1、ASIC設計流程

ASIC（專用集成電路）的設計如下，Front-end部分是前端設計，Back-end部分是后端設計。

圖片來源：學堂在線《IC設計與方法》

Funct.Spec代表設計需求，在具體設計需求提出后，編寫RTL代碼（Verilog代碼設計電路的一種設計類別）；RTL代碼編譯完成，進行Function.Simul，即仿真；仿真結束后，進行邏輯綜合（Logic Synth.），將Verilog代碼轉化為電路，術語稱該電路為門級網單（Gate-Level Net.）。

邏輯綜合（Logic Synth.）過程需要約束（Stat. Wire Model）以產生規(guī)定條件下的電路。具體電路設計完成后，需進行門級仿真（Gate-Lev.Sim），以檢查電路設計是否出現失誤。

門級網單確定后，進入后端設計。首先是布局規(guī)劃（Floorplanning），擺放門級網單中的各個元器件位置。然后是布局和布線（Place&Route），將各個元器件連接。最后產生電路的版圖（Layout）。

在將電路的版圖加工制造前，為防止后端設計失誤，需要進行驗證。驗證前需提取版圖的寄生參數（Parasitic Extrac.），寄生參數包括導線的寄生電容、寄生電感、寄生電阻，寄生參數會造成信號傳輸延時、失真、干擾。驗證中，將寄生參數反標到門級網單上，再次做門級仿真（Gate-Lev.Sim）。最終的仿真結果沒有問題后，電路版圖可以用于加工制造。

2、邏輯綜合

芯片代碼仿真的下一步是邏輯綜合，邏輯綜合將Verilog代碼轉化為電路圖。邏輯綜合的目的是決定門級結構，尋求時序、面積、功耗的平衡。尋求平衡的方式有兩種：約束驅動和路徑驅動。

約束驅動是平衡面積和速度的方式。一個廠家（如TSMC）的一種工藝條件（如0.18um工藝）下，芯片的速度快和面積小相互制約，速度更快的芯片需要更大的面積，面積更小的芯片速度更慢。不同廠家的同種工藝面積和速度的制約程度不一定相同，有經驗的設計人員可以選擇合適的廠家尋求最優(yōu)的面積和速度。

圖片來源：學堂在線《IC設計與方法》

路徑驅動是將電路中的元器件以最優(yōu)的方式連接。

圖片來源：學堂在線《IC設計與方法》

邏輯綜合過程可運用預先設計完成的邏輯單元，提高設計效率。邏輯單元包括標準單元和宏單元。標準單元的尺寸有一定的標準，包括基本門電路、寄存器等。宏單元功能相對復雜，難以在固定高度內安裝，包括RAM存儲器、ROM存儲器、數值運算單元等。

標準單元的名稱詳細，如ARM UMC L180GⅡ 1.8V標準單元庫表示：由ARM公司（個人理解：設計公司）提供的，針對UMC（聯(lián)華電子公司，個人理解：制造公司）廠家的，針對邏輯工藝的，180nm（0.18um）的，GⅡ工藝的，1.8V的標準單元庫。

標準單元包括元器件數量多，ARM UMC L180GⅡ 1.8V標準單元庫包含124種元器件，數量為470個。

邏輯綜合過程還需進行靜態(tài)時序分析。靜態(tài)時序分析的前提是觸發(fā)器使用同一時鐘，即全同步電路。靜態(tài)時序分析的準則為：

時鐘周期>Clockto Q+穿越組合邏輯電路的最長延時+Set up

其中Clock to Q是時鐘沿出現到觸發(fā)器輸出信號的延時，Set up時間是下一級觸發(fā)器輸入信號穩(wěn)定建立的延時。

圖片來源：學堂在線《IC設計與方法》

當靜態(tài)時序分析的準則成立時，時序邏輯電路可以穩(wěn)定工作。

審核編輯 ：李倩