隨著人工智能及5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的發(fā)展，英特爾、AMD等PC平臺(tái)相繼推出運(yùn)算效能更高的AI處理器，其中英特爾推出的10nm制程Ice Lake處理器中采用了Sunny Cove微架構(gòu)并導(dǎo)入向量神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)指令集（VNNI），借此加快深度學(xué)習(xí)（DeepLearning）運(yùn)算速度。AMD陣營(yíng)則推出第三代Ryzen處理器結(jié)合X570芯片組應(yīng)戰(zhàn)，強(qiáng)打效能牌并瞄準(zhǔn)電競(jìng)市場(chǎng)商機(jī)。

另根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) Canalys 發(fā)布的最新報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2020 年全年全球 PC市場(chǎng)出貨量達(dá)到 2.97 億臺(tái)，同比增長(zhǎng) 11%。Canalys分析認(rèn)為，由于5G網(wǎng)絡(luò)升級(jí)換代，PC行業(yè)將在未來(lái)幾年繼續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)測(cè)2021年將增長(zhǎng)8%。多角度分析預(yù)估PC產(chǎn)品MOSFET用量較上一代產(chǎn)品有望增長(zhǎng)一倍。

不同領(lǐng)域的MOSFET的形態(tài)不同，其電路中充當(dāng)?shù)淖饔煤驮硪彩遣槐M相同。CPU/GPU的供電系統(tǒng)的主要目的是把由電源輸入的12V電壓轉(zhuǎn)變?yōu)镃PU所需的1V多的電壓，以驅(qū)動(dòng)CPU穩(wěn)定運(yùn)行。隨著CPU、GPU的運(yùn)算能力越來(lái)越強(qiáng)，所需的供電電流也隨之上升，當(dāng)電流超過(guò)電子元件的承受能力后，多相供電就成了必要。多相供電電路中的關(guān)鍵元件包括PWM控制器芯片、MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片、MOSFET、扼流圈、電容等，其中每一相供電至少需要上、下橋兩個(gè)MOSFET。

MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)合的不同，無(wú)論是從存在的方式和工作原理上都有差異，WAYON針對(duì)PC及PC電源領(lǐng)域的差異化需求同時(shí)推出了Trench、SGT MOSFET以及高壓SJ MOS。其中WAYON SGT MOSFET采用CLIP BOND封裝，能夠進(jìn)一步提升功率密度，降低開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)擁有更好的EMI優(yōu)勢(shì)。其顯著特點(diǎn)如下：

●更好導(dǎo)熱性能

●更低導(dǎo)通阻抗

●減少寄生電感

●更支持更大電流與功率

●降低功率損耗

PC電源特別是筆記本電腦快充的普及，對(duì)適配器提出了小、薄、和輕等要求，為了應(yīng)對(duì)PC及PC電源不同的應(yīng)用場(chǎng)景，WAYON推出了針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景的細(xì)分產(chǎn)品。

應(yīng)用場(chǎng)景1：PC Main-board Power

PC Main-board Power

專(zhuān)門(mén)針對(duì)上下橋MOS，做了如下優(yōu)化：

●上橋開(kāi)關(guān) HS SW

●降低開(kāi)關(guān)損耗

●優(yōu)化Qgd

●下橋開(kāi)關(guān) LS SW & SR

●改進(jìn)輕載效率

●減少 Phase Node Overshoot

●低導(dǎo)通電阻 Rds(on)

產(chǎn)品系列 – DFN5x6 N溝道

產(chǎn)品系列 – DFN5x6 雙N溝道

產(chǎn)品系列 – DFN3x3 For Functional component

應(yīng)用場(chǎng)景2：PC switching power supply

PC switching power supply

產(chǎn)品系列 – DFN5x6 N溝道（40V&60V）

產(chǎn)品系列 – TO-220 (120V & 100V)

產(chǎn)品系列 – 高壓SJ-MOSFET

審核編輯黃宇