■ 產品概述

LN8362 是一款可驅動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅動芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。

LN8362 內部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關斷狀態，用以提高轉換效率。集成使能關斷功能，可以同時關斷 DRVH、DRVL 的輸出。

LN8362 內建死區自適應功能，可以適應更多規格MOSFET，同時簡化設計的繁瑣。

LN8362 采用 SOP8/ESOP8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式，給方案設計帶來更多的選擇。

■ 應用領域

半橋/全橋轉換器

同步降壓、升降壓拓撲

電子煙、無線充 MOSFET 驅動器

■ 產品特點

電源 VCC 工作范圍：4V~15V

SW 最高電壓：60V

內置自舉二極管

固定死區時間

兼容 3.3V/5V/15V 輸入信號

UVLO 時 EN 端輸出低電平

內建死區自適應功能來防止 FET 交叉導通

EN 端可同時關斷上下兩個 MOSFET

VCC，BST 欠壓保護功能

綠色環保無鹵，滿足 ROHS 標準

■ 封裝

SOP8/ESOP8

DFN2*2-8

DFN3*3-8

審核編輯：湯梓紅