據(jù)說(shuō)今年的秋招已經(jīng)開(kāi)始了，作者君自己之前找工作的時(shí)候，記錄下來(lái)了一些比較基本的筆試面試題目，分享給大家，希望能幫大家鞏固所學(xué)的基本知識(shí)。

（因?yàn)閼校幌雟isio畫(huà)圖，請(qǐng)大家忍耐一下有些潦草的字跡，謝謝啦）

電流鏡的設(shè)計(jì)考量

這道題主要是考察電流鏡的設(shè)計(jì)考量。

假如圖中的兩個(gè)管子M1和M2之間有mismatch，比如Vth有偏差（偏差是一定有的，特別是當(dāng)L的取值比較小的時(shí)候，越是明顯），如果先忽略掉Vds的影響，需要重視什么變量呢？

按照上面的計(jì)算，Id1和Id2之間的差別約等于gm×ΔVth. 又因?yàn)間m與寬長(zhǎng)比的平方根正相關(guān)，而ΔVth的公式里面，長(zhǎng)寬的乘積的平方根是在分母位置，分子的Δ是一個(gè)跟工藝參數(shù)有關(guān)的量（我們動(dòng)不了），所以兩者相乘起來(lái)，gm×ΔVth的值和Δ/L正相關(guān)。

因此，如果想要減少電流鏡的offset，我們特別需要注意的地方就是兩個(gè)管子的L的取值。一般情況下，L取的比較大有利于減小offset。（當(dāng)然了，電流一定的情況下，L要變大，W自然也要跟著變大，兩者都變大了，有關(guān)的寄生電容也會(huì)變大……又是一個(gè)tradeoff的閉環(huán)-_-）

電流產(chǎn)生電路

這道題的考察其實(shí)類似bandgap了，問(wèn)的就是下面那個(gè)R到底是應(yīng)該在M1的下面，還是M2的下面。

如果在M1的gate和M2的gate之間斷開(kāi)，從V1開(kāi)始看，經(jīng)過(guò)M1，M3，到M4，M2，可以看出來(lái)，這個(gè)loop是個(gè)正反饋環(huán)路。（不知道大家還記不記得我之前提過(guò)的很個(gè)人的習(xí)慣：gate到drain是-，gate到source是+）

對(duì)于一個(gè)不想讓它震蕩起來(lái)的正反饋環(huán)路（請(qǐng)回憶一下巴特豪森定律），環(huán)路增益必須要小于1.

上面的圖里，我計(jì)算了從V1到V2，V2=V3，V3到V4的增益。總的環(huán)路增益就是A1乘以A2，約等于1/(gm2R).如果R不是很小，這個(gè)A一般來(lái)說(shuō)是小于1的。

PS：如果是典型的constant gm電路，可以讓M1的W是M2的四倍，然后R約等于1/gm2，然后最后生成的電流大致上等于Vov/R. 比較典型的Vov等于兩三百mV，選擇合適的R，就能得到需要的電流。（Razavi的書(shū)里figure11.3，如果考慮body effect，Razavi建議把R放在PMOS上面）

大家可以試一下把R放在M2的source下面，可以算出來(lái)A大概是gm1?(1/gm2+R).這個(gè)乘積一般是大于1的。

五管運(yùn)放的PSRR計(jì)算

一個(gè)掛著C1和C2兩個(gè)load的五管運(yùn)放，計(jì)算它的PSRR.

首先畫(huà)小信號(hào)模型，右上角那一塊。

然后是Vo那里的KCL，得到Vo和VDD之間的關(guān)系。已知Vo和Vin的比值是電容分壓，因此可以得到最后的PSRR值是跟gm2ro4的乘積成正比。所以為了增大PSRR，就可以從這兩個(gè)變量下手，增大gm2(比如增大寬長(zhǎng)比，增大偏置電流)，增大ro4(比如M3和M4的L增大），都可以達(dá)到目的。

這次的分享就是這三道題。還有一些就留著下次再說(shuō)吧！讀者們?nèi)绻灿胁诲e(cuò)的題目分享，請(qǐng)留言！謝謝！

審核編輯：湯梓紅