半導體產業網訊：近日，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術，全新推出“NS62m SiC MOSFET功率模塊新品”，可應用于傳統工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領域。

能源轉型儲能風起正當時

在“雙碳”目標背景下，我國電力系統將向以新能源為主體的新型電力系統轉型，儲能作為靈活調節電源在新型電力系統中承擔重任。而儲能逆變器是儲能系統中關鍵的一環，可控制儲能電池組充電和放電過程，在提高儲能系統的效率及降低成本方面起著重要作用。

面向儲能逆變器市場，國星光電NS62m功率模塊新品依托SiC MOSFET芯片的優異性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關頻率，降低了開關損耗和導通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統成本、提升系統效率的目的。

四大優勢全面揭曉NS62m

兼容靈活性能佳

國星光電NS62m功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲設計，內置NTC熱敏電阻，可實現溫度監控；采用62mm尺寸標準基板和接口，可兼容行業內各大主流產品，實現快速替換使用；具有150℃的連續工作溫度(Tvjop)和優秀的溫度循環能力，器件可靠性表現卓越。

全橋拓撲可并聯

NS62m功率模塊以半橋電路結構應用于逆變器中。在實際應用中，一般會以2個或3個NS62m功率模塊并聯的形式構成單相全橋拓撲或三相橋拓撲，將直流電變成頻率、幅值可調的交流電，實現逆變功能。基于NS62m功率模塊內SiC MOSFET的體二極管具有出色的開關特性和反向恢復性能，因此在無需額外搭配二極管器件，更可滿足多數場景下的續流要求。

如圖中橙色框圖部分所示，每個框圖代表一個NS62m功率模塊，此圖為2個NS62m功率模塊并聯的形式構成單相全橋拓撲。

參數對比見真章

NS62m功率模塊在工作時可達到更高的開關頻率、更低的開關損耗，同時，可幫助變換器系統效率的提升和散熱結構成本的降低。

根據實驗數據可得，與市場同等電流規格的產品對比，NS62m功率模塊動態特性開通延遲時間減少79納秒；上升時間減少42納秒；關斷延遲時間減少468納秒。開啟損耗降低82%，關斷損耗降低92%，整體開關損耗表現優秀。

產品豐富因需至

針對傳統工控、儲能逆變、充電樁等應用領域的需求，國星光電NS62m SiC MOSFET模塊系列型號豐富，可供選擇。依托國星光電先進的第三代半導體器件生產線，公司可響應不同封裝及規格的SiC功率模塊定制開發需求，為客戶提供高質量的定制化產品服務。

目前，國星光電正加速深入第三代半導體賽道，以自主創新為驅動，努力攻克技術難關，加速科技成果轉化，推動產品迭代更新，為第三代半導體產業化高質量發展注入源源不斷的新活力。

審核編輯 ：李倩