成功彎道超車！三星明天將開始量產3nm工藝，搶先臺積電一步占領市場
作為晶圓代工界常年第二的三星，一度被臺積電壓一頭，超越臺積電也成為了三星的一個目標。這次三星把目光集中在了3nm工藝上，不僅要搶在臺積電前面完成3nm工藝的量產，還要在3nm工藝的質量上勝過臺積電。
據了解，三星3nm工藝將采用GAAFET全柵極場效應晶體管，相較于之前的FinFET鰭式場效應晶體管更為先進，與7nm工藝相比，三星的3nm工藝將會降低50%功耗，提高35%性能，并且大小僅為7nm的55%，近期還有爆料稱，三星3nm工藝的良率遠超市場預期。
而臺積電的3nm工藝雖然也是今年下半年量產，但至今還未公布具體時間，而且臺積電3nm工藝依舊會采用FinFET鰭式場效應晶體管，相較于三星的GAAFET全柵極場效應晶體管來說自然是落了下風，這次預計三星將成功實現彎道超車，在3nm工藝上領先于臺積電。
不過從之前的報道來看，臺積電貌似并不擔心三星在3nm工藝上將其超過，或許臺積電還有更深的底牌沒有拿出來。
綜合整理自 中關村在線 雷科技 快科技
審核編輯 黃昊宇
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