直接半導(dǎo)體遠(yuǎn)場輻射

電磁輻射可能或輻射或傳導(dǎo)，后者為噪聲電壓或電流噪聲。 一般來講，半導(dǎo)體器件是 EME 的來源，如微控制器。眾所周知，越接近噪聲源，電磁輻射的對策越廉價。由于大部分標(biāo)準(zhǔn)的 EME 輻射測量是用遠(yuǎn)場(r>?)定義的，所以本應(yīng)用筆記以半導(dǎo)體器件的直接輻射為開端介紹遠(yuǎn)場。

流過電線的任何電流都會引起遠(yuǎn)場輻射，為了得到可接受的半導(dǎo)體輻射的最差情況，具有極端參數(shù)的平直導(dǎo)線(赫茲偶極子)和電流環(huán)路應(yīng)按下列公式計算:

2.1.1 平直導(dǎo)線(赫茲偶極子)

在自由空間(周圍無導(dǎo)電材料)里，據(jù)[1]最高電場‘情況下可以按下式計算:

例如:

根據(jù) IEC61967–4 標(biāo)準(zhǔn)，展示了典型的器件在 20dBμA(10μA )、100MHZ(?= 3m)條件下的地電流 。 假定此電流經(jīng)過 10mm 長的獨(dú)立導(dǎo)線，并且返回電流離(無賠償遠(yuǎn)場)此電場在 10m 之外，計算如下:

上面是近似極端的假設(shè)，實(shí)際直接輻射裝置應(yīng)遠(yuǎn)低于-6 dBμV/m。 很明顯，和普通器件輻射的強(qiáng)度相比，片內(nèi)導(dǎo)線的直接器件輻射可以忽略不計。

2.1.2 電流環(huán)路

假定電流為 100μA(40 dBμA)、頻率為 100MHz(?=3m)、環(huán)路面積為 1mm2、測量距離為 10m，產(chǎn)生的電場是:

顯然來自片上環(huán)路電流的直接器件輻射可以忽略，如電源等。尤其是這是在基于極端的假定的情況下計算的。

2.2 近場輻射

一般來講，從近場到遠(yuǎn)場的過度是與信號的波長相關(guān)的。在式[1]，如果為近場，中間有個過度區(qū)間。一般來說，由于結(jié)構(gòu)而引起的射頻功率應(yīng)保持足夠小以使它們遠(yuǎn)場發(fā)射低。即使這樣，近場輻射可以在附近激勵天線結(jié)構(gòu)，并且明顯地增強(qiáng)遠(yuǎn)場輻射。這些系統(tǒng)效果不在這里贅述。

審核編輯：湯梓紅