Q1
A
季豐可以,以刀片切割優(yōu)先。
Q2
請問各位這樣的SHMOO各位有沒有啥經(jīng)驗(yàn)。這樣的芯片正常flow還是pass的?如何才能篩出來?
A
Scan還是mbist的shmoo, 看看fail cycles是不是有共性,是不是地不干凈,GND noise太大了。
Q3
請教一下,各位有遇到過做完HAST后,芯片焊盤出現(xiàn)沾污的嗎?這種現(xiàn)象是芯片本身問題還是socket、爐子環(huán)境臟?
A
放大看看是不是有可能是錫鼓,高度差導(dǎo)致了看上去像是沾污了,中間的也可以看看,散熱盤看上去有點(diǎn)色差的。可以試試看SEM看看。
Q4
做完h3trb的樣品ate測試過不了,做完烘烤一天之后放置了兩天又pass了,這種芯片算可靠性失效么?
A
算,氣密性不好,進(jìn)水氣了。
Q5
請問各位芯片BV測試,會影響芯片的壽命嗎?
A
功率器件一般要測BV,B1506A測的 I/V曲線,一般參數(shù)都會做BV,看BV曲線是否會疲軟 軟擊穿會造成器件的性能裂化或參數(shù)指標(biāo)下降, 多次軟擊穿可能會造成硬擊穿,則會導(dǎo)致器件永久失效 。
Q6
請問HTOL pass的標(biāo)準(zhǔn)是各個read point的FT過就好,還是對read point之間的drift有要求?
A
我們會在FT Pass基礎(chǔ)之上在拉實(shí)驗(yàn)前后偏差,shift 超過20% 的units 會針對測試數(shù)據(jù)進(jìn)一步驗(yàn)證,確認(rèn)變化對應(yīng)用的影響。
Q7
HD4100 和 BL301 烘烤條件一樣嗎?
A
BL301 是250℃/2H,HD4100 是375℃/1H,如果產(chǎn)品不需要低溫cure,就選HD4100肯定質(zhì)量更好。
Q8
請教一下季豐,貴司引腳錫氧化物的厚度能測不?
A
我問了季豐材料分析王博,確定是可以測的。如果尺寸大,就用FIB,如果是小尺寸的就用TEM。
Q9
咨詢一下,這個是什么flash制程?
A
NOR Flash
Q10
請問nor flash和nand flash切片上有什么不一樣的?
A
nand flash 源極漏極首尾相接,俗稱拉小手。
Q11
請教大家一個問題,國內(nèi)有哪些foundry可以代工光電鼠標(biāo)傳感器(sensor)芯片的?多謝
A
SMIC ,上華,和艦都可以代工的。
Q12
請問有esd表面處理說明么?
A
Q13
請教個問題,像bhast,HTOL這些項(xiàng)目,樣品需要做預(yù)處理嘛?
A
HTOL不需要的,預(yù)處理還是針對芯片封裝可靠性相關(guān)評估。
Q14
再請教一下,HTOL試驗(yàn)中樣品數(shù)量、失效數(shù)和PPM的計(jì)算方法。或者說,如果按照HTOL試驗(yàn)一般性要求,77顆,125℃,1000H情況下0失效,能否對應(yīng)到一個PPM。
A
ppm得拿elfr數(shù)據(jù)參考。htol樣本量太小了,htol更多的側(cè)重于評估芯片本身的壽命,其實(shí)不管怎么算出來,都只能和客戶說是ppm評估值,實(shí)際值要按照實(shí)際出貨量和客退來算。
Q15
大家好,請教一下,晶圓背面金屬的粘附性監(jiān)控一般用什么方法?
A
芯片背面的金屬通常是同時具備導(dǎo)電導(dǎo)熱功能的,所以粘附性監(jiān)控也許可以從這兩個角度考慮。die attach后,1.die share可以用于check物理強(qiáng)度。2.經(jīng)過熱應(yīng)力實(shí)驗(yàn)后(TC, thermal shock等)的ground resistance check。3.thermal performance evaluation。
原文標(biāo)題:季豐電子IC運(yùn)營工程技術(shù)知乎 –22W9
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