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高性能、高可靠,佰維推出高品質DDR5內存模組

BIWIN佰維 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:綜合報道 ? 2022-12-21 15:48 ? 次閱讀

隨著PC、服務器等應用終端不斷升級迭代,其在數據存儲上對低延遲、低功耗、高速度、大帶寬等提出了越來越高的要求,導入擁有更高性能、更穩定可靠的DDR5內存模組或將成為更好的存儲解決方案。近期,佰維新推出高品質DDR5 UDIMM、SODIMM內存模組,以更好應對市場挑戰。

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佰維DDR5內存產品特點

數據傳輸速率大幅提升,輕松實現多任務處理

佰維DDR5 UDIMM和SODIMM內存模組數據傳輸速率達4800Mbps,突發長度和預取長度擴展到16位,使得存儲器單一讀寫指令可存取的數據量是DDR4的兩倍;此外,DDR5每個模塊均擁有兩個獨立的32位I/O子通道,雙通道設計在保證大帶寬的同時,可提高存儲器存取效率,大幅縮短存取延遲,提高信號完整性,保障PC等終端輕松實現多任務處理。

更低電壓與嶄新電源架構,有效降低功耗

佰維DDR5模組工作電壓從DDR4的1.2V降低至1.1V,將電源管理系統從主板拆分,集成IC至模組本身(PMIC),可更高效控制系統電源負載,調節電源紋波、電壓和上下電時序,提升信號完整性與兼容性,并有效降低功耗。

芯片單元容量翻倍,提供更多容量選擇

佰維DDR5采用八個Bank Group組成的32 Banks,相較于DDR4的16 Banks增加一倍,提升了單片芯片存儲密度,單條容量相應提升,為內存模組容量提供8GB~32GB的多種選擇。

On-Die ECC糾錯+智能溫感控制,高穩定、高可靠

佰維DDR5模組采用高品質晶圓顆粒,支持片內糾錯(On-Die ECC)機制,每128位元數據就附帶8位元糾錯碼;產品使用一組差分信號(DQS_t和DQS_c)來捕獲數據,一組差分時鐘(CK_t和CK_c)來捕獲命令、地址和控制信號,差分時鐘和數據選通確保了這些信號的特殊抗噪性,并提供精確的觸發沿來捕獲輸入信號,大大提高了模組的數據傳輸可靠性;此外,佰維DDR5模組支持智能溫感控制,可有效避免存儲器因過度發熱、溫度過高造成數據丟失。

未來展望

當下,除傳統應用終端(如手機、PC、服務器等)迅速更新迭代外,5GAI等新興技術亦不斷發展,隨之而生的各種應用終端迅速占領市場,對高效能運算提出要求。DDR5在性能上的巨大飛躍使其能廣泛應用于上述領域(PC、服務器、AIoT、5G應用),并為AR/VR設備、邊緣計算、工控等各種高性能、高可靠需求領域終端賦能。

佰維積極布局DDR5內存模組,構建全棧產品線,公司的全棧測試能力也為DDR5產品提供量產品質保證。未來,佰維將繼續充分發揮研發封測一體化優勢,在已量產的DDR5 UDIMM、SODIMM產品基礎上,開發生產DDR5 RDIMM產品,全力推動DDR5時代的到來。

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原文標題:【新品發布】高性能、高可靠,佰維推出高品質DDR5內存模組

文章出處:【微信號:BIWIN佰維,微信公眾號:BIWIN佰維】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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