墊腳石是用來幫助旅行者過河的。只要有連接河兩岸的墊腳石，人們只要幾步就可輕易過河。利用同樣的原理，來自浦項科技大學(xué)（POSTECH）的一個研究團(tuán)隊開發(fā)了一項技術(shù)，通過放置‘墊腳石’將半導(dǎo)體器件的功耗減半。

由POSTECH的Junwoo Son教授和Minguk Cho博士（材料科學(xué)與工程系）領(lǐng)導(dǎo)的一個研究團(tuán)隊通過插入鉑納米顆粒，成功地且最大限度地提高了氧化物半導(dǎo)體器件的開關(guān)效率。

具有金屬-絕緣體相變的氧化物材料是制造低功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料，因為這種材料的相位在達(dá)到閾值電壓時可迅速從絕緣體轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘佟?/p>

當(dāng)幾個納米（nm，十億分之一米）單位大的絕緣體區(qū)域轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘賲^(qū)域時，就會發(fā)生金屬-絕緣體相變。而關(guān)鍵是降低施加在器件上的電壓的大小，以提高半導(dǎo)體器件的開關(guān)效率。

研究團(tuán)隊通過使用鉑納米顆粒成功地提高了器件的開關(guān)效率。當(dāng)向設(shè)備施加電壓時，電流“跳過”這些粒子，并發(fā)生快速相變。

該設(shè)備的記憶效果也增加了一百多萬倍。一般來說，電壓切斷后，該設(shè)備會立即變?yōu)榻^緣體相，此時沒有電流流動；這個持續(xù)時間非常短，只有百萬分之一秒。然而，據(jù)證實，記住設(shè)備先前點火的記憶效果可以增加到幾秒鐘，并且由于鉑納米顆粒附近殘留的金屬區(qū)域，設(shè)備可以在相對低的電壓下再次運行。

這項技術(shù)預(yù)計對于開發(fā)下一代電子設(shè)備至關(guān)重要，例如智能半導(dǎo)體或神經(jīng)形態(tài)半導(dǎo)體設(shè)備，它們可以用更少的功率處理大量數(shù)據(jù)。

審核編輯 ：李倩