為什么APEX決定在新的PWM放大器中集成SiC而不是GaN？

碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有類似的高寬帶隙能量，從而使它們?cè)陂_(kāi)關(guān)能力、效率、大功率和高壓處理方面比硅、鍺或砷化鎵等其他半導(dǎo)體更具優(yōu)勢(shì)。

但是為什么我們使用SiC，而不是GaN？因?yàn)殡m然帶隙能量類似，但是SiC和GaN在擊穿電壓和開(kāi)關(guān)速度方面有所不同。

GaN更適合高頻應(yīng)用，而SiC器件的擊穿電壓較高。

SiC和GaN的另一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別是導(dǎo)熱率。碳化硅的導(dǎo)熱率比GaN高很多，因而在涉及高溫或大功率的應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。

此外，SiC RDS(ON)的溫度依賴性比GaN低很多。在結(jié)溫從室溫升高至125°C時(shí)，GaN器件的導(dǎo)通電阻將升高一倍以上，而典型的SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻僅上升25%左右。

這是APEX在持續(xù)擴(kuò)展產(chǎn)品組合過(guò)程中利用的一個(gè)重要SiC器件特征，APEX此舉旨在支持達(dá)到甚至超過(guò)150°C的高溫應(yīng)用。




審核編輯：劉清