季豐電子新增應用在MOS等高壓IV Curve和高壓熱點定位
季豐電子新增加高壓IV Curve和高壓熱點定位，主要應用在MOS，SiC，IGBT等高壓產品的失效分析，IV Curve掃描電壓范圍在±3000V，通過IV Curve好壞品對比，我們可協助判斷壞品是否有異常，一般的失效模式為：Short，Open，Leakage，High resistance，找到異常的條件后再進行下一步的熱點定位分析。
熱點定位機臺有InGaAs，OBIRCH，Thermal三種，均可通過IC正面或背面進行定位，找出缺陷位置，目前InGaAs&OBIRCH最高電壓可達到3000V，而Thermal可進行非破壞定位，協助判斷是封裝異常還是IC異常。
熱點定位機臺主要應用為：
高壓定位原理：
（a） IC frondside 影像+OBIRCH ；（b） OBIRCH signal
（a） IC frondside 影像+InGaAs ；（b） InGaAs emission
編輯：jq
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原文標題：季豐電子新增3000V高壓IV Curve和高壓熱點定位
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