據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，北京賽微電子股份有限公司（簡稱：賽微電子）舉行投資者關(guān)系活動，賽萊克斯北京首席科學(xué)家：陸原博士，公司董事、副總經(jīng)理、董事會秘書：張阿斌，公司證券事務(wù)助理：劉妍君參與接待與交流。

第一部分：上市公司帶領(lǐng)參觀北京MEMS產(chǎn)線基地；

上市公司介紹了賽微電子的發(fā)展歷程以及最新動態(tài)，近年來，面向萬物互聯(lián)與人工智能時代，賽微電子已形成以半導(dǎo)體為核心的業(yè)務(wù)格局，MEMS、GaN成為公司前瞻性布局、分處不同發(fā)展階段、聚焦發(fā)展的戰(zhàn)略性業(yè)務(wù)。與此同時，公司圍繞相關(guān)產(chǎn)業(yè)開展投資活動，服務(wù)主業(yè)。

基于業(yè)界頂級專家工程師團(tuán)隊、所掌握的成熟工藝以及持續(xù)擴張的MEMS領(lǐng)域先進(jìn)的8英寸產(chǎn)能，賽微電子積極把握市場需求，為全球客戶提供高標(biāo)準(zhǔn)的MEMS芯片工藝開發(fā)及晶圓制造服務(wù)；

同時基于業(yè)界頂級技術(shù)團(tuán)隊及優(yōu)異的產(chǎn)品性能，積極快速地布局GaN產(chǎn)業(yè)鏈，面向新型電源、智能家電、通訊設(shè)備、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供GaN（氮化鎵）外延材料、GaN器件及配套應(yīng)用方案。賽微電子執(zhí)行長期發(fā)展戰(zhàn)略，致力于成為一家立足本土、國際化發(fā)展的知名半導(dǎo)體科技企業(yè)集團(tuán)。

第二部分： 上市公司解答提問， 主要提問及解答如下：

1、請問賽微電子的瑞典MEMS產(chǎn)線目前的產(chǎn)能情況？

答：自并購?fù)瓿珊蠊颈惴e極支持瑞典產(chǎn)線升級及持續(xù)擴產(chǎn)。瑞典產(chǎn)線在2017-2020年進(jìn)行了超過3億元人民幣的資本投入，2020年9月，瑞典原有6英寸產(chǎn)線（FAB1）升級切換成8英寸產(chǎn)線，原有8英寸產(chǎn)線（FAB2）亦已完成擴產(chǎn)，合計MEMS晶圓產(chǎn)能提升至7000片/月的水平，產(chǎn)能在2019年末的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升了30%，且目前因重點客戶需求仍在持續(xù)進(jìn)行資本投入。

2、請問賽微電子的瑞典產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率和良率情況如何？未來是否有提升空間？

答：由于不同產(chǎn)品的高度差異化、定制化以及工藝復(fù)雜、代工難度較高，規(guī)模效應(yīng)的發(fā)揮需要一定的過程，MEMS芯片代工制造的產(chǎn)能利用率和良率一般低于傳統(tǒng)IC制造的水平，就目前情況來看，瑞典產(chǎn)線80+%的產(chǎn)能利用率以及70+%的良率已屬于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平，由于瑞典產(chǎn)線近年來進(jìn)行了大規(guī)模的升級擴產(chǎn)，在此狀態(tài)下的產(chǎn)線潛力尚未完全發(fā)揮，隨著大規(guī)模升級擴產(chǎn)工作的完成，生產(chǎn)逐步穩(wěn)定，瑞典產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率及良率在未來仍有繼續(xù)提升的空間。

3、請問賽微電子預(yù)計何時可以取得瑞典ISP的許可結(jié)果？

答：公司瑞典子公司Silex自2020年11月向瑞典ISP（戰(zhàn)略產(chǎn)品檢驗局）提交許可申請后持續(xù)跟蹤動態(tài)，此前預(yù)計可以在今年5月底前取得最終結(jié)果，但該時間屬于公司當(dāng)?shù)仡檰査峁┑膮⒖碱A(yù)計時間，并非瑞典ISP承諾的辦理完結(jié)時間，公司希望能夠盡快取得是否授予許可的最終結(jié)果，但目前仍需要繼續(xù)等待瑞典ISP的通知，由于是一國政府部門行為，需以其最終正式通知為準(zhǔn)。

公司北京FAB3與瑞典FAB1&2的技術(shù)與人員交流已進(jìn)行數(shù)年，F(xiàn)AB3自身也早已組建國際化工藝及制造工程師團(tuán)隊、投入大量工藝技術(shù)研發(fā)、并積極與戰(zhàn)略客戶開展技術(shù)合作，持續(xù)沉淀自主專利及工藝技術(shù)，F(xiàn)AB3的生產(chǎn)運營不以瑞典ISP的許可為前提條件，但FAB1&2畢竟擁有20年的實踐積淀，該許可若通過則將為FAB3更好更快地運營帶來諸多有利因素。

4、請問賽微電子的北京MEMS產(chǎn)線目前的客戶合作情況？以及瑞典MEMS 產(chǎn)線目前的客戶主要包括哪些？

答：2020年9月底，公司北京MEMS產(chǎn)線建成并達(dá)到投產(chǎn)條件，此后，北京MEMS產(chǎn)線結(jié)合內(nèi)部驗證批晶圓的制造情況，持續(xù)調(diào)整優(yōu)化產(chǎn)線，與客戶開展產(chǎn)品驗證，并繼續(xù)做好人員、技術(shù)、工藝、生產(chǎn)、保障等各方面的工作。自開始建設(shè)起，公司北京MEMS產(chǎn)線便與瑞典產(chǎn)線以及國內(nèi)潛在合作客戶開展技術(shù)與產(chǎn)品的預(yù)熱交流。

2021年6月10日，北京MEMS產(chǎn)線代工的首批MEMS麥克風(fēng)芯片通過客戶通用微（深圳）科技有限公司（GMEMS）的認(rèn)證，正式啟動量產(chǎn)。此外，公司北京MEMS產(chǎn)線自建成通線以來積極與通信、消費電子、工業(yè)汽車、生物醫(yī)療等領(lǐng)域客戶溝通具體需求、合作協(xié)議并推進(jìn)工藝及晶圓驗證，且已經(jīng)與部分客戶簽署并逐步開始履行商業(yè)合同，因涉及商業(yè)機密及保密義務(wù)， 部分客戶的具體信息公司不便告知。

瑞典MEMS產(chǎn)線客戶主要包括通訊、生物醫(yī)療、工業(yè)汽車和消費電子四大領(lǐng)域。根據(jù)過去幾年的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)，各領(lǐng)域的需求均在增長，但不同業(yè)務(wù)領(lǐng)域在不同時期可能會產(chǎn)生一些明顯的波動因素，比如去年以來在全球范圍內(nèi)爆發(fā)的COVID-19疫情，就顯著刺激了下游生物醫(yī)療客戶的MEMS工藝開發(fā)及晶圓制造需求。

由于公司過去幾年的產(chǎn)能有限，因此公司的收入與訂單結(jié)構(gòu)并不能完全、準(zhǔn)確地反映市場需求。但總體來說各領(lǐng)域的需求均在增長，靜態(tài)看生物醫(yī)療、通訊領(lǐng)域的需求增長表現(xiàn)得更為明顯，動態(tài)看我們看好各領(lǐng)域的未來需求。

5、請介紹賽微電子的北京MEMS代工產(chǎn)線的目前的產(chǎn)能情況，以及未來的產(chǎn)能計劃？

答：公司北京MEMS產(chǎn)線的建設(shè)總產(chǎn)能為3萬片/月，目前一期產(chǎn)能1萬片/月已建成，2020年Q4內(nèi)部調(diào)試，今年Q1開始晶圓驗證，今年6月10日實現(xiàn)正式生產(chǎn)，今年下半年預(yù)計實現(xiàn)50%的產(chǎn)能，即月產(chǎn)5000片晶圓，2022年實現(xiàn)一期100%的產(chǎn)能，即月產(chǎn)10，000片晶圓；

2023年實現(xiàn)月產(chǎn)1.5萬片晶圓，2024年實現(xiàn)月產(chǎn)2萬片晶圓，2025年實現(xiàn)月產(chǎn)2.5萬片晶圓，2026年實現(xiàn)月產(chǎn)3萬片晶圓。隨著北京產(chǎn)線工藝制造水平的逐漸成熟，若訂單及客戶需求的增長超出預(yù)期，則上述自2022年起的產(chǎn)能爬坡進(jìn)度有可能加快。

6、請問賽微電子在氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)方面的產(chǎn)能情況如何？氮化鎵業(yè)務(wù)的整體布局是如何考慮的？

答：在GaN外延片方面，公司已建成的6-8英寸GaN外延材料制造項目（一期）的產(chǎn)能為1萬片/年，目前已簽訂千萬級銷售合同并根據(jù)商業(yè)條款安排生產(chǎn)及交付。在GaN器件設(shè)計方面，產(chǎn)能主要受到供應(yīng)方制造商產(chǎn)能的限制，目前在技術(shù)、應(yīng)用及需求方面是沒問題的，關(guān)鍵在產(chǎn)能供應(yīng)端受限，在這方面公司也已對外簽訂了批量流片合同，努力緩解產(chǎn)能瓶頸問題。

另一方面，公司GaN業(yè)務(wù)子公司聚能創(chuàng)芯參股投資設(shè)立青州聚能國際半導(dǎo)體制造有限公司，目標(biāo)是在2021年內(nèi)建成GaN產(chǎn)線并做好投產(chǎn)準(zhǔn)備，以盡快推動產(chǎn)能建設(shè)，完善IDM布局，進(jìn)一步形成自主可控、全本土化、可持續(xù)拓展的GaN材料、設(shè)計及制造能力。

7、請問賽微電子MEMS業(yè)務(wù)是否包括MEMS光學(xué)器件產(chǎn)品？以及公司如何看待該領(lǐng)域的未來發(fā)展？

答：賽微電子是一家擁有深厚技術(shù)積淀、服務(wù)能力全面的專業(yè)MEMS代工廠商，目前在瑞典斯德哥爾摩及中國北京均擁有8英寸MEMS代工產(chǎn)線。公司北京產(chǎn)線近日剛剛實現(xiàn)正式生產(chǎn)，但瑞典產(chǎn)線最早建立于2000年，掌握了硅通孔、晶圓鍵合、深反應(yīng)離子刻蝕等多項在業(yè)內(nèi)具備國際領(lǐng)先競爭力的工藝技術(shù)和工藝模塊。

擁有目前業(yè)界最先進(jìn)的硅通孔絕緣層工藝平臺（TSI），已有超過10年的量產(chǎn)歷史、生產(chǎn)過超過數(shù)十萬片晶圓、100多種不同的產(chǎn)品，技術(shù)可以推廣移植到2.5D和3D圓片級先進(jìn)封裝平臺；為全球廠商提供過400余項 MEMS 芯片的工藝開發(fā)服務(wù)，為全球客戶代工生產(chǎn)了包括微鏡、微針、硅光子、芯片實驗室、微熱輻射計、振蕩器、原子鐘、超聲、壓力傳感器、加速度計、陀螺儀、硅麥克風(fēng)、光學(xué)器件等在內(nèi)的多種MEMS產(chǎn)品。

MEMS是微電路和微機械按功能要求在芯片上的一種集成，基于光刻、腐蝕等傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)，融入超精密機械加工，并結(jié)合力學(xué)、化學(xué)、光學(xué)等學(xué)科和技術(shù)，使得一個毫米或微米級的MEMS具備精確而完整的機械、化學(xué)、光學(xué)等特性結(jié)構(gòu)。MOEMS（微光機電系統(tǒng)）結(jié)合了微機械與微光學(xué)，拓展了MEMS在光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用，MOEMS通常包含一個以上微機械元件，其有望在光通信、光顯示、數(shù)據(jù)存儲、自適應(yīng)光學(xué)及光學(xué)傳感等多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

光學(xué)器件是公司MEMS業(yè)務(wù)持續(xù)服務(wù)的領(lǐng)域，包括基于MEMS工藝結(jié)構(gòu)的微鏡、硅光子器件、光通信開關(guān)、光刻機透鏡系統(tǒng)、固態(tài)激光雷達(dá)反射鏡等，不同類別產(chǎn)品的工藝開發(fā)及晶圓制造技術(shù)難度、應(yīng)用及發(fā)展階段存在較大差異，但公司看好該等MEMS光學(xué)器件在未來的應(yīng)用及發(fā)展前景。

8、請問賽微電子如何看待MEMS先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢？公司在這方面有何技術(shù)儲備及方向？

答：MEMS封裝不同于IC封裝，在考慮封裝尺寸、性能、可靠性、成本的同時，還需要重視力學(xué)支撐、環(huán)境隔離、與外界環(huán)境的交互接口、應(yīng)力、隔離度、特殊信號引出、微結(jié)構(gòu)失效等因素。因此，MEMS封裝工藝比IC封裝更復(fù)雜，并呈現(xiàn)多樣化特征，封裝成本占比相對更高。

先進(jìn)封裝技術(shù)通過堆疊單芯片與其他元件并封裝在一個外殼里，可實現(xiàn)半導(dǎo)體、MEMS和其他元器件的三維異質(zhì)/異構(gòu)集成，一方面能夠減少封裝面積，縮短MEMS與其他芯片之間的信號傳輸損耗，提高M(jìn)EMS器件的整體性能，另一方面能夠提高封裝效率，降低產(chǎn)品成本。先進(jìn)封裝技術(shù)包括系統(tǒng)級封裝（SIP）、晶圓級封裝（WLP）、硅通孔（TSV）、三維芯片堆疊、2.5D 硅轉(zhuǎn)接板等。

公司在MEMS先進(jìn)封裝方面擬推進(jìn)研發(fā)分立器件的系統(tǒng)級集成封裝技術(shù)、多樣化TSV技術(shù)、扇出型晶圓級集成技術(shù)、多個異質(zhì)晶圓永久鍵合技術(shù)等多種晶圓級異質(zhì)異構(gòu)集成封裝技術(shù)。

9、請賽微電子簡要介紹“MEMS高頻通信器件制造工藝開發(fā)項目”中投入研發(fā)的微空腔同軸結(jié)構(gòu)技術(shù)以及晶圓級異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)。

答：微空腔同軸結(jié)構(gòu)技術(shù)是指在一個晶圓襯底上，用MEMS工藝方法，制造具有高傳輸頻率、低傳輸損耗、具有微小尺度的電連接同軸傳輸線技術(shù);該同軸傳輸線通過空氣實現(xiàn)絕緣隔離。該技術(shù)的目標(biāo)是探索如何實現(xiàn)超厚銅柱電鍍、絕緣材料的多次光刻等形成微空腔同軸傳輸結(jié)構(gòu); 并研發(fā)基于微同軸的高頻器件晶圓級集成，可用于制造微天線/陣列天線、功分器、射頻微波前端模塊等。

晶圓級異質(zhì)異構(gòu)集成是指，對包含多個功能單元的一個半導(dǎo)體器件（其結(jié)構(gòu)可不一樣，或襯底材質(zhì)不一樣，或襯底材質(zhì)和結(jié)構(gòu)都不一樣），在其整個制造過程（含芯片制造、集成多個芯片/功能單元、封裝測試環(huán)節(jié)）中，都在晶圓狀態(tài)下完成的制造技術(shù)。該技術(shù)的目標(biāo)是實現(xiàn)高頻器件的晶圓級集成，控制高頻傳輸?shù)膿p耗與電磁噪音，實現(xiàn)不同襯底器件的晶圓鍵合，該技術(shù)既適用于IC器件制造，也適用于射頻微波模塊器件的制造以及高頻模塊器件的晶圓級電測等。

編輯：jq