近年來，手機(jī)快充的普及給人們工作和生活帶來了極大的方便，它可以大為減少便攜式電子設(shè)備的充電時(shí)間，提高人們工作和生活的效率。但隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展以及人們生活節(jié)奏的不斷加快，更快充電速度、更小體積的充電器逐漸成為人們的一種新需求。為了適應(yīng)這種需求，亞成微電子在近日推出了采用3D封裝技術(shù)的高集成度電源管理解決方案，這是一種全新的解決方案，該系列芯片集成PWM控制器、MOS、MOS驅(qū)動(dòng)器以及高壓啟動(dòng)管，最大輸出功率120W，具有高效率、高導(dǎo)熱率、高通流、高雪崩耐量等特點(diǎn)。可有效幫助快充電源廠商實(shí)現(xiàn)更小體積、更大功率快充產(chǎn)品的量產(chǎn)并節(jié)省物料成本。

4合1

高集成電源芯片RM6620DS

功能特點(diǎn)

■支持CCM/QR混合模式

■內(nèi)置700V高壓啟動(dòng)

■集成X-CAP放電功能

■內(nèi)置650V 超結(jié)MOSFET

■專有的分段驅(qū)動(dòng)技術(shù)，搭配超結(jié)MOSFET改善EMI設(shè)計(jì)

■支持最大130KHz工作頻率

■內(nèi)置特有抖頻技術(shù)改善EMI

■Burst Mode去噪音

■低啟動(dòng)電流（2uA），低工作電流

■集成斜坡補(bǔ)償及高低壓功率補(bǔ)償

■集成AC輸入Brown out/in功能

■外置OVP保護(hù)

■具有輸出肖特基短路保護(hù)/CS短路保護(hù)

■內(nèi)置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護(hù)

原理圖

氮化鎵（GaN）方案

3合1

高集成電源芯片RM6801SQ

功能特點(diǎn)

■支持CCM/QR混合模式

■專有ZVS技術(shù)

■內(nèi)置700V高壓啟動(dòng)

■專有驅(qū)動(dòng)技術(shù)，易于搭配E-mode GaN功率器件改善EMI設(shè)計(jì)

■集成X-CAP放電功能

■支持最大130KHz工作頻率

■內(nèi)置特有抖頻技術(shù)改善EMI

■Burst Mode去噪音

■低啟動(dòng)電流（2uA），低工作電流

■集成斜坡補(bǔ)償及ZVS高低壓補(bǔ)償

■集成AC輸入Brown out/in功能

■外置OVP保護(hù)

■具有輸出肖特基短路保護(hù)/CS短路保護(hù)

■內(nèi)置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護(hù)

原理圖

產(chǎn)品系列

原文標(biāo)題：支持120W快充｜亞成微推出3D封裝技術(shù)高集成電源芯片，助力大功率、高密度快充量產(chǎn)

文章出處：【微信公眾號(hào)：亞成微電子】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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