電子發燒友網報道（文/李誠）GaN憑借其優越的性能，成為第三代半導體材料中的一員，在半導體領域中備受關注。本期文章主要講述目前國外主流GaN快充控制芯片，國產GaN快充控制芯片將在下一期文章中講述。

GaN不同于一般的MOS管，氮化鎵FET的橫向結構中沒有P-N結、體二極管，也沒有反向恢復電荷（Qrr）。通過消除反向恢復損耗，氮化鎵可以在硬交換拓撲中實現高效的高切換頻率操作。

從源頭避免了損耗問題的出現，DS極之間雙向導通，GaN與Si相比，GaN的禁帶寬度是Si的三倍，臨界擊穿電場是Si的十倍，在工作頻率方面GaN的開關工作頻率有著顯著的提升，功率的提升有助于降低成本，減小體積，加上GaN在功率輸出方面較為突出，電路效率及開關頻率方面都有不錯的表現，GaN將會在快充領域成為中堅力量。

GaN在不斷占據市場份額，據中信證券分析預測，2020年全球GaN充電器市場規模為23億元，2025年將快速上升至638億元，5年復合年均增長率高達94％。

部分廠商GaN控制芯片對比

目前已有多家公司布局市場，并推出GaN的快充控制芯片，例如：安森美、德州儀器、英飛凌等。在中美貿易戰的大背景下，我國為實現國產化替代，國內廠商南芯、亞成微等，也相繼推出GaN主控芯片。

通過以上統計，從電路拓撲來看主要分為三大類：ACF、LLC、QR。從驅動方面分為兩類：可直接驅動和間接驅動。

ACF框架，ACF（全稱：Active Clamp Flyback，中文：有源鉗位反激）有源鉗位反激電路在電路中主要是實現軟開關的電路，通過ZVS（零壓啟動）和ZCS（零電流關斷）實現開通或關斷的功能減小開關損耗。

LLC框架，LLC是諧振電路，主要是諧振電感（L）、勵磁電感（L）、諧振電容（C）串聯組成LLC電路。同樣使用ZVS技術，該電路特點：工作頻率高、體積小、效率高、損耗小。

QR框架，準諧振反激式開關電源電路，本電路相較于前二者電路更為簡單、方便調試、性價比也比較高。

主流芯片介紹

目前市場上應用較多的兩款控制芯片：1、TI UCC28782 2、安森美 NCP1342

1、TI UCC28782

（UCC28782 電路拓撲 圖片來源：TI官網）

UCC28782是一顆應用于Type-C PD的高密度有源鉗位反激控制芯片，能夠在很大的工作區間內自動調節實現ZVS，功率能達93%以上。該芯片的頻率是可調的，最大頻率為1.5MHz。集成Boost自供電電路，支持頻率抖動以降低EMI電磁干擾。自我調節模式、低功耗模式和備用電源模式同時工作能夠提高輕載效率，降低紋波和噪音。該芯片還集成了X電容，在停止充電時釋放電壓。

對PWML和PWMH之間的死區時間進行了最佳調整，以幫助最小化ZVS所需的循環能量。因此，在軟開關拓撲的大規模生產中，可以顯著提高系統整體的效率，并獲得更一致的效率。RTZ、RDM、BUR、IPC和SETP腳的編程特性提供了豐富的靈活性，以優化在輸出功率和操作頻率級別范圍內的功率級效率。

UCC28782還集成了更強大的保護功能，以最大限度地提高系統的可靠性和安全性。這些功能包括主動X電容器放電、內部軟啟動、輸出過電壓（OVP）、輸入線路過電壓（IOVP）、輸出過功率（OPP）、系統過溫（OTP）、開關過電流（OCP）、輸出短路保護（SCP）和引腳故障。該控制器為OVP、OPP、OTP、OCP和SCP故障提供了自動恢復和閉鎖響應選項。

該芯片集成了很多功能，有效降低外部元器件數量及尺寸大小，提高了性價比和便攜性。使用該芯片的主要充電器有：realme 50W mini閃充氮化鎵充電器。

2、安森美 NCP1342

（NCP1342 電路拓撲 圖片來源：安森美官網）

NCP1342利用當前的QR框架實現了一個準諧振反激轉換器，其中開關的關閉由峰值電流決定。該集成電路是一個理想的候選方案，其中低零件數和成本效益是關鍵原因，特別是在交流—直流適配器，開放的框架電源等。

NCP1342集成了現在電源設計中通常需要的所有必要組件，帶來了一些增強，如非功耗過功率保護（OPP）、斷電保護和變頻管理，以優化整個功率范圍內的效率。考慮到極低的備用功率需求，控制器具有最小的電流消耗，并包括一個自動X2電容器放電電路，消除了在X2輸入電容器上安裝功率消耗電阻的需要。

NCP1342采用的是高頻QR的框架，據公開信息顯示，對市面上131款GaN快充充電器進行拆解其中使用QR框架的產品占比高達七成以上，雖然LLC電路以高效，高功率的特點備受工程師青睞，但是占比僅有一成左右。NCP1342之所以能在GaN快充控制芯片領域中廣泛的應用與其框架息息相關。使用該芯片的主要充電器有：魅族65W氮化鎵快充、倍思65W氮化鎵快充。

這兩款芯片都沒有內置驅動器，需要在電路中搭載驅動芯片。在電路方面NCP1342比UCC28782更為簡潔，能有效地控制成本。在芯片封裝方面NCP1342有SOIC-8和SOIC-9兩種供工程師選擇，而UCC28782只有WQFN-24一種。在調試方面，因為封裝的問題，NCP1342引腳外置對工程師調試過程更為友好。

（NCP1342 SOIC-8 SOIC-9 圖片來源：安森美官網）

（UCC28782 WQFN-24 圖片來源：TI官網）

總結

GaN的出現推動了電源行業的發展，快充功率從30W到120W不等。從目前市面來看，主流的氮化鎵快充輸出功率為65W。國產企業研發的主控芯片相繼推出市場，氮化鎵快充的成本將會降低，也更會被消費者接受。

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編輯：jq