PhotoMOS MOSFET光控繼電器控制電路
前言
Ph元件和功率MOSFET,是作為微小模擬信號用而開發出的SSD,以高功能型的HF型為首,正逐步擴展系列,如通用型的GU型、高頻型的RF型.
此次將介紹內置在PhotoMOS中構成控制電路的獨特的光電元件的特點、構造、布線等.
FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出元件的功率MOSFET是電壓驅動型元件,因此利用光電二極管陣列(P.D.A)所供給的電壓使柵極容量充電,致使柵極電壓上升至接通電壓(閾值),從而使MOSFET輸出光電耦合器動作。
圖1 FET型MOSFET輸出光電耦合器基本電路
然而,要使MOSFET輸出光電耦合器復位,則需要做與上述動作相反的工作,即讓柵極內充電的電荷盡量快速地放電。在圖1所示的電路中,由于復位時間過長,故不能作為MOSFET輸出光電耦合器使用。PhotoMOS利用圖2所示的內置于光電元件的控制電路來解決這些問題。該控制電路為實現動作時間與復位時間保持平衡的良好的轉換特性,以及輸入LED電流的良好的靈敏度特性發揮著最關鍵的作用.
圖2 PhotoMOS 等效電路
光電元件內的控制電路示例
關于光電元件內部所內置的控制電路,如圖3-圖5所示,迄今為止提出了以下若干種電路。下面將簡單地介紹這些電路.
圖3的控制電路
圖3的電路圖是最基本的電路,我們為了加快斷開時間,使輸出MOS的柵極電荷在斷開時放電,因此在柵極?源極之間連接固定電阻.但是,在接通電路時,為了使輸出MOS的柵極容量得到充電,使用了光電二極管陣列(P.D.A),其產生的光電流在通過該電阻時會發生漏電,從而導致接通時間變長.
圖3 FET型MOSFET輸出光電耦合器控制電路
另外,還存在以下缺點:如圖6所示,相對于輸入電流的變化,輸出電流也平緩地發生變化,因此轉換元件所要求的速動性會變差,另外因溫度變化所引起的特性變動也較大。
圖6 MOSFET輸出光電耦合器的磁保持特性
圖 4的控制電路
該電路的速動性要比(a)電路好,但是,由于插入在輸出MOS柵極?源極之間的晶體管為常開型,因此抗外來干擾性較差。
圖4 FET型MOSFET輸出光電耦合器控制電路
圖 5的控制電路
作為放電電路,該電路使用常閉型元件,因此斷開時輸出MOS的電荷會急速放電。另外接通時,該元件被第二光電二極管陣列(P.D.A)偏壓,形成開路狀態,從而使第一光電二極管陣列(P.D.A)所產生的光電流被高效快速地傳導至輸出MOS的柵極,因此與(a)的電路相比,接通時間就變短了。
另外,利用該常閉型元件還可大幅度地改善速動性。但與此同時該控制電路必須具備二個光電二極管陣列.
圖5 FET型MOSFET輸出光電耦合器控制電路
審核編輯:湯梓紅
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