三代USB大有門道，快看你用的是哪一種？
本期我們對比市面上常見的三代USB標準：USB2.0、USB3.0、USB4。
白色或者黑色長方形口，是USB2.0，發布于2000年，最高理論傳輸速度為60M/S，最大輸出電流5V/500mA；能支持數據傳輸、圖像視頻、大容量存儲需求。
藍色長方形口，是USB3.0，發布于2008年，最高理論傳輸速度為500M/S，最大輸出電流5V/900mA；可以比USB2.0更快進行數據傳輸、圖像視頻、大容量存儲。
銀色扁圓口，是USB4 ，發布于2019年，最高理論傳輸速度為5G/S，最大輸出電流能達到48V/5A ，除了滿足數據傳輸、圖像視頻、大容量存儲需求，還可以更高效的支撐VR/AR，支持輸出HDR10顏色、60Hz的8K分辨率超高清畫質。
可以發現，USB標準每隔十年更新一代，隔代性能差異很大。
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
USB3.0
+關注
關注
1文章
270瀏覽量
80670 -
usb
+關注
關注
60文章
8152瀏覽量
271396 -
USB2.0
+關注
關注
2文章
189瀏覽量
46745 -
USB4
+關注
關注
1文章
142瀏覽量
6745
原文標題：三代USB大有門道，快看你用的是哪一種？
文章出處：【微信號：KeysightGCFM，微信公眾號：是德科技快訊】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
第三代半導體的優勢和應用領域
隨著電子技術的快速發展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵（GaN
SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
發表于 04-22 14:32
第三代半導體器件封裝：挑戰與機遇并存
一、引言隨著科技的不斷發展，功率半導體器件在電力電子系統、電動汽車、智能電網、新能源并網等領域發揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
選購真空共晶爐也有門道，快來get新技能！
在電子封裝領域，真空共晶爐作為一種重要的焊接設備，其性能直接影響到焊接質量和生產效率。然而，面對市場上琳瑯滿目的真空共晶爐產品，如何做出明智的選擇成為了許多企業面臨的難題。本文將從真空度、漏率、加熱板材質及冷卻方式等關鍵要素出發，為您詳細闡述真空共晶爐的選擇指南。
第三代半導體對防震基座需求前景?
隨著科技的發展，第三代半導體產業正處于快速擴張階段。在全球范圍內，各國都在加大對第三代半導體的投入，建設了眾多新的晶圓廠和生產線。如中國，多地都有相關大型項目規劃與建設，像蘇州的國家第三代半導體
第三代半導體產業高速發展
當前，第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業高速發展。其中，新能源汽車市場的快速發展是第三代半導體技術推進的重要動力之一，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現更長的續航里程和更優的能量管理。
第三代半導體氮化鎵(GaN)基礎知識
第三代半導體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應用領域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導體領域的一顆“新星”——第三代
第三代半導體和半導體區別
半導體是指導電性能介于導體和絕緣體之間的材料，具有獨特的電學性質，是電子工業中不可或缺的基礎材料。隨著科技的進步和產業的發展，半導體材料經歷了從第一代到第三代的演變。 一、材料特性的區別 1.
TLC2252和TLC2254功耗和性能方面有何不同？
我原來四運放用二片TLC2252貼片組成，現想用一片TLC2254替代。不知功耗和性能方面有何不同？二種哪一種更好？
發表于 09-25 07:30
LG Display加速車用OLED技術，2026年量產第三代串聯OLED
韓國顯示巨頭LG Display再次展現其在車用顯示領域的領先地位，據韓媒最新報道，該公司內部已正式確定將于2026年實現第三代車用串聯OLED面板的量產，標志著其在車用顯示技術上的又
鋰離子超級電容器跟超級電容器哪一種更加好？
鋰離子超級電容器和普通超級電容器各有其優勢和特點，具體哪一種更好取決于應用場景和需求。一般來說，鋰離子超級電容器結合了鋰離子電池和超級電容器的優點，具有高能量密度和高功率密度的特點，同時具備較長
工商網監
評論