IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，隨著節能環保等理念的推進，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣，此類產品在市場上將越來越多見。

入手IGBT模塊我們應先對其進行一個常規檢測。那我們應該如何檢測呢？我們可以分為以下幾個方面：

判斷極性

首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G )，其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接地為發射極(E)。

判斷好壞

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發射極(E)，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極(G)和發射極(E)，這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。

檢測注意事項

任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管(P-MOSFET)的好壞。

調速系統中的核心“變頻器”是一個復雜的電子系統，易受到電磁環境的影響而發生損壞。工業系統運行過程中，生產工藝的連續性不允許系統停機，否則將意味著巨大的經濟損失。特別是在一些特殊的應用場合，如自動化和宇宙空間系統、核能和危險的化學工廠中，更不允許逆變器因故障停機，規避異常停機所造成的巨大經濟損失。

審核編輯 ：李倩