隨著功能安全要求日益受到重視，改進系統診斷功能勢在必行。其中，電流測量便是診斷評估的一項重要內容。要確定設計的測量精度，務必要了解誤差源。

正如之前在信號鏈基礎知識 #141中所述，了解如何解讀數據表對于計算高側電流測量的精度非常重要。此外，了解外部元件的影響對于獲得正確的電流測量結果也至關重要。

高側電流檢測實現

在高側配置中，有兩種常用的電流測量方法：

使用差分運算放大器，如圖1所示。

圖1用于高側電流測量的運算放大器電路

使用電流檢測放大器，如圖2所示。

圖2用于高側電流測量的電流檢測放大器電路

這兩種方法具有一些根本的區別，主要體現在電流檢測放大器集成了增益電阻器網絡，而運算放大器則使用外部分立式電阻器作為其增益網絡。無論您使用哪種方案，基本系統傳遞函數都適用，如公式1所示：

公式1

其中

y是輸出電壓 (VOUT)。

m 是系統增益，對于此系統為RSHUNT×G。G是為大多數電流檢測放大器預定義的，而對于運算放大器，則為RF/RI。

x是輸入電流(I)。

b 是系統的失調電壓。如果系統測量雙向電流，當輸入電流為零時，b 是輸出電壓。如果單向測量，b在0A下的理想電壓為0V，但它可能會受到放大器輸出擺幅規格的限制。對于運算放大器和電流檢測放大器，VOFFSET 通常是以輸入為參考規格。因此，b實際上還需要考慮系統的增益。

電流測量的傳遞方程可改寫為公式2：

公式2

基于此基本傳遞函數，有兩種誤差類型：增益和失調電壓。

增益誤差

系統增益誤差有兩個主要來源：分流電阻器和放大器增益。分流電阻器誤差對于運算放大器或電流檢測放大器是常見的，通過查看電阻器規格表很容易確定，而放大器的增益誤差則取決于選擇的放大器方案。

對于差分運算放大器方案，如前所述，增益是兩個電阻器的比率，即RF/RI。要計算誤差，需查看電阻器的數據表。典型分立增益網絡電阻器的容差為0.5%、100ppm/°C。要計算此比率的最大誤差，需假設一個電阻處于最大值，而另一個電阻處于最小值。這會在室溫下產生1%的誤差，并且由于假設會發生反向漂移，因此在125°C下為3%。

對于電流檢測放大器，增益誤差通常列在數據表中。圖3顯示了德州儀器(TI)INA186-Q1的增益誤差?？梢钥吹?，室溫下的增益誤差為1.0%。溫漂為10ppm/°C時，125°C下的增益誤差為1.1%。

圖3INA186-Q1增益誤差和增益誤差漂移規格數據表

這是TI電流檢測放大器的一個主要優勢：精度匹配的集成增益網絡可更大限度地減少溫漂效應。對于運算放大器電路，您可以使用精度匹配的電阻器網絡，但它們會顯著提高方案成本。

偏移誤差

如上所述，輸出失調電壓必須包括增益。由于失調電壓通常指定為以輸入為參考，因此公式3按如下所示計算失調電壓誤差：

公式3

從公式3中可以看出，當VSHUNT(IxRSHUNT) 接近失調電壓值時，失調電壓誤差很重要，并且隨著電流變為0，失調電壓誤差將接近無窮大。相反，如果VSHUNT>>VTOTAL OFFSET，那么此誤差項將接近0。

總輸入參考失調電壓具有三個主要組成部分：

放大器VOFFSET規格和漂移。

共模抑制比(CMRR)。

電源抑制比(PSRR)。

由于放大器的VOFFSET通常在固定共模電壓和電源電壓下指定，因此CMRR和PSRR也是造成失調電壓誤差的因素。圖4顯示了INA186-Q1的固定值，圖5顯示了常用運算放大器TI TLV2186的固定值。

圖4INA186-Q1在固定共模電壓和電源電壓規格下的CMRR和PSRR數據表

圖5TLV2186在固定共模電壓和電源電壓規格下的CMRR和PSRR數據表

正如信號鏈基礎知識 #141 中所述，數據表中電流檢測放大器的VOFFSET指定方式與運算放大器不同。具體而言，電流檢測放大器失調電壓包括集成電阻器網絡的影響，而運算放大器VOFFSET僅適用于器件。運算放大器方案中的總失調電壓需要將外部電阻器的影響考慮在內。

由于電流從共模電壓流經外部電阻器，因此可將外部電阻器視為導致共模抑制誤差的原因。假設所有四個增益電阻器具有相同的容差，根據公式4，電路的增益和電阻器的容差將確定“電阻器CMRR”：

公式4

圖6所示為不同增益和電阻器容差下計算出的電阻器CMRR（以分貝為單位），您可從中看到不同增益和電阻器容差所產生的影響。

圖6在三種不同增益配置、不同電阻容差下計算出的CMRR值

對于電流檢測放大器，只需將CMRR和PSRR的影響添加到器件的失調電壓規格中，即可計算出總輸入失調電壓。通常會在整個溫度范圍內指定CMRR和PSRR；因此，任何漂移影響都已考慮在內。但是，計算不同溫度下的誤差時必須考慮溫漂。

總誤差

理論上，最壞情況下的總誤差只是各個誤差項的總和。從統計學角度講，所有誤差同時發生的這種情況不太可能發生。因此，使用平方和根方法（公式5）計算一階總誤差：

公式5

圖7列出了使用INA186-Q1和TLV2186且增益為20時的關鍵性能指標。

圖7使用INA186-Q1或TLV2186實現高側電流測量應用的關鍵性能指標

圖8展示了兩種方案使用10mΩ、0.5%、50ppm/°C RSHUNT 分別在室溫和125°C 時用公式5計算得出的以下誤差曲線。

圖8高側電流測量方案結合使用INA186-Q1或TLV2186以及10mΩ、0.5%、50ppm/°C RSHUNT 時的平方和根誤差曲線

從圖7和圖8中可以看出，外部增益電阻器是分立式方案的主要誤差源，在溫度變化時尤為明顯。校準可以更大限度地降低室溫下的失調電壓誤差，但溫漂不容易校準。

總結

通過增加可實現的設計裕度，提高電流檢測方案的精度可以提高系統的診斷能力。但與任何電子系統一樣，提高精度通常需要增加系統成本。通過了解不同工作條件下的誤差源及其影響，您能夠在成本和精度之間做出適當的權衡。

參考文獻

審核編輯：湯梓紅