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加賀富儀艾電子加快基于氮化鎵USB-C PD電源適配器的研發

加賀富儀艾電子 ? 來源:加賀富儀艾電子 ? 作者:加賀富儀艾電子 ? 2022-08-16 14:07 ? 次閱讀

近日,加賀富儀艾電子旗下代理品牌Transphorm宣布推出七款參考設計,旨在加快基于氮化鎵USB-C PD電源適配器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項,覆蓋多種拓撲結構、輸出和功率(45W至140W)。

SuperGaN技術的差異化優勢

電源適配器參考設計采用SuperGaN第IV代650V FET,具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢,這些特點已經成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中,與175毫歐的e-mode氮化鎵器件相比,Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電阻上升幅度,并在50%和100%(全)功率下擁有更高的性能。

比較和評估氮化鎵功率器件,產品的數據規格書是需要考慮的重要因素。然而,單憑這些產品規格數據本身,并不能確定哪一種GaN器件更適合于一款電力系統設計。針對應用實例進行的測試通常能夠更好地揭示關鍵的器件性能,下面就是一例——這里將 Transphorm 的一款適用于USB-C PD充電器的SuperGaN FET功率管與目前市面上的一款增強型器件做了比較。

電源適配器參考設計

Transphorm的參考設計組合包括五款開放框架的USB-C PD參考設計,頻率范圍從140kHz到300kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開發的一款65W有源鉗位反激模式(ACF)參考設計,運行頻率為140kHz,峰值效率為94.5%。

45W適配器參考設計(一款):采用準諧振反激模式(QRF)拓撲結構,可提供24W/in3的功率密度。

65W適配器參考設計(三款):采用ACF或QRF拓撲結構,可提供30W/in3的功率密度。

100W適配器參考設計(一款):采用功率因數校正(PFC)+QRF拓撲結構,可提供18W/in3的功率密度。

Transphorm的參考設計組合還包括兩款開放框架的USB-C PD/PPS參考設計,頻率范圍110kHz到140kHz。Transphorm與Diodes Inc.合作開發了這兩款解決方案,利用該公司的ACF控制器實現了超過93.5%的峰值效率。

65W適配器參考設計(一款):采用ACF拓撲結構,可提供29W/in3的功率密度。

140W適配器參考設計(一款):采用PFC+ACF拓撲結構,可提供20W/in3的功率密度。

Transphorm獨具優勢,可提供能適用于廣泛應用的、涵蓋眾多功率水平的氮化鎵FET組合。我們的電源適配器參考設計凸顯出我們的低功率能力。我們提供與控制器無關的PQFN和TO-220器件,可以極大地簡化設計。這些優勢以及其他特點有助于客戶快速、輕松地將具有突破性功率效率水平的氮化鎵解決方案推向市場。這正是Transphorm氮化鎵器件的價值所在。——Transphorm現場應用和技術銷售副總裁Tushar Dhayagude

審核編輯:彭靜
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原文標題:這7款參考設計組合,將加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開發

文章出處:【微信號:Fujitsu_Semi,微信公眾號:加賀富儀艾電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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