低正向壓降整流器的電路圖
這是低正向壓降整流器的電路圖。一個(gè) TMOS 功率 FET （Q1） 和一個(gè) LM393 比較器提供了一個(gè)高效整流器電路。當(dāng) V A超過(guò) V B時(shí)，U1 的輸出變?yōu)楦唠娖?，Q1 導(dǎo)通。相反，當(dāng) V B超過(guò) V A時(shí)，比較器輸出變?yōu)榈碗娖?，Q1 不導(dǎo)通。
正向壓降由 Q1 的導(dǎo)通電阻和電流 I 決定。MTH40N05 的導(dǎo)通電阻為 0.028 歐姆；對(duì)于 I = 10 A，正向壓降遠(yuǎn)小于 0.3 V。通常，最有效的肖特基二極管甚至不會(huì)在幾百 mV 以下開(kāi)始導(dǎo)通。
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發(fā)表于 05-30 10:01
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