AVP32F335與F28335的應用對比
一：芯片引腳示意圖
二： 對比差異
表1.AVP32F335與F28335的應用對比
| 項點 | F28335 | AVP32F335 |
| 芯片主頻（MAX） |
100Mhz @ CORE1.8V 150Mhz @ CORE1.9V |
150Mhz @ CORE1.65V |
| 芯片功耗 | 850mW @ 150Mhz | 380mW @ 150Mhz |
| 片內LDO | N/A | 1.9/1.8V-1.65V |
|
測試引腳 【pin81、pin82】 |
芯片內部測試引腳 建議不懸空 |
建議接1uF電容，壓差值為芯片內核供電電壓 |
|
ADCRESEXT引腳 【LQFP176-PIN57】 |
建議外接22K電阻 下拉到地 |
建議外接18K電阻 下拉到地 |
| ADCREFP、ADCREFM外接下拉電容值 | 2.2uF | 10uF |
| ADC | 12bit Mode@12.5Msps |
12bit Mode ENOB 8.9bit @6.25Msps 16bit Mode ENOB 14.2bit |
三：AD部分的修改
AVP32F335 集成片內LDO,外部輸入1.8V（Min1.7V,Max1.9V）經LDO轉換成1.65V給內核供電，具體配置如下:
調整數字內核電壓【系統默認使能，不需要額外添加下述語句】
EALLOW;
*(Uint16*)0x7016=0x0004;
EDIS;
使能調整模擬電路電壓【建議在ADC初始化程序復位語句后面添加下述語句】
//使能并調整模擬內核電壓
AdcRegs.ADCTRL1.bit.rsvdl=0x000f;//1111
c. ADC的時鐘頻率建議設置在12.5Mhz以下（即采樣率不超過6.25MSPS），超過此采樣時鐘可能導致ADC采樣線性度變差
d.針對應用中ADC結果寄存器ADCRESULTn【0x7108-0x7117】和結果鏡像寄存器ADCRESULTn【0x0B00-0x0B0F】,其結果數據在AVP32F335中位置均為D15-D4,與在F28335使用的D11-D0順序一一對應
四：源碼燒錄方法
1.AVP32F335兼容F28335編譯工程環境，選擇CCS開發工具進行應用程序開發時，可參照F28335的開發方式創建工程、調試程序
2.和F28335不同，AVP32F335采用的獨立的FLASH IP,并提供對應的Flash API庫文件供Flash的 擦除、燒寫、校驗等操作，擦寫頻率建議設置在50MHz參考設置如下圖
3. Flash API替換文件的路徑參考如下
審核編輯：湯梓紅
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