隨著固態硬盤在市場上的大量應用，大數據時代之下的AI、人工智能、高規格視頻等應用與技術對存儲的要求也越來越高。固態硬盤NAND層數越來越密，主控性能也逐年攀升，與固態硬盤相關的技術、規范也在隨之更新。

其中，SATA率先成為個人電腦中連接SSD的主要方式。但是由于設計之初SATA作為串行接口，采用AHCI規范，只有1個深度為32的命令隊列。伴隨著時間的推移，越來越難滿足速度日益提高的SSD。于是，高端SSD開始采用PCIe總線以提供更高性能，但由于沒有統一標準，需使用非標準規范的接口。

NVMe的技術工作始于2009年，由來自全球90多家公司組成的NVM Express工作組制定相關規范。由于其擁有65535個命令隊列，每個隊列都可以深達65536個命令，同時也充分使用了MSI的2048個中斷向量優勢，大大減小延遲。NVMe在性能和標準化上的大為改進，成為了眾多公司所推崇的規范。

2011年，NVMe 1.0版本正式推出，最大帶寬為1200MB/s；

2012年，IDT發布了第一批商用NVMe芯片組；

2013年，三星推出第一款NVMe固態硬盤；

2014年，NVMe正式注冊成立集團，由來自行業中超過65家公司組成，共同維護和促進NVM Express規范的推行；

2017年，推出的NVMe 1.3在PCIe Gen3 SSD上得以大量應用；

2019年，NVMe1.4推出，成為PCIe Gen4 SSD的標配；

2021年6月，NVMe 2.0推出，到2022年1月，NVMe 2.0b推出，進一步完善。重組后的NVMe 2.0規范支持更快更簡易地開發NVMe解決方案，在此前的基礎上增加了對機械硬盤的支持，并且新增了可擴展性的命令集，如：分區命名空間（ZNS）以及鍵值（KV）等新功能。

經過多次更新后，NVMe 2.0規范中的ZNS現已支持根據數據使用頻率進行分區，并將它們按順序存儲在固態硬盤內的獨立區域，從而減少對存儲數據的重寫和重新排列，降低硬盤的寫入放大系數（write amplification factor，WAF），最終實現整體硬盤的性能和壽命的提高。

ZNS還能減少固態硬盤對于DRAM緩存容量的需求。在傳統固態硬盤上，需要按照1GB:1MB的比例配置DRAM緩存，才能保證固態硬盤保持出色的存儲速度。而在ZNS固態硬盤上，每個映射分區的容量從4KB上升到了幾十或者幾百MB，對于容量更大的企業級硬盤而言則能省下更多DRAM緩存容量。

預計ZNS可減少8倍的DRAM緩存容量需求，并減少約10倍的OP預留空間需求。在此基礎上，既降低的DRAM緩存配置成本，同時又提高了用戶可使用硬盤容量，不僅是對于消費級固態硬盤，對于更大容量的企業級固態硬盤同樣有著不可小覷的吸引力。

KV（key-value）指令集是 NVMe 2.0 的另一個重要功能，KV命令集將允許應用程序使用KV對（key-value pairs）與硬盤控制器通信，而不是通過塊地址。以免除鍵和邏輯區塊之間不必要的轉換表（translation tables），降低CPU計算負荷從而降低整體開銷。

Endurance Group Management同樣是NVMe 2.0規范中的一項重要功能，通過這種全新的存儲管理機制，可以靈活并動態地調節SSD配置，以實現動態容量管理和混合式NAND操作。以提升SSD的訪問力度，并在整體上實現對存儲設備更好的控制。

以上功能點的實現，離不開固態硬盤的主控芯片。根據ZNS分區命名空間，慧榮科技獨家的硬件和固件技術，能根據不同應用需求將工作負載分別安排在不同的微處理器上，在NAND Flash實現Zone分割的同時也對主控芯片做隔離化處理，實現更靈活的控制調節和更高效能優化。

在諸多優點和改進下，NVMe將會為企業級固態硬盤帶來更長使用壽命、更靈活管理機制和更低開銷，將會成為企業級固態硬盤下一個重要技術節點趨勢。慧榮科技作為全球領先的閃存主控芯片制造商，始終緊跟業界動態，積極應對創新技術和規范，NVMe 2.0產品及解決方案即將準備就緒，為大數據時代下的數據中心提供更高性能、更具BOM優勢的企業級存儲解決方案。