本篇文章將為您介紹思睿達(dá)CR6855升級(jí)為CR6889B后，到底有什么過人之處呢？讓我們慢慢揭曉！

先來了解下思睿達(dá)主推CR6889B芯片和CR6855芯片有什么特性吧！

CR6889B芯片特性

●低待機(jī)功耗（<75mW）；

●低啟動(dòng)電流 (約3μA)；

●能效 ：DOE VI；

●SOT23-6封裝的副邊PWM反激功率開關(guān)；

● 內(nèi)置軟啟動(dòng)，減小MOSFET的應(yīng)力，斜坡補(bǔ)償電路；

● 65kHz開關(guān)頻率，具有頻率抖動(dòng)功能，使其具有良好的EMI特性；

● 具有“軟啟動(dòng)、OCP、SCP、OTP、OVP自動(dòng)恢復(fù)等保護(hù)功能；

CR6855芯片特性

● 低待機(jī)功耗（<100mW）；

●低啟動(dòng)電流 (約5μA)；

●能效 ：CoC V5_T2；

●SOT23-6L、DIP-8L封裝的副邊PWM反激功率開關(guān)；

● 內(nèi)置軟啟動(dòng)，減小MOSFET的應(yīng)力，斜坡補(bǔ)償電路；

● 65kHz開關(guān)頻率，具有頻率抖動(dòng)功能，使其具有良好的EMI特性；

● 具有“軟啟動(dòng)、OCP、SCP、OTP、OLP等保護(hù)功能；

一、升級(jí)芯片

CR6855升級(jí)CR6889B 需更改以下元件：

1.SENSE 電阻值0.375 歐調(diào)整為0.26 歐左右；（供參考）

二、電性對(duì)比如下

此電源基本特性為一電池充電電源（18V2.15A）加上一路DCDC12V1A 降壓模塊，綜合考慮測(cè)試方式，由于電源輸出肖特極端電壓為23V（OCP 在3.6A 左右，所以此電源大概按照23V2.8A(64.4W)對(duì)比評(píng)估相關(guān)數(shù)據(jù)如下：

注：

1.以上效率為板端測(cè)試

2.測(cè)試儀器為：

示波器：泰克MDO3014

功率計(jì)：WT210

負(fù)載機(jī)：IT8511A

萬(wàn)用表：FLUKE 15BEMI

測(cè)試儀：KH3939

三、關(guān)鍵波形對(duì)比如下

CR6855 264V 啟動(dòng)時(shí) VDS 波形 肖特基波形

CR6855 264V 短路保護(hù)時(shí) VDS 波形 肖特基波形

CR6889B 264V 啟動(dòng)時(shí) VDS 波形 肖特基波形

CR6889B264V 短路保護(hù)時(shí) VDS 波形 肖特基波形

從測(cè)試波形上可以了解到在整機(jī)開啟和發(fā)生保護(hù)的時(shí)候 MOS 管以及次級(jí)肖特基上所受應(yīng)力基本一 致，不過需要注意在 VAC264 極端條件下發(fā)生短路保護(hù)時(shí)肖特基上所受應(yīng)力超過額定值。

老化溫升數(shù)據(jù)對(duì)比如下：

各個(gè)輸入電壓下老化條件負(fù)載 2.8A，從 VAC90 時(shí)間 2 小時(shí)開始每半小時(shí)逐步電壓提升一個(gè)級(jí)別，室 溫 15℃；

結(jié)論：

1、CR6889B與CR6855 對(duì)比測(cè)試電性基本一致（效率略高 0.1~0.3%，功耗略小）（各數(shù)據(jù)僅供參考）

2、能效由歐盟CoC V5（五級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)）升級(jí)到美國(guó)DoE VI(六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn))，CR6889B的能效標(biāo)準(zhǔn)變得更嚴(yán)格。

3、CR6889B智能交互優(yōu)于CR6855智能交互。

4、CR6889B的待機(jī)功耗（<75mW）范圍比CR6855的待機(jī)功耗（<100mW）范圍更小。

5、CR6889B的啟動(dòng)電流 (約3μA)小于CR6855的啟動(dòng)電流 (約5μA)；

所以綜上所述，升級(jí)后的思睿達(dá)CR6889B更具有優(yōu)勢(shì)。

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