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NP30P10G(100V P溝道增強模式MOSFE)

batai ? 來源:batai ? 作者:batai ? 2022-07-14 09:53 ? 次閱讀
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1.描述
NP30P10G采用先進的溝槽技術并設計為提供出色的RDS(ON)

2.一般特征
* 帶低門
* 沖鋒。它可以用于廣泛的應用。
VDS=-100V ID
R=-30a
DS(ON)(典型值)=36 MΩ@VGS
R=-10V
DS(ON)(典型值)=40 MΩ@VGS
* 高功率和電流處理能力
=-4.5V
* 獲得無鉛產品
* 表面貼裝封裝

3.應用程序
* 負荷開關

4.包裝
TO-252-2L

5.示意圖

poYBAGLPdxKAaNo6AAFn9HGsI1I782.png




審核編輯 黃昊宇

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