中國北京,2022 年5 月6日——設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業Soitec 近日發布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC? 晶圓。這標志著 Soitec 公司的碳化硅產品組合已拓展至 150mm 以上,其 SmartSiC? 晶圓的研發水準再創新高,可滿足汽車市場不斷增長的需求。
首批200mm SmartSiC?襯底誕生于 Soitec與CEA-Leti合作的襯底創新中心的先進試驗線,該中心位于格勒諾布爾。該批200mm SmartSiC襯底將會在關鍵客戶中進行首輪驗證,展示其質量及性能。
Soitec 于2022 年3 月在法國貝寧啟動了新晶圓廠貝寧4號(Bernin4) 的建設,用于生產 150mm和 200mm的 SmartSiC? 晶圓,貝寧 4號預計將于2023 年下半年投入運營。
Soitec 獨特的SmartSiC? 技術能夠將極薄的高質量碳化硅層鍵合到電阻率極低的多晶碳化硅晶圓上,從而顯著提高電力電子設備的性能與電動汽車的能源效率。
Soitec 首席技術官 Christophe Maleville 表示:“Soitec 的 SmartSiC? 襯底將在新能源電動汽車中起到關鍵性作用。憑借獨特的先進技術,我們致力于研發尖端的優化襯底,助力汽車和工業市場的電力電子設備開辟新前景。本次在碳化硅襯底系列中增加 200mm SmartSiC?晶圓,進一步加強了我們產品組合的差異化,并在產品質量、可靠性、體積和能效等多方面滿足客戶多樣化的需求。200mm SmartSiC? 晶圓是我們 SmartSiC? 技術開發和部署的一座重要里程碑,它鞏固了Soitec 在行業內的技術領先地位,并強化了我們不斷創新、推出新一代晶圓技術的能力。”
-
電動汽車
+關注
關注
156文章
12427瀏覽量
234635 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
3066瀏覽量
50493 -
SOITEC
+關注
關注
3文章
49瀏覽量
14448
發布評論請先 登錄
碳化硅襯底切割自動對刀系統與進給參數的協同優化模型

自動對刀技術對碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性優化

12英寸碳化硅襯底,又有新進展
英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產品

碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

不同的碳化硅襯底的吸附方案,對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

碳化硅襯底的環吸方案相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

優化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

評論