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新型EMIPAK 1B 封裝二極管和MOSFET功率模塊,滿足車載充電應(yīng)用

Vishay威世科技 ? 來源:Vishay威世科技 ? 作者:Vishay威世科技 ? 2022-11-25 15:20 ? 次閱讀

Vishay七款新型二極管MOSFET 功率模塊

靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術(shù)

在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置

Vishay針對(duì)車載充電應(yīng)用專門推出七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊。含有各種電路配置的集成解決方案采用 PressFit 引腳壓合專利技術(shù),將高效快速體二極管 MOSFET 和 SiC、FRED Pt 和 MOAT 二極管技術(shù)結(jié)合在小型 EMIPAK 1B 封裝中。

日前發(fā)布的 Vishay Semiconductors 器件具有車載充電應(yīng)用 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 轉(zhuǎn)換所需的各種電路配置,包括輸入/輸出橋、全橋逆變器功率因數(shù)校正 (PFC),適用于各種額定功率。模塊符合 AQG-324 汽車標(biāo)準(zhǔn),可為電動(dòng) (EV) 和混合動(dòng)力 (HEV) 汽車以及電動(dòng)自行車、農(nóng)業(yè)機(jī)械、鐵路車輛等提供完整解決方案。

器件 EMIPAK 封裝采用矩陣式方法,在同樣的 63 mm x 34 mm x 12 mm 小型封裝中內(nèi)置各種定制電路配置。與分立式解決方案相比,有助于提高功率密度,同時(shí)可在工業(yè)和可再生能源應(yīng)用不同功率級(jí)靈活使用每種模塊,適用于焊接、等離子切割、UPS、太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電機(jī)等。

器件的 AI2O3直接敷銅 (DBC) 襯底改進(jìn)了熱性能,經(jīng)過優(yōu)化的布局有助于減小雜散電感,提高EMI性能。模塊 PressFit 引腳壓合技術(shù)便于 PCB 安裝并減少襯底機(jī)械應(yīng)力,而無底座結(jié)構(gòu)減少了需要焊接的接口提高可靠性。

器件規(guī)格表

產(chǎn)品編號(hào) 電路配置
VS-ENK025C65S 雙升壓 PFC MOSFET和全橋MOSFET逆變器
VS-ENV020F65U 六個(gè)用于輸出整流的獨(dú)立Ultrafast整流器
VS-ENW30S120T 全橋SiC二極管
VS-ENY050C60 全橋逆變器MOSFET
VS-ENV020M120M 六個(gè)用于交流線路輸入整流的獨(dú)立二極管
VS-ENM040M60P 半控輸入橋加升壓PFC支路MOSFET和半橋逆變器MOSFET
VS-ENZ025C60N 獨(dú)立恢復(fù)二極管雙向交錯(cuò)無橋PFC(四通道)

Vishay 提供全系列硅技術(shù)功率模塊,包括 Si 和 SiC 二極管、 晶閘管、IGBT 和 MOSFET, 以及電容器、分流器、NTC 和 PTC 熱敏電阻等被動(dòng)元件。器件可用來配置各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括標(biāo)準(zhǔn)焊接引腳和 PressFit 端子,適用于廣泛功率范圍。功率模塊符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),可加以定制滿足特定應(yīng)用要求,具有高度靈活性和成本效益,有助于設(shè)計(jì)人員加快產(chǎn)品上市速度并提高整體系統(tǒng)性能。

新型功率模塊現(xiàn)可提供樣品。量產(chǎn)供貨周期為 26 周。

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原文標(biāo)題:新型 EMIPAK 1B 封裝二極管和 MOSFET 功率模塊,滿足車載充電應(yīng)用

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