NP2302CVR（20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET）
描述
NP2302C使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi)
超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制
應(yīng)用程序。
一般特征
? VDS =20V，ID=3A
RDS(上)(Typ) = 41 m?@VGS = 2.5 v
RDS(上)(Typ) = 31 m?@VGS = 4.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
? Lead 免費(fèi) 產(chǎn)品
? Surface 安裝 包
應(yīng)用程序
?PWM程序
?負(fù)荷開(kāi)關(guān)
封裝
?SOT-23
原理圖
標(biāo)記和引腳分配
訂購(gòu)信息
典型的性能特征
審核編輯 黃昊宇
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