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蝕刻硅晶片和(PE)CVD腔室清洗的生命周期環(huán)境影響

華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造 ? 來(lái)源:華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造 ? 作者:華林科納半導(dǎo)體設(shè) ? 2022-05-31 16:27 ? 次閱讀

半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)使用氟化氣體來(lái)蝕刻硅晶片和(PE)CVD室清潔,期望的結(jié)果是由于F原子和其他活性物質(zhì),但是未分解的PFC(全氟)氣體的排放是不希望的,因?yàn)樗鼈兙哂懈叩娜蜃兣?yīng)和高的大氣壽命。在這項(xiàng)研究中,我們?nèi)A林科納使用了全生命周期評(píng)估,以便比較不同技術(shù)的環(huán)境影響,以及指出改進(jìn)方案。

生命周期中的步驟如下:化合物的合成、運(yùn)輸、在工廠中的分配(氣瓶的連接)、在工藝中的使用、消除以銷毀未反應(yīng)的氣體以及氣瓶的回收,每個(gè)步驟的排放可以是直接的(來(lái)自氟化氣體的排放)或間接的(來(lái)自能源使用)。

部分基于最佳猜測(cè)的結(jié)果表明,合成過(guò)程中氟化氣體的逃逸性排放、減排系統(tǒng)的停工期和未完全清空的鋼瓶的清潔主導(dǎo)了生命周期全球變暖效應(yīng),這意味著氣體本身的全球變暖效應(yīng)決定了對(duì)SF6的影響最大,F(xiàn)2被證明明顯優(yōu)于其它氟化化合物,因?yàn)樗娜蜃兣瘽撃苤禐榱悖液铣膳m中,最大限度地減少氟化氣體的使用和排放的可能改進(jìn)方案是(1)嚴(yán)格的氣瓶連接程序,(2)完全使用或可靠地消除瓶中的氣體,(3)回收或可靠地消除工藝中未使用的氣體,以及(4)工藝的終點(diǎn)檢測(cè)。

圖1顯示了給出總體二氧化碳當(dāng)量排放量的標(biāo)準(zhǔn)情景,它顯示了在現(xiàn)場(chǎng)GWP效應(yīng)以六氟化硫 > 四氟化碳 > 三氟化氮 >> F2的順序遞減,然而合成和氣瓶回收過(guò)程中未過(guò)濾排放的估計(jì)非常保守,而生產(chǎn)使用過(guò)程中未過(guò)濾排放的貢獻(xiàn)可以更精確地估計(jì)。

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因此,我們?nèi)A林科納準(zhǔn)備了第二種方案,在合成和氣缸返回過(guò)程中,對(duì)未過(guò)濾的排放物采用不太保守的假設(shè),為了預(yù)測(cè)未來(lái)的改進(jìn),應(yīng)該有一種趨勢(shì),即在未來(lái)的生產(chǎn)中,通過(guò)對(duì)現(xiàn)有設(shè)施進(jìn)行改造,大幅增加全氟化碳的減排比例。然后,基于給出的流量數(shù)據(jù),將導(dǎo)出的值應(yīng)用于四氟化碳、三氟化氮和F2室清潔配方之間的比較。

使用標(biāo)準(zhǔn)假設(shè)的方案顯示了生產(chǎn)中使用的主要影響,這種影響是由于未過(guò)濾的釋放,主要有兩個(gè)原因:首先,相當(dāng)一部分工廠沒(méi)有配備PFC設(shè)備,其次,安裝的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備有很長(zhǎng)的停機(jī)時(shí)間,導(dǎo)致在停機(jī)期間PFC的滑動(dòng),由于這些數(shù)字是基于安裝經(jīng)驗(yàn),因此可以認(rèn)為它們具有代表性。關(guān)于化學(xué)合成和鋼瓶回收的數(shù)據(jù)質(zhì)量不太精確,所以標(biāo)準(zhǔn)方案是基于保守的數(shù)字,假設(shè)后兩種來(lái)源的排放量更多(增加了3倍),則可獲得下圖。

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據(jù)觀察,總排放量增加了20%,并且在生產(chǎn)使用過(guò)程中,未過(guò)濾的排放量仍然占主導(dǎo)地位,為了估計(jì)未來(lái)開(kāi)發(fā)可能獲得的最低排放量,通過(guò)減少使用過(guò)程中的排放進(jìn)行了改進(jìn)。假設(shè)未減排的晶圓廠數(shù)量減少10倍,減排后未過(guò)濾的排放量減少5倍,而通過(guò)使用資源導(dǎo)致二氧化碳當(dāng)量排放量的減排努力增加5倍,其他保持不變,這一套假設(shè)肯定是樂(lè)觀的,它顯著降低了總排放量,并且改變了對(duì)總排放量的相對(duì)貢獻(xiàn)權(quán)重。

獨(dú)立于所有這些假設(shè),F(xiàn)2現(xiàn)場(chǎng)發(fā)電是迄今為止最生態(tài)的解決方案,除了基于kg CO2/kg PFC的考慮之外,使用氣體CF4、NF3和F2的清潔步驟也分別需要不同量(流量和時(shí)間)的相應(yīng)氣體,基于給出的數(shù)據(jù),進(jìn)行了以下比較,假設(shè)過(guò)度蝕刻是適度的(< 10%),或者使用終點(diǎn)檢測(cè)來(lái)避免工藝中更高的排放,在引用的研究中,氟/惰性氣體混合物取自瓶子,這一事實(shí)對(duì)于工藝結(jié)果和消耗并不重要,當(dāng)通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)提供所討論的氟時(shí),它也可以用于評(píng)估環(huán)境影響。

所用CF4和NF3的流速由工具制造商給出,F(xiàn)2混合物由調(diào)查人員優(yōu)化,評(píng)估中未包括的事實(shí)是,在這些環(huán)境和流量下,F(xiàn)2混合物顯示出最高的蝕刻速率,而CF4氣體最低,因此,如果適用,可以減少F2的流量,或者必須增加CF4的流量,以達(dá)到相同的性能結(jié)果。考慮到這一點(diǎn),距離會(huì)更大,因?yàn)檫@種變化會(huì)偏離制造商的配方,所以它沒(méi)有在排放的基礎(chǔ)上增加,可以清楚地看到(對(duì)數(shù)標(biāo)度),在減排的基礎(chǔ)上,F(xiàn)2清潔比下一個(gè)最佳方案NF3清潔好20倍,如果不減少PFC,差距甚至?xí)蟆1M管CF4作為PFC在kg的基礎(chǔ)上甚至略好于NF3,但是在引用的配方中所需的較高流量使得CF4清潔的總體GWP平衡比NF3清潔的差。這必須從一個(gè)應(yīng)用程序到另一個(gè)應(yīng)用程序逐例進(jìn)行檢查。

在引用的例子中使用的配方是典型的配方,在200mm晶片上使用舊設(shè)備,結(jié)果看起來(lái)很典型,但不一定與其他潛在的應(yīng)用相似,因此對(duì)于每個(gè)預(yù)期的應(yīng)用,必須檢查各個(gè)室清潔氣體的相對(duì)消耗,然而,F(xiàn)2的優(yōu)勢(shì)是巨大的,它將允許改進(jìn)大量的應(yīng)用。

盡管并非所有GWP排放量估算的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)都準(zhǔn)確可用,但關(guān)于減排及其特性的最穩(wěn)定數(shù)據(jù)允許確定與太陽(yáng)能和半導(dǎo)體行業(yè)使用全氟化碳相關(guān)的GWP排放量的主要部分,雖然SF6的影響最大,但長(zhǎng)期使用的CF4的影響并不高于每公斤NF3的影響,只要在類似的過(guò)程中使用較少的NF3,那么NF3就有優(yōu)勢(shì),正確設(shè)計(jì)具有高正常運(yùn)行時(shí)間的工廠,并涵蓋工廠中的所有PFC源,是當(dāng)今顯著減少排放的關(guān)鍵,對(duì)于未來(lái)的下一步減少,必須審查合成和氣瓶返回,并配備更好的預(yù)防措施,防止未經(jīng)過(guò)濾的釋放,根據(jù)樂(lè)觀的假設(shè)對(duì)未來(lái)的預(yù)測(cè)顯示,盡管與今天相比大幅減少,但全氟化碳的使用會(huì)產(chǎn)生大量的GWP排放,F(xiàn)2現(xiàn)場(chǎng)發(fā)電優(yōu)于所有其他替代方案,但它不適合或至少不能替代當(dāng)今所有的應(yīng)用,F(xiàn)2現(xiàn)場(chǎng)發(fā)電廣泛替代傳統(tǒng)PFC應(yīng)用將對(duì)GWP減排產(chǎn)生最大效益。

審核編輯:符乾江

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