目的是能夠使自己的知識更具有系統(tǒng)性,溫故而知新,同時也希望對讀者有所幫助,大家一起學(xué)習(xí)和進步。

2、電容的定義

2.1 電容的本質(zhì)

兩個相互靠近的導(dǎo)體,中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì),這就構(gòu)成了電容器。當電容器的兩個極板之間加上電壓時,電容器就會儲存電荷。

20210309141950677.gif

2.2 電容量的大小

電容器的電容量在數(shù)值上等于一個導(dǎo)電極板上的電荷量與兩個極板之間的電壓之比。電容器的電容量的基本單位是法拉(F)。在電路圖中通常用字母C表示電容元件。

電容量的大小公式:

20210309141950348.gif

:兩極板間介質(zhì)的介電常數(shù)

S:兩極板間的正對面積

k:靜電常數(shù),等于k=8.987551×10^9N·m^2/C^2

d:兩極板間的距離

化簡后的公式是:

20210309141950687.gif

想使電容容量大,有三種方法:

①使用介電常數(shù)高的介質(zhì)

②增大極板間的面積

③減小極板間的距離。

3、MLCC陶瓷電容物理結(jié)構(gòu)

MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors)是片式多層陶瓷電容器英文縮寫。是由印好電極(內(nèi)電極)的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來,經(jīng)過一次性高溫燒結(jié)形成陶瓷芯片,再在芯片的兩端封上金屬層(外電極),從而形成一個類似獨石的結(jié)構(gòu)體,故也叫獨石電容器。

可以看到,內(nèi)部電極通過一層層疊起來,來增大電容兩極板的面積,從而增大電容量。

陶瓷介質(zhì)即為內(nèi)部填充介質(zhì),不同的介質(zhì)做成的電容器的特性不同,有容量大的,有溫度特性好的,有頻率特性好的等等,這也是為什么陶瓷電容有這么多種類的原因。

4、陶瓷電容的基本參數(shù)

4.1 電容的單位

電容的基本單位是:F(法),此外還有μF(微法)、nF、pF(皮法),由于電容F的容量非常大,所以我們看到的一般都是μF、nF、pF的單位,而不是F的單位。

它們之間的具體換算如下:

1F=1000000μF

1μF=1000nF=1000 000pF

4.2 電容容量

常用陶瓷電容容量范圍:0.5pF~100uF。

實際生產(chǎn)的電容的陶瓷容量值也是離散的,常用電容容量如下表:

202103091419507.gif

陶瓷電容容量從0.5pF起步,可以做到100uF,并且根據(jù)電容封裝(尺寸)的不同,容量也會不同。

選購電容器不能一味的選擇大容量,選擇合適的才是正確的,例如0402電容可以做到10uF/10V,0805的電容可以做到47uF/10V,但是為了好采購、成本低,一般都不會頂格選電容。

一般推薦0402選4.7uF-6.3V,0603選22uF/6.3,0805選47uF/6.3V,其它更高耐壓需要對應(yīng)降低容量。

滿足要求的情況下,選擇主要就看是否常用,價格是否低廉。

4.3 額定電壓

陶瓷電容常見的額定電壓有:2.5V、4V、6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、200V、250V、450V、500V、630V、1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV等等。

4.4 電容類型

同介質(zhì)種類由于它的主要極化類型不一樣,其對電場變化的響應(yīng)速度和極化率亦不一樣。在相同的體積下的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。介質(zhì)材料劃按容量的溫度穩(wěn)定性可以分為兩類,即Ⅰ類陶瓷電容器和Ⅱ類陶瓷電容器, NPO屬于Ⅰ類陶瓷,而其他的X7R、X5R、Y5V、Z5U等都屬于Ⅱ類陶瓷。

MLCC陶瓷電容主要分為2大類:高節(jié)介電常數(shù)型和溫度補償型

20210309141950980.gif

國內(nèi):風華FH、宇陽科技EYANG、信昌電陶PSA、三環(huán)CCTC等等。村田muRata、松下PANASONIC、三星SAMSUNG、太誘TAIYO YUDEN、TDK、威世VISHAY、國巨YAGEO等等。4.5

5、陶瓷電容的特點

5.1 電容實際電路模型

電容作為基本元器件之一,實際生產(chǎn)的電容都不是理想的,會有寄生電感,等效串聯(lián)電阻存在,同時因為電容兩極板間的介質(zhì)不是絕對絕緣的,因此存在數(shù)值較大的絕緣電阻。

所以,實際的電容模型等下如下圖:

20210309141950473.gif

5.2 阻抗-頻率特性

根據(jù)上述電容模型,我們可以得到電容的復(fù)阻抗公式:

20210309141950538.gif

實際陶瓷電容的絕緣電阻時非常大的,是兆歐姆級別的,所以R遠大于,所以簡化公式為:

20210309141951725.gif

其中為容抗,為感抗,為等效串聯(lián)電阻。很容易看出,在頻率比較低(比較小)的時候,容抗遠大于感抗,電容主要成容性,在頻率比較高的時候,電容主要呈感性。

而當,即諧振的時候,阻抗等于等效串聯(lián)電阻,此時阻抗達到最小值,如果是用來濾波的話,此時效果最好。

某村田10uF電容的阻抗頻率曲線如下圖:

注意,這個坐標系是對數(shù)坐標系,縱軸為復(fù)阻抗的模。

5.3 諧振頻率

從上小節(jié)可知,電容在諧振頻率處阻抗最低,濾波效果最好,那么各種規(guī)格的電容的諧振頻率是多少呢?

下圖是村田常用電容的諧振頻率表:

20210309141951117.gif

頻率曲線如下圖:

5.4 等效串聯(lián)電阻ESR

從上小節(jié)可以看出,陶瓷的等效串聯(lián)電阻并不是恒定的,它是跟頻率有很大的關(guān)系。上述10uF電容在100hz的時候,ESR是3Ω,在700Khz的時候達到最小,ESR是3mΩ,相差了1000倍,是非常大的。

我們非常關(guān)心陶瓷電容的ESR到底是多大,特別用在開關(guān)電源的時候,需要用來計算紋波的大小。那么各中電容型號的ESR是多少呢?

下圖為村田普通電容的ESR表。

20210309141951209.gif

ES頻率曲線如下圖:

5.5 精度大小

相對于電阻的精度來說,電容的精度要低很多,以下是一般電容的精度。

同一類型的電容精度一般廠家會生產(chǎn)2~4種精度的檔次共選擇。

5.6溫度特性

不同類型的電容的工作溫度范圍是不同的、并且其容量隨溫度的變化也不同,相差非常大,如下表

在設(shè)計電路的時候,需要考慮不同電容的溫度系數(shù),按照使用場景選擇符合要求的電容。在一些對電容容量由要求的地方,就不能選擇Y或者Z系列的電容。

5.7直流偏壓特性

陶瓷電容的另外一個特性是其直流偏壓特性。

對于在陶瓷電容器中又被分類為高誘電率系列的電容器(X5R、X7R特性),由于施加直流電壓,其靜電容量有時會不同于標稱值,因此應(yīng)特別注意。

例如,如下圖所示,對高介電常數(shù)電容器施加的直流電壓越大,其實際靜電容量越低。

容值越高的電容,直流偏壓特性越明顯,如47uF-6.3V-X5R的電容,在6.3V電壓處,電容量只有其標稱值的15%左右,而100nF-6.3V-X5R的電容容值為其標稱值的,如下圖。

那么,DC偏壓特性的原理是怎樣的呢?

陶瓷電容器中的高誘電率系列電容器,現(xiàn)在主要使用以BaTiO3 (鈦酸鋇) 作為主要成分的電介質(zhì)。

BaTiO3具有如下圖所示的鈣鈦礦(perovskite)形的晶體結(jié)構(gòu),在居里溫度以上時,為立方晶體(cubic),Ba2+離子位于頂點,O2-離子位于表面中心,Ti4+離子位于立方體中心的位置。

上圖是在居里溫度(約125℃)以上時的立方晶體(cubic)的晶體結(jié)構(gòu),在此溫度以下的常溫領(lǐng)域,向一個軸(C軸)延長,其他軸略微縮短的正方體(tetragonal)晶體結(jié)構(gòu)。

此時,作為Ti4+離子在結(jié)晶單位的延長方向上發(fā)生了偏移的結(jié)果,產(chǎn)生極化,不過,這個極化即使在沒有外部電場或電壓的情況下也會產(chǎn)生,因此,稱為自發(fā)極化(spontaneous polarization)。像這樣,具有自發(fā)極化,而且可以根據(jù)外部電場轉(zhuǎn)變自發(fā)極化的朝向的特性,被稱為強誘電型(ferro electricity)。

與單位體積內(nèi)的自發(fā)極化的相轉(zhuǎn)變相同的是電容率,可視為靜電容量進行觀測。

當沒有外加直流電壓時,自發(fā)極化為隨機取向狀態(tài),但當從外部施加直流電壓時,由于電介質(zhì)中的自發(fā)極化受到電場方向的束縛,因此不易發(fā)生自發(fā)極化時的自由相轉(zhuǎn)變。其結(jié)果導(dǎo)致,得到的靜電容量較施加偏壓前低。

這就是當施加了直流電壓后,靜電容量降低的原理。

此外,對于溫度補償用電容器 (CH、C0G特性等) ,以常誘電性陶瓷作為主要原料,靜電容量不因直流電壓特性而發(fā)生變化。

5.8 漏電流和絕緣電阻

陶瓷電容絕緣電阻比較大,漏電流小。

絕緣電阻主要與容量有關(guān),容量越大,漏電流越大,下面列出村田的幾種普通電容的絕緣電阻表格,可供參考。

盡管陶瓷電容的漏電流不大,但是大電容的電容量也達到了微安級別,如果是做超低功耗的產(chǎn)品的話,也需要好好選擇一些絕緣電阻大的電容

6、常見問題

6.1 機械應(yīng)力導(dǎo)致電容失效

陶瓷電容最坑的失效就是短路了,一旦陶瓷電容短路,產(chǎn)品無法正常使用,危害非常大,那么造成短路失效的原因是什么呢?

答案是機械應(yīng)力、機械應(yīng)力會產(chǎn)生裂紋,從而是電容容量變小或者是短路。

為什么會產(chǎn)生扭曲裂紋呢?這是由于貼片是焊接在電路板上的。對電路板施加過大的機械力、使得電路板彎曲或老化,從而產(chǎn)生了扭曲裂紋。

扭曲裂紋從下面的外部電極的一端延伸到上面的外部電極的話,容量就會下降,使得電路呈現(xiàn)出開路狀態(tài)(開放)。因此,即使裂紋不是十分嚴重,如果到達貼片內(nèi)部電極,焊劑中的有機酸和濕氣會通過裂紋的縫隙侵入,導(dǎo)致絕緣電阻性能降低。另外,電壓負荷會變高,電流的流量過大時,最糟糕的情況會導(dǎo)致短路。

一旦出現(xiàn)了扭曲裂紋,是很難從外面將其去除的,因此為了防止裂紋的產(chǎn)生,應(yīng)當控制不要施加過大的機械力。

一般電容封裝越大,越容易產(chǎn)生機械應(yīng)力失效。

6.1.2 機械應(yīng)力行為

那么,常見會出現(xiàn)應(yīng)力的行為有哪些呢?

①貼片原因:貼片機拾取電容力度過大,施力點不在中心,電容不平都可能碰壞電容。

②過量焊錫:當溫度變化時,過度的焊錫在貼片電容器上面產(chǎn)生很高的張力,從而是電容器斷裂,焊錫不足時又會使電容器從PCB上剝離。

③PCB彎曲:焊接到PCB板上后,PCB彎曲,拉動瓷片電容,過應(yīng)力后損壞。

④跌落、碰撞:PCB/成品跌落導(dǎo)致振動或變形,使電容受到機械應(yīng)力。

⑤手工焊接:突然加熱或冷卻導(dǎo)致張力比較大(解決辦法是先預(yù)熱)

6.1.3 PCB設(shè)計注意事項

電容放置方向平行于PCB彎曲方向,放置位置遠離PCB大形變位置。避免電容在長邊受力,如下圖,右邊的電容擺放就就左邊要好。

20210309141952432.gif

下圖PCB拼板,受力大小是:A》B、A》B、A》C、A》D

20210309141952640.gif

電容也需要遠離螺絲孔、減小應(yīng)力。

2021030914195250.gif

6.2 嘯叫

一般溫度特性為X5R/B,X7R/R的高介電常數(shù)陶瓷電容器中,電介質(zhì)材料使用強介電性的鈦酸鋇系的陶瓷,具有壓電效應(yīng)。

在施加交流電壓時,獨石陶瓷電容器貼片會發(fā)生疊層方向伸縮。因此電路板也會平行方向伸縮,而因電路板的振動而產(chǎn)生了噪聲。貼片及電路板的振幅僅為1pm~1nm左右,但發(fā)出的聲響卻十分大。

其實幾乎無法聽到電容器本身發(fā)出的噪聲,但將其安裝于電路板后振動會隨之增強,振幅的周期也達到了人耳能夠聽到的頻率帶(20Hz~20kHz),所以聲音可通過人耳進行識別。例如可聽到“ji----”、“ki----”“pi----”等聲響。

陶瓷電容器的“嘯叫”現(xiàn)象,其振動變化僅為1pm~1nm左右,為壓電應(yīng)用產(chǎn)品的1/10至幾十分之一,非常之小,因此我們可以判斷這種現(xiàn)象對獨石陶瓷電容器本身及周圍元器件產(chǎn)生的影響,不存在可靠性問題。
編輯:lyn

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