我們之前有介紹過什么是IGBT，不過主要是從結構上對其進行了剖析，并未深入介紹，今天金譽半導體再從其他角度來充分了解一下IGBT的具體信息。此文信息量有點大，供大家參考。

IGBT的特點可以從其全稱中了解一二：絕緣柵雙極晶體管。

所謂絕緣柵，是指IGBT與MOSFET類似，作為控制的門級和功率電路部分是絕緣的，之間沒有通過導體或半導體電氣連接。門級只要出現一定的電壓，在半導體內部形成一定的電場，就可以實現IGBT的導通。

有了絕緣柵，在開關時，只需要在IGBT切換狀態的瞬時間內給門級注入/抽取一點能量，改變內部電場，就可以改變IGBT的工作狀態。這個過程很容易做的非常快速，一秒鐘可以開關近萬次，換言之，IGBT開關頻率可以達到10kHz級別，這也是IGBT選做成為開關的主要原因。而且IGBT導通時的電壓相對于大電流不敏感，可以承受幾十到幾百安培量級的電流；當其關斷時，可以承受幾百至幾千伏特的電壓。

要這么快的開關干什么用？常見的強電只有50Hz的交流電，變壓器能變它的電壓，但是不能改變它的頻率，更不能把它變成直流；另一方面，光伏電站發出的直流電，也無法轉換為交流。而利用IGBT這種開關，人們可以設計出一類電路，通過控制IGBT，把電源側的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電。這類電路統稱電力電子電路，由電力電子電路做成的設備稱為變換器。特別的，把交流電變成直流電的電路叫做整流器，把直流電變成交流電的叫做逆變器，而直流變直流的電路其實是花樣多變的，一般直接稱為變換器。

相比之下，功率MOSFET作為單極器件，其導通時類似一個小電阻，小電阻上的電壓和電流呈線性關系，因此當電流超過一定程度時，功率MOSFET上消耗的電能（電壓和電流的乘積）就太大了，這一特征限制了MOSFET的電流，普通的三極管（BJT）也是如此。另一方面，減小MOSFET中小電阻的努力會希望MOSFET的兩個功率極不要相隔太遠，這也制約了MOSFET承受電壓的能力。

功能上來說，IGBT就是一個由晶體管實現的電路開關，不同于家里的電燈開關用按鈕進行控制，IGBT作為晶體管的一種，是由別的電路來控制的。具體點說，IGBT的簡化模型有3個接口，有兩個（集電極、發射極）接在強電電路上，還有一個接收控制電信號，叫作門極。給門極一個高電平信號，開關（集電極與發射極之間）就通了；再給低電平信號，開關就斷了。這種可以用數字信號控制的強電開關還有很多種。

IGBT是非常成功的電力電子器件之一。相比之下，還有很多不為人知的器件都成為了歷史中的過客。不過，近年寬禁帶半導體器件技術取得了不少突破，其中碳化硅（SiC）材料耐壓、耐溫更高，因此用碳化硅做成的MOSFET就可以直接媲美IGBT的電壓、電流承載能力，而無需再使用更為復雜的IGBT結構。在電動汽車、軌道交通領域，商品化的基于SiC-MOSFET的變換器已經投入市場了。當然，理論上碳化硅材料和IGBT結構也是可以結合的，其電壓、電流也會上升一個等級。

審核編輯：湯梓紅