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思瑞浦推出多款隔離系列產品并獲得客戶認可與好評

lPCU_elecfans ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:電子發燒友網 ? 2022-07-28 09:17 ? 次閱讀

思瑞浦秉承獨立開發、自主創新的理念,自2019年深耕隔離技術以來,積累了豐富的發明專利,其中基礎隔離、傳輸電路、工藝優化、新型封裝等技術發明專利共計9項。截至目前,已推出多款隔離系列產品,獲得客戶認可與好評。

針對工廠自動化、電力自動化、電機驅動、電源控制、新能源、醫療等應用場景,思瑞浦隔離產品的隔離耐壓等級達到5kVrms以上,ESD靜電保護達到±8kV, 防閂鎖(Latch up)能力高達800mA(高溫125℃),性能與可靠性均處于領先。共模瞬態抑制(CMTI)達到200kV/μs,思瑞浦隔離產品的CMTI能力處于國際領先地位。

01

思瑞浦隔離產品特性

思瑞浦隔離系列產品,均采用自主專利的隔離IP,隔離產品具備如下特性:

工作電壓范圍:2.25V – 5.5V

通訊速率:100Mbps Data Rate

低延時:12ns

耐壓能力:5kV RMS (WSOP16)

抗浪涌能力:10kV peak (WSOP16)

共模瞬態抑制能力:±200kV/μs CMTI

寬溫度范圍:?40°C to +125°C

封裝支持:SOP8、WSOP8、SOP16、QSOP16、WSOP16

可靠性防護能力:

±8kV IEC ESD ±800mA Latch up

完整安規認證報告:VDE、UL、TUV、CQC、CSA、CB

02

思瑞浦隔離產品優勢

隔離器的核心指標:Breakdown Voltage

擊穿電壓Breakdown Voltage(BV)是隔離器的核心指標, 思瑞浦的隔離產品Breakdown Voltage達到10kV,處于國內領先水平。

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表1:Breakdown Voltage 對比

國際先進的抗沖擊保護能力

隔離產品的使用場景比較惡劣,經常會遇到靜電和浪涌沖擊,對隔離產品的防護能力提出了很高的要求,思瑞浦隔離產品具備±8kV IC ESD和±6kV防浪涌能力(對應±10kV peak),處于國際先進水平。

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表2:抗沖擊保護能力對比

±200kV/μs國際領先共模瞬態抑制CMTI能力

CMTI即Common Mode Transient Immunity,共模瞬變抗擾度,衡量器件在共模電壓瞬變時依然能夠正常傳輸信號的能力,參數值是共模瞬變的最大Slew Rate,反映出隔離產品對共模瞬變干擾的抑制能力。如圖1所示,為數字隔離器CMTI測試模型框圖。

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圖1: CMTI測試模型

在電機驅動等典型應用中,使用PWM脈寬控制柵極驅動和MOS FET,后者用來驅動電機。MOS FET等功率器件往往工作在硬開關狀態下,若使用普通的硅MOS FET,產生的電壓跳變(dV/dt)干擾通常在40kV/μs以內,大多數的隔離產品CMTI都可以滿足該需求。而同樣參數的碳化硅/氮化鎵器件,開關速度更快,特別是下降沿時會更加惡劣,在使用碳化硅MOS FET時,所產生共模干擾的最大下降斜率會達到200kV/μs,因此要求隔離產品具備200kV/μs以上CMTI能力。如圖2模擬CMTI下降沿測試電路,圖3顯示思瑞浦隔離器CMTI達到200kV/us以上,表格3的數據也是基于此條件而得出。

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圖2:CMTI下降沿測試電路

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圖3:CMTI下降沿測試波形

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表3:CMTI性能對比

CMTI分為靜態和動態兩種,靜態CMTI衡量輸入穩定時抗共模電壓瞬變干擾的能力,動態CMTI的測試中共模電壓瞬變出現在輸入信號跳變的邊沿處,情況更為惡劣。如果隔離產品的CMTI能力不夠,dV/dt干擾會對控制信號造成很大的影響。思瑞浦隔離產品具備 ±200kV/μs的靜態CMTI, 動態CMTI也高達±150kV/μs,優于國內外同類產品,處于國際領先水平。

TDDB測試展現高可靠性

經時擊穿TDDB(Time dependent dielectric breakdown,)是業界通用的評測柵氧可靠性的實驗方法,基于實驗數據還可以建立柵氧使用壽命預測模型、柵氧不良品篩選模型等,滿足器件的可靠性要求。思瑞浦針對隔離器件建立了高壓TDDB實驗室,通過高壓高溫加速,測量大量樣品數據,長時間測量的方式嚴格評測隔離器件TDDB數據。如下TDDB結果表明思瑞浦隔離器件可以穩定工作超過100年。

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安規認證是幫助證明了隔離芯片在0時刻的安全等級,并不能證明隔離芯片在10年,甚至20年后的工作狀態,而VDE0884-11規范明確要求VIOWM(隔離芯片的工作耐壓)必須經過TDDB驗證才能標識。因此工程師在選型時隔離芯片時,推薦選擇VIOWM 完成TDDB測試的型號。

思瑞浦隔離產品是完全獨立開發,并擁有自主專利,具備高隔離電壓,高抗沖擊能力,相關技術指標處于國內領先、國際先進水平,可以滿足大多數工業應用場景的可靠性需求。隔離耐壓等級高、靜電保護與浪涌防護能力強、±200kV/μs國際領先的CMTI能力,全系列產品經過TDDB嚴格測試,特別適合各種新能源等應用場景,尤其是滿足第三代功率半導體碳化硅/氮化鎵的設計需求。應用在工廠自動化、電力自動化、電機驅動、電源控制、新能源、醫療等場景,能保證足夠的設計余量,提高系統的魯棒性。

思瑞浦今年將持續推出更多的隔離系列產品:隔離運放、隔離驅動、隔離電源等,敬請期待!

審核編輯:彭靜
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原文標題:思瑞浦全自主研發專利隔離產品,CMTI 200kV/μs

文章出處:【微信號:elecfans,微信公眾號:電子發燒友網】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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