91在线观看视频-91在线观看视频-91在线观看免费视频-91在线观看免费-欧美第二页-欧美第1页

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

未來氮化鎵的價格很有可能大幅下降

lPCU_elecfans ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:李誠 ? 2021-11-17 09:03 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

氮化鎵和碳化硅一樣,不斷地挑戰著硅基材料的物理極限,多用于電力電子、微波射頻領域,在電力電子的應用中,氮化鎵的禁帶寬度是硅基材料的3倍,同時反向擊穿電壓是硅基材料的10倍,與同等電壓等級的硅基材料相比,氮化硅的導通電阻更低,電源開關損耗也更低,電能的轉換效率也有所提升。在微波射頻領域,由于氮化鎵在電場下具有較高的電子速度,因此電流密度較高,加之氮化鎵又具有耐高壓的特性。因此,在微波射頻領域中使用氮化鎵對RF功率的輸出有著巨大的優勢。

氮化鎵在消費類電子領域的優勢尤為突出,憑借著氮化鎵耐高壓、轉換率高、導通損耗小的特點迅速占領了消費類電子的快充市場。今年10月,氮化鎵快充市場迎來了一位重磅玩家,蘋果發布了首款氮化鎵PD 140W的電源適配器,可見氮化鎵對快充的重要性。10月26日,據TrendForce預計,至2025年GaN 在整體快充領域的市場滲透率將達到 52%。

納微半導體

納微是一家專注于氮化鎵功率芯片開發的企業,僅憑單一的品類迅速在氮化鎵功率器件領域迅速立足,打響了產品的知名度。納微用了7年時間,迅速將一個初創公司打造成了市值10億美元的上市企業。憑借其高性能的芯片,以及嚴格的產品生產質量把控,截至今年11月,納微氮化鎵功率芯片出貨量已達3500萬顆以上,產品失效率和不良率均為0,同時還占領了全球氮化鎵芯片市場30%以上的出貨量。

近日,納微發布了一款采用了GaNSense技術的氮化鎵功率芯片。本次發布的新品是將電路感知技術加入到氮化鎵功率芯片中,是業界內首款集成了智能感知技術的氮化鎵功率芯片。通過傳感器與芯片的融合,讓電路的保護功能也朝著智能化發展,保證了系統的安全與穩定。

納微的GaNSense技術類似于汽車的BMS系統,就是對系統電流、溫度等數據精準、快速的實時監控,當芯片通過數據監測,發現系統有潛在風險時,芯片會快速進入關斷狀態,保護了芯片的同時還保護了外圍電路,避免對系統造成不可逆轉的損害,進而降低了電路調試的成本,也保證了成品設備的使用安全性。值得一提的是通過納微的GaNSense技術,可以做到實時無損的電流感知,該技術目前正處于專利申請階段。

使用了GaNSense技術的氮化鎵芯片在功耗方面,系統能耗與早期產品相比,節能效果提升了10%。通過智能感應技術,芯片能夠根據實際情況,自由切換工作模式與空閑模式,并降低空閑模式的待機功耗。

在系統保護方面,通過GaNSense技術,對電流、電壓檢測的速度提升了50%,且降低了50%的尖峰電流。同時,可實現30ns內完成系統檢測和系統保護的操作,與傳統氮化鎵的保護響應速度相比提升了6倍。

在產品方面,納微推出了多個基于新一代GaNSense技術不同型號的氮化鎵功率芯片,這些芯片內部都集成了氮化鎵的驅動器,簡化了PCB的布局。產品的電壓等級主要集中在650V和800V,芯片的開關導通電阻在120mΩ至450mΩ之間,較低的開關導通電阻,降低了系統的開關損耗。納微新一代氮化鎵芯片提供了HFQR、ACF、PFC三種電路拓撲方式,可滿足不同輸出功率應用的需求,提升產品的覆蓋率。

鎵未來科技

鎵未來,是一家成立僅有一年的氮化鎵器件開發企業,致力于為終端廠商提供30W至10kW氮化鎵解決方案。該公司的氮化鎵器件的特色,是在于將傳統硅基器件的易用性和氮化鎵高頻、高效、低損耗的特點結合起來,從而提高產品的功率密度。

在消費類電子方面,如今,PD3.1協議和Type-C標準已經發布,消費類電子的電源適配器輸出功率已經提升至240W,作為新勢力的鎵未來也緊跟市場發展的動向,發布并量產可應用于輸出功率為240W電源適配器的氮化鎵功率器件G1N65R150xx系列,可實現最高95.9%轉換效率。

鎵未來G1N65R150xx系列功率器件,最大的亮點在于僅有150mΩ的開關導通電阻,開關導通電阻的阻值對于開關電源來說意義重大,開關導通阻值越大,系統損耗也越大,系統效率自然會有所降低。鎵未來150mΩ的氮化鎵功率器件,領先了業內很多產品,大幅的降低了系統的導通損耗,從而提高電源的輸出功率。

為降低系統導通損耗,鎵未來通過獨有的工藝技術,為G1N65R150xx系列產品的動態電阻進行了優化,產品在25℃至150℃的溫升實驗中,產品的動態導通電阻變化僅提升了50%。避免了因長時間處于運行狀態,導通電阻過高,系統導通損耗過大,系統效率降低的問題。

由于該器件內部并未集成驅動器,所以,鎵未來在進行產品設計時就已經考慮到了驅動芯片電壓兼容的問題。目前,氮化鎵驅動芯片的驅動電壓覆蓋范圍較寬,有幾伏至十多伏不等。鎵未來為提升產品與其他驅動芯片的適配性,將柵極耐壓值調至20V,從而降低了驅動芯片的使用的局限性。

結語

氮化鎵功率器件憑借高頻、高效等特性,在開關電源行業備受追捧,也成為了消費類電子電源行業主要的發展方向。如今,很多氮化鎵晶圓廠商也在不斷提高晶圓的制造良率,增設產線,在不久的未來,氮化鎵的價格很有可能會大幅下降,從而讓氮化鎵快充的價格更容易的被百姓所接受。

責任編輯:haq

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 傳感器
    +關注

    關注

    2566

    文章

    53008

    瀏覽量

    767601
  • 芯片
    +關注

    關注

    460

    文章

    52520

    瀏覽量

    441108
  • 半導體
    +關注

    關注

    335

    文章

    28919

    瀏覽量

    238120

原文標題:氮化鎵新動態:傳感器融入芯片、導通電阻大幅下降

文章出處:【微信號:elecfans,微信公眾號:電子發燒友網】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    從清華大學到未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!

    從清華大學到未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡稱“
    發表于 05-19 10:16

    氮化電源IC U8765產品概述

    氮化憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發熱低等優勢,但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的
    的頭像 發表于 04-29 18:12 ?325次閱讀

    330W氮化方案,可過EMC

    氮化
    深圳市三佛科技
    發布于 :2025年04月01日 11:31:39

    氮化系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

    氮化系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
    的頭像 發表于 03-13 16:33 ?2326次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

    氮化晶體管的并聯設計技術手冊免費下載

    氮化晶體管的并聯設計總結 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?:并聯開關管廣泛應用于大功率場合,如牽引逆變器、可回
    的頭像 發表于 02-27 18:26 ?529次閱讀

    氮化(GaN)充電頭安規問題及解決方案

    什么是氮化(GaN)充電頭?氮化充電頭是一種采用氮化(GalliumNitride,GaN
    的頭像 發表于 02-27 07:20 ?1109次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)充電頭安規問題及解決方案

    氮化硼散熱材料大幅度提升氮化快充效能

    什么是氮化(GaN)充電頭?氮化充電頭是一種采用氮化(GalliumNitride,GaN
    的頭像 發表于 02-26 04:26 ?560次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b>硼散熱材料<b class='flag-5'>大幅</b>度提升<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充效能

    垂直氮化器件的最新進展和可靠性挑戰

    過去兩年中,氮化雖然發展迅速,但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時,不少垂直氮化的初創企業倒閉或者賣盤,這引發大家對垂直氮化
    的頭像 發表于 02-17 14:27 ?1192次閱讀
    垂直<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件的最新進展和可靠性挑戰

    氮化充電器和普通充電器有啥區別?

    直接導致了消費級GaN充電器價格偏高,目前市面上的氮化充電器基本上是一百多塊。不過隨著越來越多廠商參與進來,相信技術會越來越成熟,成本下降只是時間問題。 在充電協議上,GaN 充電頭
    發表于 01-15 16:41

    25W氮化電源芯片U8722BAS的主要特征

    在消費類快充電源市場中,氮化有著廣泛的應用,如今已有數十家主流電源廠商開辟了氮化快充產品線,推出的氮化
    的頭像 發表于 12-24 16:06 ?840次閱讀

    德州儀器氮化功率半導體產能大幅提升

    近日,美國芯片大廠德州儀器(TI)宣布了一項重要進展。其位于日本會津的工廠已經正式投產基于氮化(GaN)的功率半導體。這一舉措標志著德州儀器在氮化功率半導體領域邁出了堅實的一步。
    的頭像 發表于 10-29 16:57 ?873次閱讀

    碳化硅 (SiC) 與氮化 (GaN)應用 | 氮化硼高導熱絕緣片

    SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝,WBG設備顯示出以下優點:1.寬帶隙半導體氮化(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化的帶隙
    的頭像 發表于 09-16 08:02 ?1399次閱讀
    碳化硅 (SiC) 與<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (GaN)應用  | <b class='flag-5'>氮化</b>硼高導熱絕緣片

    氮化和砷化哪個先進

    氮化(GaN)和砷化(GaAs)都是半導體材料領域的重要成員,它們在各自的應用領域中都展現出了卓越的性能。然而,要判斷哪個更先進,并不是一個簡單的二元對立問題,因為它們的先進性取決于具體的應用場
    的頭像 發表于 09-02 11:37 ?5405次閱讀

    芯干線科技CEO說氮化

    氮化是一種由氮和結合而來的化合物,其中氮在元素周期表排序第7位,排序第31位,7月31日世界氮化
    的頭像 發表于 08-21 10:03 ?1078次閱讀

    華燦光電在氮化領域的進展概述

    7月31日,是世界氮化日。在這個充滿探索與突破的時代,氮化憑借其卓越的特質和廣袤的應用維度,化作科技領域的一顆冉冉升起的新星。氮化
    的頭像 發表于 08-01 11:52 ?1611次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 欧美破处视频在线 | 国产精品电影一区 | 亚洲成人免费 | 美女毛片在线观看 | 亚洲夜夜操 | 992tv国产精品福利在线 | 又黄又湿又爽吸乳视频 | 久久国产乱子伦精品免费看 | 国产精品美女视频 | 天天草夜夜骑 | 免费观看在线aa | 国产免费久久精品99久久 | 四虎影院国产 | 99热在线获取最新地址 | 亚洲天天做日日做天天看2018 | 成人在线一区二区 | 免费大片黄国产在线观看 | aa2424在线视频看片 | 丁香综合激情 | 亚洲性人人天天夜夜摸 | 在线播放一区二区精品产 | 欧美操穴 | 国产精品资源在线播放 | 天天色天天色 | 色综合啪啪 | 成人性色生活影片 | 美女黄页在线观看 | 国产亚洲卡二卡3卡4卡乱码 | 国产精品天天看天天爽 | 国产超爽人人爽人人做 | 日本黄色网址视频 | avtt天堂网 手机资源 | 天天鲁天天爽天天视频 | 亚洲最新在线观看 | 日本一区高清视频 | 国产婷婷色一区二区三区 | 五月天婷婷免费观看视频在线 | 日本a级影院 | 免费看黄视频网站 | 在线精品视频成人网 | 夜夜摸夜夜操 |