一枚封裝好的芯片，內部有數十或者數百億晶體管組成的集成電路。當我們在顯微鏡下放大，可以看到內部像一座城市一樣復雜，集成電路是一種微型電子器件或者部件，其采用一定的工藝，把一個電路中所需要的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互聯一起，制作在一小塊或者幾小塊半導體晶片或者介質基片上，形成結構上緊密聯系的、內部相關的電子電路。

集成電路可以做小完全得益于半導體工藝，純硅是半導體，這意味著導電的能力要比絕緣體好，但不如金屬。所以移動電荷數量少是使得硅成為半導體的原因。但是芯片工作卻少不了一個秘密武器---摻雜。硅有兩種摻雜類型，分別為P型和N型。N型的硅靠電子導電（電子帶負電），P型的硅靠空穴導電（有大量帶正電的空穴）。

led驅動芯片結構及其工作原理

基于開關電源芯片的市場需要，一款LED照明驅動芯片，基于0.5μm CMOS標準工藝設計出的一種不隨溫度、電源電壓以及工藝變化的高電源抑制比的基準電壓源結構。該芯片采用脈頻調制方式，通過設計電阻-電容網絡結構來實現電路的固定關斷時間功能，這種電路結構避免了采用斜坡補償技術，在實現電路的PFM調制的同時也簡化了電路結構，提高了芯片效率。該芯片內部包括振蕩器、PFM控制電路、基準電壓源、偏置電路、RS觸發器、過壓、欠壓保護電路及驅動電路等核心模塊。

LED驅動芯片工作時，該芯片通過一個功率MOSFET和一采樣電阻來將負載變化情況反饋到芯片內部。反饋信號先經過低通濾波器，把高頻開關噪音濾掉，再以電流形式輸入到Current COMP模塊進行調節，以產生控制R-S觸發器R端的信號，然后和Oscillator PFM Regulator模塊產生的S端信號共同控制驅動電路，后驅動功率MOFFET來實現電路的PFM調節。

除此之外，Error AMP模塊、AMP模塊及Voltage COMP三模塊則構成過流保護電路，當流過外部電路的電流過大時，通過外部電阻的電流檢測，并使反饋電壓與恒定基準電壓作比較，再將兩者差值比較放大，以產生控制RS鎖存器CtR端的信號，并強制關斷功率管。這種前饋保護模式可有效降低電流過大時燒毀功率管和LED燈的風險，可對電路起到可靠的保護作用。而Low Voltage Lockout保護模塊可在輸入電壓低于正常工作電壓2.5V情況下強制關斷芯片，從而防止芯片在低電壓下工作，提高電源的利用效率。

銀聯寶，通芯社綜合整理

責任編輯：李倩