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高性能、高可靠,佰維推出高品質(zhì)DDR5內(nèi)存模組

BIWIN佰維 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:綜合報(bào)道 ? 2022-12-21 15:48 ? 次閱讀

隨著PC、服務(wù)器等應(yīng)用終端不斷升級(jí)迭代,其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)上對(duì)低延遲、低功耗、高速度、大帶寬等提出了越來(lái)越高的要求,導(dǎo)入擁有更高性能、更穩(wěn)定可靠的DDR5內(nèi)存模組或?qū)⒊蔀楦玫拇鎯?chǔ)解決方案。近期,佰維新推出高品質(zhì)DDR5 UDIMM、SODIMM內(nèi)存模組,以更好應(yīng)對(duì)市場(chǎng)挑戰(zhàn)。

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佰維DDR5內(nèi)存產(chǎn)品特點(diǎn)

數(shù)據(jù)傳輸速率大幅提升,輕松實(shí)現(xiàn)多任務(wù)處理

佰維DDR5 UDIMM和SODIMM內(nèi)存模組數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)4800Mbps,突發(fā)長(zhǎng)度和預(yù)取長(zhǎng)度擴(kuò)展到16位,使得存儲(chǔ)器單一讀寫(xiě)指令可存取的數(shù)據(jù)量是DDR4的兩倍;此外,DDR5每個(gè)模塊均擁有兩個(gè)獨(dú)立的32位I/O子通道,雙通道設(shè)計(jì)在保證大帶寬的同時(shí),可提高存儲(chǔ)器存取效率,大幅縮短存取延遲,提高信號(hào)完整性,保障PC等終端輕松實(shí)現(xiàn)多任務(wù)處理。

更低電壓與嶄新電源架構(gòu),有效降低功耗

佰維DDR5模組工作電壓從DDR4的1.2V降低至1.1V,將電源管理系統(tǒng)從主板拆分,集成IC至模組本身(PMIC),可更高效控制系統(tǒng)電源負(fù)載,調(diào)節(jié)電源紋波、電壓和上下電時(shí)序,提升信號(hào)完整性與兼容性,并有效降低功耗。

芯片單元容量翻倍,提供更多容量選擇

佰維DDR5采用八個(gè)Bank Group組成的32 Banks,相較于DDR4的16 Banks增加一倍,提升了單片芯片存儲(chǔ)密度,單條容量相應(yīng)提升,為內(nèi)存模組容量提供8GB~32GB的多種選擇。

On-Die ECC糾錯(cuò)+智能溫感控制,高穩(wěn)定、高可靠

佰維DDR5模組采用高品質(zhì)晶圓顆粒,支持片內(nèi)糾錯(cuò)(On-Die ECC)機(jī)制,每128位元數(shù)據(jù)就附帶8位元糾錯(cuò)碼;產(chǎn)品使用一組差分信號(hào)(DQS_t和DQS_c)來(lái)捕獲數(shù)據(jù),一組差分時(shí)鐘(CK_t和CK_c)來(lái)捕獲命令、地址和控制信號(hào),差分時(shí)鐘和數(shù)據(jù)選通確保了這些信號(hào)的特殊抗噪性,并提供精確的觸發(fā)沿來(lái)捕獲輸入信號(hào),大大提高了模組的數(shù)據(jù)傳輸可靠性;此外,佰維DDR5模組支持智能溫感控制,可有效避免存儲(chǔ)器因過(guò)度發(fā)熱、溫度過(guò)高造成數(shù)據(jù)丟失。

未來(lái)展望

當(dāng)下,除傳統(tǒng)應(yīng)用終端(如手機(jī)、PC、服務(wù)器等)迅速更新迭代外,5GAI等新興技術(shù)亦不斷發(fā)展,隨之而生的各種應(yīng)用終端迅速占領(lǐng)市場(chǎng),對(duì)高效能運(yùn)算提出要求。DDR5在性能上的巨大飛躍使其能廣泛應(yīng)用于上述領(lǐng)域(PC、服務(wù)器、AIoT、5G應(yīng)用),并為AR/VR設(shè)備、邊緣計(jì)算、工控等各種高性能、高可靠需求領(lǐng)域終端賦能。

佰維積極布局DDR5內(nèi)存模組,構(gòu)建全棧產(chǎn)品線,公司的全棧測(cè)試能力也為DDR5產(chǎn)品提供量產(chǎn)品質(zhì)保證。未來(lái),佰維將繼續(xù)充分發(fā)揮研發(fā)封測(cè)一體化優(yōu)勢(shì),在已量產(chǎn)的DDR5 UDIMM、SODIMM產(chǎn)品基礎(chǔ)上,開(kāi)發(fā)生產(chǎn)DDR5 RDIMM產(chǎn)品,全力推動(dòng)DDR5時(shí)代的到來(lái)。

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原文標(biāo)題:【新品發(fā)布】高性能、高可靠,佰維推出高品質(zhì)DDR5內(nèi)存模組

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