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NP2012(20 v n溝道增強型MOSFET)

啊啊啊得得得 ? 來源:啊啊啊得得得 ? 作者:啊啊啊得得得 ? 2022-07-13 11:14 ? 次閱讀

描述
NP2012使用先進的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門和收費
操作門電壓2.5 v。這設(shè)備適用于作為負荷開關(guān)或脈寬調(diào)制
應(yīng)用程序。

一般特征

? VDS =20V,ID= 12
DS(上)(Typ) = 15 m? @VGS= 2.5 v
DS(上)(Typ) = 12 m? @VGS= 4.5 v

? High 功率 和 電流 處理 能力

? Lead 免費 產(chǎn)品

? Surface 安裝 包

應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
? Load 開關(guān)
封裝
? DFN2*2-6L-B

原理圖

poYBAGLONnyACuMXAAANYCFOZQw622.png

標記和引腳分配

pYYBAGLONuGAWDfjAABZlvRi8S0990.png

訂購信息

poYBAGLOOHaAGP8qAAAzvsyQ8dY554.png

典型的性能特征

pYYBAGLOOBWAK9QoAACvrmx2z7I956.png


審核編輯 黃昊宇

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