作者：Soufiane Bendaoud

十多年前，半導體設計與應用工程師在有了可行 CMOS 硅芯片時高興得相互擊掌慶祝，因為它可在 80% 的良率下實現 100uV 以下的放大器輸入失調電壓。當時，Allen Bradley、John Deere、Rockwell Automation 以及 Siemens 等工業(yè)領域巨頭都考慮將 CMOS 放大器作為較低成本的平臺，但它們很少將其用于實現高性能。

盡管雙極性技術依然盛行，但新型 CMOS 放大器正在以先進的設計技巧、高級的微調方法以及提高的良率逐漸打破工藝局限性。

以往，雙極性器件在需要高精度的應用領域一直處于工程師的“首選”項。這些器件可實現低于 1uV/oC 的失調漂移，而 CMOS 的輸入級則提供高達 5uV/oC 的失調漂移。

在 CMOS 輸入運算放大器中實現極低失調的挑戰(zhàn)在于閥值電壓之間的差異（輸入差分對）以及柵-源電壓與閥值電壓之間的差異 （VGS-VTH）。與雙極性器件不同，無論在弱反相情況下還是在強反相情況下，失調和失調漂移在 CMOS 器件中都沒有關聯(lián)性。

CMOS 放大器設計中的其它挑戰(zhàn)還包括較高的電壓噪聲閃爍與白噪聲以及一個通常低很多的開環(huán)增益（這是比雙極性輸入低的跨導值）。

應對以上挑戰(zhàn)的一個途徑就是使用自動歸零、限幅或二者相結合的方法，其可顯著減少失調和漂移（在 CMOS 中），但會增加電路復雜性。限幅自穩(wěn)放大器可在更大溫度范圍內提供最低漂移，但其內部結構可對其使用帶來一定限制。

另一種方法是選擇一款經過精確微調的器件。如欲進一步了解這種良好微調運算放大器的效果，敬請查看最新發(fā)布的 OPA192。該器件是 CMOS 放大器設計中名副其實的里程碑成果，能夠與現已提供的最佳雙極性及 JFET 技術相媲美。

因此，下次您在購買真正高精度運算放大器時，如果您的系統(tǒng)需要低電壓工作，可以考慮選擇 OPA376 或支持較高電壓的 OPA192。