NP2016 20v n溝道增強型MOSFET概述
描述
NP2016使用先進的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門和收費操作門電壓2.5 v。Thisdevice適合作為負荷開關(guān)或脈寬調(diào)制應(yīng)用程序。
一般特征
? VDS =20V，ID R = 16
DS(上)(Typ) = 11.5 m?@VGS R= 2.5 v
DS(上)(Typ) = 9 m?@VGS = 4.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
?負荷開關(guān)包
? DFN2*2-6L-B
原理圖
標記和引腳分配
DFN2 * 2-6L-B
(厚度0.55毫米)
訂購信息
典型的性能特征
審核編輯：湯梓紅
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