思瑞浦秉承獨(dú)立開(kāi)發(fā)、自主創(chuàng)新的理念，自2019年深耕隔離技術(shù)以來(lái)，積累了豐富的發(fā)明專(zhuān)利，其中基礎(chǔ)隔離、傳輸電路、工藝優(yōu)化、新型封裝等技術(shù)發(fā)明專(zhuān)利共計(jì)9項(xiàng)。截至目前，已推出多款隔離系列產(chǎn)品，獲得客戶(hù)認(rèn)可與好評(píng)。

針對(duì)工廠自動(dòng)化、電力自動(dòng)化、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源控制、新能源、醫(yī)療等應(yīng)用場(chǎng)景，思瑞浦隔離產(chǎn)品的隔離耐壓等級(jí)達(dá)到5kVrms以上，ESD靜電保護(hù)達(dá)到±8kV， 防閂鎖（Latch up）能力高達(dá)800mA（高溫125℃），性能與可靠性均處于領(lǐng)先。共模瞬態(tài)抑制（CMTI）達(dá)到200kV/μs，思瑞浦隔離產(chǎn)品的CMTI能力處于國(guó)際領(lǐng)先地位。

01

思瑞浦隔離產(chǎn)品特性

思瑞浦隔離系列產(chǎn)品，均采用自主專(zhuān)利的隔離IP，隔離產(chǎn)品具備如下特性：

工作電壓范圍：2.25V – 5.5V

通訊速率：100Mbps Data Rate

低延時(shí)：12ns

耐壓能力：5kV RMS （WSOP16）

抗浪涌能力：10kV peak （WSOP16）

共模瞬態(tài)抑制能力：±200kV/μs CMTI

寬溫度范圍：?40°C to +125°C

封裝支持：SOP8、WSOP8、SOP16、QSOP16、WSOP16

可靠性防護(hù)能力：

±8kV IEC ESD ±800mA Latch up

完整安規(guī)認(rèn)證報(bào)告：VDE、UL、TUV、CQC、CSA、CB

02

思瑞浦隔離產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

隔離器的核心指標(biāo)：Breakdown Voltage

擊穿電壓Breakdown Voltage（BV）是隔離器的核心指標(biāo)， 思瑞浦的隔離產(chǎn)品Breakdown Voltage達(dá)到10kV，處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

表1：Breakdown Voltage 對(duì)比

國(guó)際先進(jìn)的抗沖擊保護(hù)能力

隔離產(chǎn)品的使用場(chǎng)景比較惡劣，經(jīng)常會(huì)遇到靜電和浪涌沖擊，對(duì)隔離產(chǎn)品的防護(hù)能力提出了很高的要求，思瑞浦隔離產(chǎn)品具備±8kV IC ESD和±6kV防浪涌能力（對(duì)應(yīng)±10kV peak），處于國(guó)際先進(jìn)水平。

表2：抗沖擊保護(hù)能力對(duì)比

±200kV/μs國(guó)際領(lǐng)先共模瞬態(tài)抑制CMTI能力

CMTI即Common Mode Transient Immunity，共模瞬變抗擾度，衡量器件在共模電壓瞬變時(shí)依然能夠正常傳輸信號(hào)的能力，參數(shù)值是共模瞬變的最大Slew Rate，反映出隔離產(chǎn)品對(duì)共模瞬變干擾的抑制能力。如圖1所示，為數(shù)字隔離器CMTI測(cè)試模型框圖。

圖1： CMTI測(cè)試模型

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)等典型應(yīng)用中，使用PWM脈寬控制柵極驅(qū)動(dòng)和MOS FET，后者用來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)。MOS FET等功率器件往往工作在硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，若使用普通的硅MOS FET，產(chǎn)生的電壓跳變（dV/dt）干擾通常在40kV/μs以?xún)?nèi)，大多數(shù)的隔離產(chǎn)品CMTI都可以滿(mǎn)足該需求。而同樣參數(shù)的碳化硅/氮化鎵器件，開(kāi)關(guān)速度更快，特別是下降沿時(shí)會(huì)更加惡劣，在使用碳化硅MOS FET時(shí)，所產(chǎn)生共模干擾的最大下降斜率會(huì)達(dá)到200kV/μs，因此要求隔離產(chǎn)品具備200kV/μs以上CMTI能力。如圖2模擬CMTI下降沿測(cè)試電路，圖3顯示思瑞浦隔離器CMTI達(dá)到200kV/us以上，表格3的數(shù)據(jù)也是基于此條件而得出。

圖2：CMTI下降沿測(cè)試電路

圖3：CMTI下降沿測(cè)試波形

表3：CMTI性能對(duì)比

CMTI分為靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種，靜態(tài)CMTI衡量輸入穩(wěn)定時(shí)抗共模電壓瞬變干擾的能力，動(dòng)態(tài)CMTI的測(cè)試中共模電壓瞬變出現(xiàn)在輸入信號(hào)跳變的邊沿處，情況更為惡劣。如果隔離產(chǎn)品的CMTI能力不夠，dV/dt干擾會(huì)對(duì)控制信號(hào)造成很大的影響。思瑞浦隔離產(chǎn)品具備 ±200kV/μs的靜態(tài)CMTI， 動(dòng)態(tài)CMTI也高達(dá)±150kV/μs，優(yōu)于國(guó)內(nèi)外同類(lèi)產(chǎn)品，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。

TDDB測(cè)試展現(xiàn)高可靠性

經(jīng)時(shí)擊穿TDDB（Time dependent dielectric breakdown，）是業(yè)界通用的評(píng)測(cè)柵氧可靠性的實(shí)驗(yàn)方法，基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)還可以建立柵氧使用壽命預(yù)測(cè)模型、柵氧不良品篩選模型等，滿(mǎn)足器件的可靠性要求。思瑞浦針對(duì)隔離器件建立了高壓TDDB實(shí)驗(yàn)室，通過(guò)高壓高溫加速，測(cè)量大量樣品數(shù)據(jù)，長(zhǎng)時(shí)間測(cè)量的方式嚴(yán)格評(píng)測(cè)隔離器件TDDB數(shù)據(jù)。如下TDDB結(jié)果表明思瑞浦隔離器件可以穩(wěn)定工作超過(guò)100年。

安規(guī)認(rèn)證是幫助證明了隔離芯片在0時(shí)刻的安全等級(jí)，并不能證明隔離芯片在10年，甚至20年后的工作狀態(tài)，而VDE0884-11規(guī)范明確要求VIOWM（隔離芯片的工作耐壓）必須經(jīng)過(guò)TDDB驗(yàn)證才能標(biāo)識(shí)。因此工程師在選型時(shí)隔離芯片時(shí)，推薦選擇VIOWM 完成TDDB測(cè)試的型號(hào)。

思瑞浦隔離產(chǎn)品是完全獨(dú)立開(kāi)發(fā)，并擁有自主專(zhuān)利，具備高隔離電壓，高抗沖擊能力，相關(guān)技術(shù)指標(biāo)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平，可以滿(mǎn)足大多數(shù)工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的可靠性需求。隔離耐壓等級(jí)高、靜電保護(hù)與浪涌防護(hù)能力強(qiáng)、±200kV/μs國(guó)際領(lǐng)先的CMTI能力，全系列產(chǎn)品經(jīng)過(guò)TDDB嚴(yán)格測(cè)試，特別適合各種新能源等應(yīng)用場(chǎng)景，尤其是滿(mǎn)足第三代功率半導(dǎo)體碳化硅/氮化鎵的設(shè)計(jì)需求。應(yīng)用在工廠自動(dòng)化、電力自動(dòng)化、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源控制、新能源、醫(yī)療等場(chǎng)景，能保證足夠的設(shè)計(jì)余量，提高系統(tǒng)的魯棒性。

思瑞浦今年將持續(xù)推出更多的隔離系列產(chǎn)品：隔離運(yùn)放、隔離驅(qū)動(dòng)、隔離電源等，敬請(qǐng)期待！