國家十四五規劃明確了大力發第三代半導體，第三代半導體產業獲得國家層面的大力扶持，進入發展快車道。同時，第三代半導體能夠滿足新基建中多個領域的需求，2021年國家、各省市發力新基建的強勁態勢，再一次將第三代半導體推到風口浪尖。

受市場與國家政策層面的驅動，2021年6月11日，2021世界半導體大會暨南京國際半導體博覽會——第二屆國際第三代半導體產業發展高峰論壇在南京國際博覽中心成功召開。國內首家6英寸化合物半導體企業——成都海威華芯科技有限公司應邀出席。

本次高峰論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、賽迪顧問股份有限公司共同主辦。來自產業界的多位重磅嘉賓坐鎮，會場座無虛席，論壇人氣持續火爆，研討交流氣氛濃烈。

論壇上，成都海威華芯科技有限公司的副總經理黎明博士作題為《第三代半導體在新基建中的應用》的發言，從技術及市場層面介紹了第三代半導體在新基建中的廣泛應用，分析了SiC、GaN芯片在5G基站、新能源電子、大數據中心等領域的應用場景及技術指標，介紹了海威華芯在第三代化合物半導體的產業布局、制程能力及行業地位，同時向產業界表達了海威華芯協同創新、合作共贏的發展理念。

黎明博士指出隨著新基建產業的全面推進，核心芯片已由傳統的Si逐步轉向第三代半導體（GaN、SiC）芯片，海威華芯定位于化合物半導體芯片制造領域，在全產業鏈中處于核心環節，是連接芯片設計企業與整機供應商的紐帶。根據國外知名調研機構Yole的調研報告，海威華芯在全球化合物半導體工業占據一席之地，是全球5G通訊射頻芯片的制造廠商。

圖片來源：Yole Development 2021

海威華芯自2011年成立以來，歷經多年磨礪，持續發力化合物半導體芯片制造：2016年GaAs芯片實現量產；2017年，海威華芯產出了國內第一片6英寸SiC基GaN射頻晶圓；2019年包括Si基GaN功率芯片等多款產品實現量產；2020年5G基站GaN射頻芯片面向全球發布，SiC功率電子芯片進入小批量試產，不斷的推動國內的第三代半導體芯片產業的發展。

“擁有開放的產線、成熟可靠的PDK以及六英寸晶圓制程等領先優勢，海威華芯成為當前芯片短缺大潮下的稀缺資源”，黎明博士補充道。

從黎明博士的介紹可以看到，海威華芯擁有近多項化合物半導體相關專利，在第三代半導體核心工藝上擁有優秀的競爭力，能夠為5G基站建設、新能源充電樁、大數據中心供電等領域提供“芯”支持。

海威華芯核心專利上榜知名統計機構 來源：Yole,Knowmade

在本次論壇上，黎明博士還向產業界重點推介了海威華芯在5G基站用功放芯片，新能源充電樁用功率芯片方向的熱點產品，受到了產業界人士的一致好評及重點關注。

報告結束后，眾多與會者與黎明博士就第三代半導體技術、市場、資本和應用前景等領域進行了深度交流與探討。與會嘉賓對海威華芯的現有制造能力、未來研發路線表示了肯定，強烈表達出與海威華芯在SiC、GaN芯片產業上的合作意向與期盼。

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