2022年能源問(wèn)題成為了全球關(guān)注的焦點(diǎn),推動(dòng)新舊能源替換和變革被視為是實(shí)現(xiàn)雙碳目標(biāo)的最根本途徑。作為能源產(chǎn)生、使用和回收的關(guān)鍵技術(shù)之一,電源技術(shù)近年來(lái)持續(xù)受到各行各業(yè)廣泛關(guān)注。由21ic電子網(wǎng)策劃的Top10 Power電源產(chǎn)品獎(jiǎng)已經(jīng)成功舉辦了19年,評(píng)選的范圍是最近一年內(nèi)的電源芯片和相關(guān)解決方案,獲此殊榮意味著其代表了電源產(chǎn)品最高水準(zhǔn)。在本年度的評(píng)選中,一共設(shè)立了7類(lèi)不同的獎(jiǎng)項(xiàng),從技術(shù)創(chuàng)新、能效、應(yīng)用、開(kāi)發(fā)等多個(gè)工程師關(guān)心的角度進(jìn)行了評(píng)選。
經(jīng)過(guò)全網(wǎng)數(shù)千次的工程師投票和21ic編輯緊張的審評(píng),2022年度第二十屆Top10 Power電源產(chǎn)品獎(jiǎng)結(jié)果已于11月21日出爐。我們很榮幸,Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)的3.3 kV碳化硅 MOSFET 和碳化硅SBD能獲此殊榮。
請(qǐng)閱讀原文了解更多詳情。
原文標(biāo)題:Microchip 3.3 kV碳化硅MOSFET和碳化硅SBD榮獲2022年度第二十屆Top10 Power電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
文章出處:【微信公眾號(hào):Microchip微芯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
-
microchip
+關(guān)注
關(guān)注
52文章
1544瀏覽量
118848
原文標(biāo)題:Microchip 3.3 kV碳化硅MOSFET和碳化硅SBD榮獲2022年度第二十屆Top10 Power電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
文章出處:【微信號(hào):MicrochipTechnology,微信公眾號(hào):Microchip微芯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&A

超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

碳化硅在半導(dǎo)體中的作用
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位


碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

了解用于碳化硅MOSFET的短路保護(hù)方法

評(píng)論