電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）7月22日，相控陣T/R組件制造商國(guó)博電子，歷經(jīng)200多天的闖關(guān)，終于在上交所科創(chuàng)板成功敲鐘上市。計(jì)劃募資26.75億元，發(fā)行價(jià)70.88元/股，開盤價(jià)94元/股，截至今日午間收盤，國(guó)博電子股價(jià)為98元/股，漲幅高達(dá)38.26%



國(guó)博電子董事長(zhǎng)梅濱先生，在敲鑼上市儀式上發(fā)表重要講話，他表示“未來將以科創(chuàng)板為新起點(diǎn)，深入落實(shí)國(guó)務(wù)院國(guó)資委提高央企控股上市公司質(zhì)量工作要求，把握市場(chǎng)機(jī)遇，激發(fā)創(chuàng)新活力，勇?lián)鷶?shù)字經(jīng)濟(jì)主力軍責(zé)任，賦能美好數(shù)智生活，加速成長(zhǎng)為全球射頻電子領(lǐng)域行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。”

成立于2000年的國(guó)博電子，深耕有源相控陣T/R組件和射頻芯片兩大領(lǐng)域，目前主營(yíng)產(chǎn)品是T/R組件、射頻模塊、射頻芯片及其他芯片，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于精確制導(dǎo)、雷達(dá)探測(cè)、移動(dòng)通信基站、無線局域網(wǎng)通信系統(tǒng)等領(lǐng)域。營(yíng)收超7成來自軍工應(yīng)用領(lǐng)域，總體以軍用市場(chǎng)為主，民用為輔。

企業(yè)創(chuàng)立20余載，國(guó)博電子先后完成了三輪融資，投資方分別是電科投資、惠華基金、招商證券。值得注意的是，電科投資是中國(guó)電科旗下全資控制的子公司，而中國(guó)電科又是國(guó)務(wù)院國(guó)資委控股。中國(guó)電科通過國(guó)基南方、中國(guó)電科五十五所和電科投資合計(jì)間接持股國(guó)博電子61.62%。

業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)平穩(wěn)，營(yíng)收超6成來自T/R組件，射頻模組增速突出

招股書顯示，2019年-2021年國(guó)博電子營(yíng)業(yè)收入分別為22.25億元、22.12億元、25.09億元；同期取得的凈利潤(rùn)分別為3.67億元、3.08億元、3.68億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率分別為6.18%、0.17%。



從營(yíng)業(yè)收入和凈利潤(rùn)年復(fù)合增長(zhǎng)率不超10%就可以知道，近三年國(guó)博電子的業(yè)績(jī)規(guī)模和盈利能力是增長(zhǎng)平穩(wěn)的。值得注意的是，2020年國(guó)博電子因?yàn)榭蛻艏夹g(shù)方案變化，大功率控制模塊產(chǎn)品銷量下滑，導(dǎo)致當(dāng)期營(yíng)業(yè)收入和凈利潤(rùn)出現(xiàn)雙重下跌。

目前國(guó)博電子主要是通過銷售T/R組件和射頻模塊、射頻芯片來獲益的。有源相控陣T/R 組件覆蓋X波段、Ku波段、Ka波段，具有100GHz及以下頻段有源相控陣T/R組件研制量產(chǎn)能力，年產(chǎn)能達(dá)數(shù)十萬(wàn)通道。

射頻模塊包括大功率控制模塊和大功率放大模塊，其中開發(fā)的大功率控制模塊在通過功率、插損、隔離、等技術(shù)指標(biāo)上優(yōu)于同行競(jìng)品；大功率放大模塊的線性度、效率、可靠性也具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

而國(guó)博電子射頻芯片主要包括射頻放大類芯片、射頻控制類芯片。而在射頻放大類芯片產(chǎn)品主要為低噪聲放大器和功率放大器。在低噪聲放大器方面，針對(duì)5G基站應(yīng)用，國(guó)博電子設(shè)計(jì)了大動(dòng)態(tài)、高線性的低噪聲產(chǎn)品，其噪聲系數(shù)、增益、OIP3、功耗性能指標(biāo)優(yōu)秀。在功率放大器方面，國(guó)博電子針對(duì)移動(dòng)通信基站應(yīng)用主要設(shè)計(jì)了不同輸出功率量級(jí)、頻段及帶寬的高線性HBT放大器。
射頻控制類芯片主要包括射頻開關(guān)和數(shù)控衰減器，產(chǎn)品具有高集成度、高成品率、高性能的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于4G、5G移動(dòng)通信基站等通信系統(tǒng)。

近三年T/R組件是國(guó)博電子的第一大業(yè)務(wù)，2019年-2021年該業(yè)務(wù)銷售收入分別占總營(yíng)收的比例為60.33%、64.28%、67.41%。2021年實(shí)現(xiàn)16.91億元的收入，相比于2020年增長(zhǎng)了18.92%。



射頻模組為國(guó)博電子的第二大業(yè)務(wù)，業(yè)務(wù)收入占比呈逐年上升趨勢(shì)，2021年實(shí)現(xiàn)4.40億元的收入，同比增長(zhǎng)401.45%，收入占比從2020年的3.97%快速提升至17.54%。

射頻放大類芯片、射頻控制類芯片及其他射頻芯片，2021年合計(jì)實(shí)現(xiàn)3.42億元的收入，同比下降49.32%，收入占比13.64%。從各大業(yè)務(wù)收入同比增速來看，射頻模組產(chǎn)品收入增速是最高的，是2021年收入實(shí)現(xiàn)暴漲的產(chǎn)品，表現(xiàn)搶眼。

不過2021年國(guó)博電子銷售數(shù)量最多的是射頻芯片產(chǎn)品，當(dāng)期銷量突破11570萬(wàn)只。同期的射頻模組和T/R組件的銷量分別為654.86萬(wàn)只、11.40萬(wàn)只。

在應(yīng)用領(lǐng)域方面，國(guó)博電子超7成營(yíng)收來自軍品，軍用領(lǐng)域?yàn)樽畲髴?yīng)用領(lǐng)域。2021年民品僅為營(yíng)收貢獻(xiàn)28.58%，達(dá)7.17億元。



國(guó)博電子與可比同行企業(yè)比較情況

射頻芯片市場(chǎng)規(guī)模在持續(xù)穩(wěn)步提升中，根據(jù)Gartner的預(yù)測(cè)，到2026年全球射頻前端市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到210億美元，2019年至2026年間的復(fù)合年增長(zhǎng)率為8.3%。

市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局方面，射頻芯片主要被海外廠商壟斷，國(guó)內(nèi)射頻芯片自給率不到5%。根據(jù)Yole Development統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，2019年全球射頻芯片市場(chǎng)前五大廠商Murata、Skyworks、Broadcom、Qorvo和Qualcomm，合計(jì)占據(jù)射頻前端80%的市場(chǎng)份額。

在有源相控陣T/R組件領(lǐng)域，國(guó)博電子面臨的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手主要是國(guó)基北方/中國(guó)電科十三所、雷電微力、天箭科技。而在射頻集成電路領(lǐng)域，主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手則為Skyworks、Qorvo、Sumitomo Electric、卓勝微、紫光展銳、唯捷創(chuàng)芯、國(guó)民飛驤。

由于2021年一些未上市的公司暫未披露業(yè)績(jī)情況，遂選擇以2020年收入、凈利、毛利率、研發(fā)費(fèi)用率數(shù)據(jù)比較，具體情況如下圖所示：



在營(yíng)收規(guī)模上，國(guó)博電子與卓勝微、唯捷創(chuàng)芯的情況相近。上述對(duì)比的同行企業(yè)研發(fā)費(fèi)用率均未超過10%，國(guó)博電子的研發(fā)費(fèi)用率最高，達(dá)9.38%。在盈利能力方面，國(guó)博電子表現(xiàn)較弱，毛利率水平低于同行大部分企業(yè)。不過在研發(fā)團(tuán)隊(duì)人數(shù)上，國(guó)博電子具有行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，2020年共有194名研發(fā)技術(shù)人員，數(shù)量上遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過天箭科技和雷電微力。

募資26.75億元，擴(kuò)建T/R組件和射頻芯片的生產(chǎn)規(guī)模

今日成功登陸科創(chuàng)板的國(guó)博電子，擬募集26.75億元資金，其中14.75億元投建“射頻芯片和組件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”，剩余12億元用于企業(yè)補(bǔ)充流動(dòng)資金。



射頻芯片和T/R組件是目前國(guó)博電子營(yíng)收的最主要來源，此次上市募投項(xiàng)目也是主要圍繞目前的兩大主營(yíng)產(chǎn)品做技術(shù)升級(jí)、工藝制造和生產(chǎn)擴(kuò)建，增強(qiáng)未來在有源相控陣T/R組件和5G射頻市場(chǎng)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

射頻芯片和組件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目具體的研發(fā)內(nèi)容可歸納為兩點(diǎn)：

1. 提升毫米波T/R組件以及射頻模塊研發(fā)平臺(tái)和制造平臺(tái)能力，同時(shí)增強(qiáng)封測(cè)協(xié)同能力，重點(diǎn)實(shí)現(xiàn)毫米波和太赫茲T/R組件設(shè)計(jì)技術(shù)能力、工藝制造技術(shù)能力、測(cè)試能力、可靠性評(píng)估能力的提升。
2. 加強(qiáng)移動(dòng)通信和終端用射頻芯片，以及微波毫米波芯片的設(shè)計(jì)研發(fā)，提升設(shè)計(jì)平臺(tái)和技術(shù)開發(fā)能力。開展芯片微波、毫米波在片測(cè)試平臺(tái)建設(shè)工作，形成批產(chǎn)測(cè)試平臺(tái)和批量交付能力。

目前國(guó)博電子超7成營(yíng)收來自軍用領(lǐng)域，產(chǎn)品在民用領(lǐng)域的應(yīng)用較少。此次國(guó)博電子有意利用募資提升現(xiàn)有產(chǎn)品性能，保障自身在軍用領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)外，還將積極擴(kuò)展微波毫米波T/R技術(shù)在民用領(lǐng)域的應(yīng)用，同時(shí)開拓在移動(dòng)智能終端射頻前端的應(yīng)用，擴(kuò)大產(chǎn)品覆蓋的應(yīng)用范圍，保障企業(yè)持續(xù)的利潤(rùn)增長(zhǎng)。

在新領(lǐng)域布局方面，國(guó)博電子透露將布局研制開發(fā)基于異構(gòu)集成的射頻微系統(tǒng)技術(shù)，并拓展移動(dòng)終端開關(guān)、天線調(diào)諧器、移動(dòng)終端用接收/發(fā)射/收發(fā)模組等領(lǐng)域的新品開發(fā)。同時(shí)加大研發(fā)投入，儲(chǔ)備面向6G的新技術(shù)。


據(jù)悉，目前國(guó)博電子已經(jīng)成功研制出5G毫米波段MassiveMIMO毫米波有源相控陣組件。2022年5G基站建設(shè)速度顯著加快，僅二季度就新增5G基站近30萬(wàn)個(gè)，全年新建開通5G基站有望超60萬(wàn)個(gè)。5G商用有望帶來一波新需求，國(guó)博電子可抓住機(jī)遇進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)品的市場(chǎng)份額。