5.嵌入式閃存（FLASH）

5.1.模塊介紹

華大電子MCU CIU32F011x3、CIU32F031x5 集成了嵌入式 FLASH 控制模塊，該模塊控制 FLASH 的擦除、編程以及讀取數(shù)據(jù)。上電時(shí)會(huì)從 FLASH 中讀取相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)以及初始化配置，保證芯片程序在正確且安全的情況下運(yùn)行。

5.2.功能特點(diǎn)

? 支持高達(dá) 64K 主閃存空間的 FLASH

? 存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

– 主閃存空間 64K 字節(jié)

– 副閃存空間 4.5K 字節(jié)

? 指出對(duì)閃存空間的擦寫(xiě)、編程和讀操作

? 支持對(duì)閃存空間訪(fǎng)問(wèn)限制和擦寫(xiě)保護(hù)

? 支持低功耗模式

5.3.功能說(shuō)明

5.3.1.閃存結(jié)構(gòu)

閃存空間由 32 位寬的存儲(chǔ)單元組成，既可以存代碼又可以存數(shù)據(jù)。主閃存塊按 32 頁(yè)（每頁(yè) 1K 字節(jié)）分塊，以頁(yè)為單位設(shè)置寫(xiě)保護(hù)（參見(jiàn)存儲(chǔ)保護(hù)相關(guān)內(nèi)容）。

注：當(dāng)主閃存空間 64KB 不夠存放用戶(hù)程序時(shí)，可把副閃存空間的扇區(qū) 0 至扇區(qū) 7 擴(kuò)展為程序存放空間，即支持 68KB的程序存放空間。

5.3.2.閃存讀保護(hù)

讀操作在整個(gè)芯片工作電壓范圍內(nèi)都可以完成，用于存放指令或者數(shù)據(jù)。當(dāng) NVR8 用戶(hù)配置區(qū)經(jīng)過(guò)自定義的保護(hù)配置后,SWD 連接時(shí)會(huì)對(duì) FLASH 的代碼數(shù)據(jù)執(zhí)行保護(hù)機(jī)制。

注：FLASH 運(yùn)行在 24MHz 工作頻率，當(dāng)系統(tǒng)時(shí)鐘超過(guò) 30MHz 時(shí)，需要配置 TIMER_REG0 的 RC 參數(shù)，增加時(shí)鐘周期數(shù)再把 FLASH 接口的數(shù)據(jù)寫(xiě)到寄存器。

5.3.3.閃存擦除和燒寫(xiě)操作

燒寫(xiě)和擦除操作在整個(gè)芯片工作電壓范圍內(nèi)都可以完成。燒寫(xiě)和擦除操作由下列 6 個(gè)寄存器完成，先根據(jù)燒寫(xiě)的時(shí)鐘配置好燒寫(xiě)時(shí)序(TIME_REG1)，再配置燒寫(xiě)密碼，配置好編程地址，最后配置好編程數(shù)據(jù)，即可開(kāi)始執(zhí)行燒寫(xiě)，然后等待操作結(jié)束。

燒寫(xiě)操作相關(guān)寄存器

? 時(shí)序寄存器 1 ：TIME_REG1

? 密碼寄存器：NVR_PASSWORD/MAIN_PASSWORD

? 編程地址寄存器：PROG_ADDR

? 編程數(shù)據(jù)寄存器：PROG_DATA

? 狀態(tài)寄存器：DONE

擦除操作相關(guān)寄存器：

? 擦除控制寄存器：ERASE_CTRL

注：需要注意的是，F(xiàn)LASH 在擦除/燒寫(xiě)的同時(shí)不可以從 FLASH取數(shù)據(jù)，所以 FLASH 在擦除/燒寫(xiě)過(guò)程中會(huì)讓總線(xiàn)停頓，直到完成后才能繼續(xù)運(yùn)行。

審核編輯 ：李倩