審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7262瀏覽量
214420 -
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
108文章
2445瀏覽量
67668 -
特性參數(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
4瀏覽量
6269
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
小功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)
小功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)
發(fā)表于 08-22 16:02
?4320次閱讀
MOS管的工作原理及特性
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconduc
發(fā)表于 02-17 15:36
?3993次閱讀
MOSFET參數(shù)理解及測(cè)試項(xiàng)目方法
` 本帖最后由 qw715615362 于 2012-9-12 11:35 編輯
是你深刻理解MOSFET的特性及各種參數(shù)`
發(fā)表于 09-12 11:32
MOSFET使用時(shí)一些參數(shù)的理解
以及漏極源極電容。這些電容不能直接測(cè)量到,它們是通過(guò)測(cè)量輸入、輸出和反向傳輸電容等參數(shù)然后計(jì)算得到。這三類寄生電容之間的關(guān)系如下:10. 反向二極管特性MOSFET都有一個(gè)寄生的反向二
發(fā)表于 07-12 11:34
MOSFET-MOS管特性參數(shù)的理解
發(fā)表于 05-18 09:50
MOS管選型注重的參數(shù)
一、MOS管選型注重的參數(shù)1、負(fù)載電流IL?--它直接決定于MOSFET的輸出能力;2、輸入-輸出電壓–它受MOSFET負(fù)載占空比能力限制;
發(fā)表于 11-16 09:06
MOSFET datasheet參數(shù)特性
下文主要介紹 mosfet 的主要參數(shù),通過(guò)此參數(shù)來(lái)理解設(shè)計(jì)時(shí)候的考量 一、場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,
發(fā)表于 03-15 15:20
?90次下載
MOSFET特性參數(shù)的理解
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)講座_功率MOSFET特性參數(shù)的理解。
發(fā)表于 03-24 17:59
?47次下載
如何理解功率MOSFET規(guī)格書(shū)之雪崩特性和體二極管參數(shù)的詳細(xì)資料說(shuō)明
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是如何理解功率MOSFET規(guī)格書(shū)之雪崩特性和體二極管參數(shù)的詳細(xì)資料說(shuō)明。
發(fā)表于 03-07 08:00
?19次下載
MOS管選型注重的參數(shù)及使用注意事項(xiàng)-KIA MOS管
一、MOS管選型注重的參數(shù)1、負(fù)載電流IL?--它直接決定于MOSFET的輸出能力;2、輸入-輸出電壓–它受MOSFET負(fù)載占空比能力限制;
發(fā)表于 11-09 13:51
?41次下載
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎?場(chǎng)效應(yīng)管mos管的區(qū)別?
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎?場(chǎng)效應(yīng)管mos管的
如何查看MOS管的型號(hào)和功率參數(shù)
MOS管的型號(hào)和功率參數(shù)。 首先,我們來(lái)了解MOS管的型號(hào)。MOS
MOS管寄生參數(shù)的影響
MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管作為常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,在集成電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而,MOS管的性能并非僅由其基本電氣特性決定,還受
評(píng)論