關于MOSFET參數的詳細圖解
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
150文章
8341瀏覽量
218834 -
參數
+關注
關注
11文章
1867瀏覽量
32887 -
熱阻
+關注
關注
1文章
113瀏覽量
16777
原文標題：MOSFET參數弄不懂？那是你還沒看過這份講義！
文章出處：【微信號：gh_c472c2199c88，微信公眾號：嵌入式微處理器】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
MOSFET導通電阻參數解讀
導通電阻（RDSON）指的是在規定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態時（工作在線性區），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態下對電流通過的阻礙程度。
漫畫圖解 電感器 抗干擾元器件指南（全彩PDF版）
漫畫圖解電感基礎知識（高清PDF） 內容：很形象的漫畫和語言圖解關于電感器的入門基礎知識，讓電子初學者也能輕松的看懂電子電路。
純分享貼，有需要可以直接下載附件獲取完整資料！
（如果內容有幫助可以關注、點贊、評論支持一下
發表于 05-13 15:49
SiC MOSFET 開關模塊RC緩沖吸收電路的參數優化設計
尖峰電壓和系統 EMC 的抑制為目標。實際應用中，選擇緩沖吸收電路參數時，為防止 SiC-MOSFET開關在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多、需通過自身放電進而影響模塊使用壽命，需要對 RC 緩沖吸收
發表于 04-23 11:25
PCB封裝圖解
PCB封裝圖解——詳細介紹了各種封裝的具體參數，并介紹了如何進行封裝制作
純分享貼，有需要可以直接下載附件獲取文檔！
（如果內容有幫助可以關注、點贊、評論支持一下哦~）
發表于 04-22 13:44
MOSFET與IGBT的區別
來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開
發表于 03-25 13:43
MOSFET開關損耗計算
、參數與應用，除針對目前低電壓 Power MOSFET 的發展趨勢做簡單介紹外，還將簡單比較新一代 Power MOSFET 的性能。
Power MOSFET 的
發表于 03-24 15:03
MOSFET開關損耗和主導參數
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。
發表于 02-26 14:41
SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹
碳化硅革新電力電子，以下是關于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹，結合其技術原理、關鍵步驟與應用價值，助力電力電子領域的革新。
SiC MOSFET的參數特性
碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導體材料（WBG）的一種，具有許多優異的參數特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應用中表現出色。本文將詳細探討SiC MOSFET的主要
1000字搞懂MOSFET規格書中體二極管的關鍵參數以及電路設計關注點
MOSFET中也沒能完全解決這個問題，既然無法避免，那我們要考慮的是了解它，應用它。關于MOSFET的體二極管，datasheet一般會給出以下幾個參數，體二極管連續正向電流，體二極管
影響MOSFET開關損耗的因素
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管）的開關損耗是電子工程中一個關鍵的性能參數，它直接影響到電路的效率、熱設計和可靠性。下面將詳
MOSFET器件參數：TJ、TA、TC到底講啥？
我將分享關于MOSFET中幾個關鍵溫度參數的計算方法：TJ(結溫)、TA(環境溫度)和TC(外殼溫度)。1.MOSFET溫度參數的重要性在電
MOSFET器件參數：TJ、TA、TC到底講啥
在本文中，我將分享關于MOSFET中幾個關鍵溫度參數的計算方法：TJ（結溫）、TA（環境溫度）和TC（外殼溫度）。 1. MOSFET溫度參數
MOSFET參數與工藝
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）作為現代電子工業中的核心元件之一，其參數與工藝對于電路的性能、效率及可靠性具有至關重要的影響。以下將從MOSFET的主要參數、不同工藝類型及
工商網監
評論